导读:本文包含了低介电论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:常数,热稳定性,甲酰胺,环氧树脂,疏水,固化剂,介质。
低介电论文文献综述
张伟,胡祖明,于俊荣,王彦,诸静[1]（2019）在《透明低介电耐高温PMIA/PSA复合薄膜制备与性能》一文中研究指出将聚间苯二甲酰间苯二胺(PMIA)和聚苯砜对苯二甲酰胺(PSA)按不同比例进行共混改性,通过刮涂法制得PMIA,PSA薄膜及四种比例的PMIA/PSA复合薄膜,并通过扫描电子显微镜(SEM)、紫外–可见近红外光谱、介电常数、体积电阻率等测试对薄膜的形貌结构和性能进行了表征。结果表明,这六种薄膜透光率都接近90%;体积电阻率都达到10~(15)Ω·cm以上,表面电阻率都达到10~(16)Ω以上;四种复合薄膜的介电常数在2.2～2.5,介电损耗在0.01～0.02,介电常数和介电损耗都比较低。PMIA/PSA质量比8/2时复合薄膜的力学性能最好,拉伸强度为87MPa;断裂伸长率达到66.7%,比PMIA薄膜提高了451%,比PSA薄膜提高了39.2%,断裂功最大,另外通过SEM,动态热机械和差示扫描量热测试发现此时PMIA/PSA薄膜相容性最好,因此PMIA/PSA质量比为8/2的薄膜在电子封装领域有着更广阔的应用前景和市场价值。(本文来源于《工程塑料应用》期刊2019年10期）
刘锋,支肖琼,赵恩顺,唐安斌,黄杰[2]（2019）在《低介电苯并恶嗪树脂的合成及性能研究》一文中研究指出以甲醛、二元胺及对叔丁基苯酚为原料合成了一种新型低介电苯并恶嗪树脂(LBOZ)。采用红外光谱表征了其结构;通过示差扫描量热(DSC)及热失重(TG)研究了其固化反应行为及耐热性能;通过平板电容法测试了树脂的介电性能。结果表明,该树脂反应活化能(Ea)为95.1kJ/mol;玻璃化转变温度(Tg)为159℃,5%热失重温度为(Td5%)309.3℃,800℃残碳率为45.66%。固化物具有较低的介电常数和介质损耗,Dk:2.34,Df:0.0047;应用于覆铜板后,Dk低至3.4,Df低至0.0100。(本文来源于《四川化工》期刊2019年04期）
张玉荣[3]（2019）在《含叁氟甲基低介电常数高分子材料的制备及性能研究》一文中研究指出本论文通过在聚合物分子结构中引入叁氟甲基基团,研究低介电常数材料结构与性能之间的关系。我们通过两步法合成含叁氟甲基苯基侧基的环氧树脂,并使用芳香胺固化剂二氨基二苯甲烷(DDM)和4,4’-二氨基二苯砜(DDS)固化环氧树脂,研究环氧树脂和固化剂结构对环氧树脂性能的影响。为了得到高性能低介电常数材料,我们使用含萘双氟单体和不同的双酚单体通过缩聚反应制备一系列含萘聚芳醚酮低介电常数材料PNAEK,并表征其性能。我们通过去甲基反应,制备含酚羟基和叁氟甲基的聚芳醚酮HPNAEK,作为大分子固化剂,改善环氧树脂韧性,并通过静电纺丝技术制备超低介电常数纤维膜材料,HPNAEK能显着改善环氧树脂的热稳定性、介电性能和疏水性。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
操芳芳,马立云,曹欣,王魏巍,仲召进[4]（2019）在《SiO_2/B_2O_3质量比对低介电封接玻璃性能的影响》一文中研究指出采用高温熔融法以SiO_2-B_2O_3-Al_2O_3-R_2O为体系制备了一系列低介电常数(3.92≤ε_r≤4.11)、低介电损耗(5×10~(-4)≤tanδ≤12×10~(-4))的封接玻璃。运用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、膨胀系数测定仪、弯曲梁高温粘度计、精密阻抗分析仪对样品进行了表征,同时,探讨了SiO_2与B_2O_3的质量比对各样品性能的影响。结果表明,样品的热膨胀系数、介电损耗随着SiO_2与B_2O_3质量比的增大呈现先降低后升高的趋势;而特征温度则相反,其随着SiO_2与B_2O_3质量比的增大呈现先升高后降低的趋势;样品的介电常数随SiO_2与B_2O_3质量比的增大而增大。(本文来源于《材料导报》期刊2019年S1期）
刘耀[5]（2019）在《新型低介电环氧树脂固化剂的合成及性能研究》一文中研究指出随着现代通讯技术的高速发展,电子设备的信号传输越来越呈现出要求高频化、高速化的趋势,更快的传输速度,更小的传输损耗,使其对印制线路板提出了更低的介电系数与介质损耗角正切值的要求。环氧树脂是印制线路板领域最广泛使用的高分子材料。然而环氧树脂本身具有较高的介电系数(Dk)与介质损耗角正切值(Df),无法满足高频高速覆铜箔板对基材介电特性的要求,环氧树脂在高频高速电路板中的应用受到了很大的限制。高频高速覆铜箔板不得不使用价格高昂的聚四氟乙烯树脂、聚苯醚树脂、碳氢树脂等树脂体系,使得高频印制线路板基材的成本一直处于居高不下的状态。传统的环氧树脂固化剂多是通过活性氢进攻环氧基然后实现开环聚合,这样环氧树脂交联后的分子链中生成许多羟基,能够达到对无机基材或金属基材界面的良好润湿,从而具有良好的粘结强度。但是羟基的存在导致环氧树脂固化物的介电系数和介电损耗角正切值较高,因此开发一种新型的能够不产生羟基的环氧固化剂将可能提高环氧固化物的介电特性。本文合成了一系列不同化学结构的新型环氧树脂固化剂,对其合成方法进行了初步优化,对该固化剂与环氧树脂固化体系的固化反应动力学进行了非等温DSC研究,并制备了层压板复合材料,测试了其介电特性、耐高温特性和物理机械性能,得出了以下结论:(1)通过正交实验分析方法得出了新型环氧树脂固化剂的最优合成工艺,根据此工艺条件制备了不同化学结构的新型固化剂。通过对得到的产物进行傅里叶红外(FT-IR)分析和核磁NMR-C13的谱图分析,验证了最终产物为目标产物,说明该系列固化剂的合成工艺具有可行性。通过分析各原料的加入配比,副反应过程,产品提纯工艺的影响因素,优化了产品合成工艺。(2)对新型固化剂固化环氧体系进行了非等温DSC法研究,对不同升温速率的特征温度做线性方程,并进行软件拟合,运用T-β外推法确定了树脂固化体系的特征温度,并根据Kissinger公式、Ozawa公式和Crane公式确定了新型低介电环氧树脂固化剂固化环氧树脂的固化反应动力学方程。(3)对合成的新型环氧树脂固化剂的应用性能进行了研究,最后证明该新型固化剂与传统酚醛树脂类固化剂相比,能够大幅降低环氧树脂固化物的介电系数(Dk)和介质损耗角正切值(Df),是一种新型低介电环氧树脂固化剂,该系列产品具有在高频、高速等高性能印制线路板基材及绝缘复合材料等行业推广的价值。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-20）
李磊,袁舜齐,何志斌[6]（2019）在《低介电聚酰亚胺/分子筛复合薄膜的制备及性能研究》一文中研究指出通过将硅烷偶联剂和超声分散处理后的分子筛加入聚硅氧烷酰胺酸共聚物溶液中进行混合和热亚胺化的方法,制备一系列聚酰亚胺/分子筛复合薄膜。通过网络分析仪、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、热重分析仪(TGA)、电子拉伸机、击穿电压测试仪等对薄膜进行结构表征和性能研究。结果表明:复合薄膜的介电常数随着分子筛含量的增加而降低,当分子筛质量分数为3%时,薄膜的介电常数由初始的3.02下降为2.72,介质损耗因数由初始的0.005 0增大为0.005 4,薄膜的热分解温度高于500℃,断裂伸长率为30.8%,综合性能良好。(本文来源于《绝缘材料》期刊2019年05期）
王影杰[7]（2019）在《超低介电常数有机硅氧烷薄膜的制备及性能研究》一文中研究指出随着集成电路(IC)器件特征尺寸缩小到10 nm及以下,集成电路互连材料的制备和性能退化成为影响其发展的瓶颈。采用超低k电介质(ULK)材料和新型集成方法的新型互连方案成为了最新的研究热点。目前低k材料集成的主要障碍是较低的机械和导热性能。因多孔有机硅酸盐玻璃(p-OSG)的强度和刚度受内部分子结构和网络连接性的控制而发生变化,成为最成功的候选材料之一。基于此,本项目致力于研究改善超低k(k≤2.2)电介质的机械性能。论文取得的主要成果如下:1.采用溶胶-凝胶技术和旋涂工艺成功制备出具有末端(Si-CH3)和桥连烷基(-CH2-CH2-)的两类多孔SiOCH膜。与PECVD工艺膜相比,所制备的薄膜在相同的化学组成和孔隙率情况下,所有low-k膜均具有更优异的机械性能,并且随着SiOCH膜中的桥接键浓度增加,杨氏模量也随之增加,均在4GPa(低介电常数材料的力学性能要求)以上。在Si原子之间具有桥连烷基的SiOCH膜更易形成不均匀的内部孔隙孔结构(即墨瓶状孔),而具有末端烷基的SiOCH膜则形成圆柱形孔。2.对致孔剂Brij30的浓度、BTMSE/MTMS比和退火环境对桥连烷基的SiOCH膜性能的影响进行了优化。实验发现,当Brij30质量分数在30%-50%,BTMSE摩尔比为47%(还可进一步提升)时,孔半径均为1.2-1.94 nm左右,杨氏模量可达4GPa,水接触角大于90°,薄膜具有最优的综合性能。且在N2环境中的热固化能够有效地避免Si-CH2-CH2-Si和Si-CH3键氧化,从而保留其优异的机械强度和疏水性。3.对SiOCH膜进行了拓展性应用研究,成功地将Tb3+掺入溶胶并制备出了有机无机杂化发光薄膜。此薄膜最佳激发波长为225 nm,得到了543 nm的较强的发光峰。当掺杂的Tb(NO3)3·6H2O与BTMSE-MTMS共聚物质量比为16%,采用两步退火处理的样品发光性能最好,且543 nm发射峰面积占总面积的72%,单色性极佳,此薄膜可以应用于性能优良的绿色发光体。(本文来源于《北方工业大学》期刊2019-05-06）
陆飞,刘晶,史铁钧,钱莹,何涛[8]（2019）在《低介电性双环戊二烯型苯并口恶嗪的合成及性能》一文中研究指出以双环戊二烯、苯酚为原料通过傅克烷基化反应合成双环戊二烯型酚醛单体(DCPDNO),再用所得的DCPDNO与多聚甲醛、苯胺反应合成双环戊二烯型苯并口恶嗪(DCPD-BOZ)。将所得DCPD-BOZ进行高温固化,DCPD-BOZ与环氧树脂E-51进行熔融共混后经过高温固化。采用傅里叶变换红外光谱、核磁共振(~1H-NMR、~(13)C-NMR)等分析了合成产物的化学结构,证明了产物为目标产物;采用差示扫描量热分析对DCPD-BOZ和DCPD-BOZ/E-51共混物的固化特性进行研究;采用热重分析表征了双环戊二烯型聚苯并口恶嗪poly(DCPD-BOZ)和DCPD-BOZ/E-51共混固化物的热稳定性;测试其介电性。结果表明,DCPD-BOZ在207℃出现了固化峰;在N_2的条件下,poly(DCPD-BOZ)失重5%时温度为301℃,在390℃时热分解速率最快,在800℃的残炭率为35%。在室温下介电常数为2.96,介电损耗为0.019。DCPD-BOZ/E-51共混物在240℃产生热效应;在N_2的条件下,DCPD-BOZ/E-51共混物固化物失重5%时温度为357℃,比poly(DCPD-BOZ)提高了56℃。(本文来源于《高分子材料科学与工程》期刊2019年03期）
陆飞[9]（2019）在《苯并恶嗪型低介电材料的制备和性能》一文中研究指出1、用苯胺、端氨基聚醚(D-400)为胺源,分别与双酚AF、多聚甲醛进行曼尼希反应,合成了含氟苯胺型苯并恶嗪(AF-BOZ)和含氟带氨基的苯并恶嗪(AF-DBOZ)。对两种苯并恶嗪单体及其与环氧树脂E51共混物进行加热固化。采用FTIR、NMR、DSC、TGA和矢量网络分析仪等分析手段,对其化学结构、固化行为、热稳定性及其介电性能进行了表征和测试。结果表明:在N_2条件下,含氟苯胺型聚苯并恶嗪poly(AF-BOZ)失重5%的温度为366℃,800℃时的残碳率为58%;poly(AF-BOZ)较AF-BOZ/E51共混固化物具有良好的热稳定性和较低的介电常数(ε),为2.68。含氟带有氨基的聚苯并恶嗪poly(AF-DBOZ)失重5%的温度为257℃,800℃时的残碳率为23%;poly(AF-DBOZ)较AF-DBOZ/E51共混固化物具有较低的热稳定性,但具有较低的介电常数,ε为2.84。2、以乙醇胺、多聚甲醛和双酚AF作为原料,合成了含氟乙醇胺型苯并恶嗪(AF-EBOZ),再以端氨基聚醚(D-400)和二苯甲烷二异氰酸酯(MDI)合成聚脲预聚物(PU)与之共混,通过加热固化形成聚合物(AF-BOZ/PU)。用FTIR和NMR分析了苯并恶嗪的化学结构;用DSC分析了固化行为;用TGA分析固化物的热稳定性后测试了其介电常数。实验结果表明:AF-EBOZ/PU较poly(AF-EBOZ)具有较低的介电常数为2.92,且具有一定的韧性。3、以双环戊二烯、苯酚为原料通过傅克烷基化反应合成了双环戊二烯苯酚单体(DCPDNO),将DCPDNO与多聚甲醛、苯胺反应合成了双环戊二烯型苯并恶嗪(DCPD-BOZ)。对DCPD-BOZ及其与环氧树脂E51共混物进行高温固化。采用FTIR、NMR、DSC、TGA和矢量网络分析仪等分析手段,对其化学结构、固化行为、热稳定性及其介电性能进行了表征和测试。结果表明:DCPD-BOZ在207℃出现了固化峰;在N_2的条件下,poly(DCPD-BOZ)失重5%时温度为301℃,在390℃时热分解速率最快,在800℃的残碳率为35%;在室温下介电常数为2.96,介电损耗为0.019。DCPD-BOZ/E51共混固化物在240℃产生热效应;在N_2的条件下,DCPD-BOZ/E51共混物固化物失重5%时温度为357℃,比poly(DCPD-BOZ)提高了56℃。4、首先用双环戊二烯和呋喃甲胺为原料,通过Diels-Alder反应合成了中间单体双环戊烯-呋喃甲胺(DCPD-F),然后用DCPD-F与双酚A、甲醛为原料进行曼尼希反应合成了带有桥环结构的苯并恶嗪(DCPD-F-BOZ),经过高温固化形成热固性树脂(poly(DCPD-F-BOZ))。用FTIR、NMR、表征DCPD-F和DCPD-F-BOZ的化学结构;用DSC对DCPD-F-BOZ的固化特性进行研究;用TGA分析了poly(DCPD-F-BOZ)的热稳定性后测试其介电常数。结果表明:DCPD-F-BOZ在223℃和258℃出现了两个固化峰;在N_2条件下,poly(DCPD-F-BOZ)的热分解温度为360℃,失重5%的温度为382℃,在800℃的残碳率为53%。室温下介电常数为2.76。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2019-04-01）
孙文东[10]（2019）在《中、低介电微波陶瓷的制备方法与微波介电性能研究》一文中研究指出随着科技水平的飞速发展,通信技术的民用化得到普及,从而极大的改变了人们的生活方式。一直以来,陶瓷材料的微波介电性能都是学者们研究和关注的重点,中、低介电常数体系陶瓷是目前为止研究最为成熟、应用最为广泛的两类微波介质陶瓷材料。相比于高介电常数体系的陶瓷材料,它们普遍具有较高的Q值,如何获得热稳定性好、生产成本低和工艺操作简单的微波介质材料成为其主要的研究热点。本文通过掺杂、调整组分和烧结工艺等方法成功制备出了一系列微波介电性能优异、微观结构致密的中、低介微波介质陶瓷材料。(1)通过固相反应法成功制备出2.5ZnO-(5-x)TiO_2-xZrO_2-2.5Nb_2O_5(0.2≤x≤0.4)(ZTZN)陶瓷。XRD衍射图谱表明,ZTZN陶瓷由Zn_(0.17)Nb_(0.33)Ti_(0.5)O_2和ZnTiNb_2O_8两相组成。其体积密度、ε_r值以及τ_f值都随烧结温度上升而增大,Q×f值则先增大后减小。当x=3,ZTZN陶瓷在1075℃下烧结4 h后表现出优异的微波介电性能:ε_r=44,Q×f=30,155 GHz,τ_f=0.89 ppm/℃。(2)通过固相反应法成功制备出Mg_3Al_2Si_3O_(12)多孔陶瓷。通过对XRD衍射图谱进行分析可知,Mg_3Al_2Si_3O_(12)陶瓷除了主相Mg_2Al_4Si_5O_(18)以外,还存在MgSiO_3和MgAl_2O_4相。Mg_3Al_2Si_3O_(12)陶瓷在具备多孔陶瓷材料结构特征的同时,还体现出了优异的微波介电性能:当烧结温度为1300℃时,?_r=4.2,Q×f=24,529 GHz,τ_f=-12.5 ppm/℃。(3)通过反应烧结法成功制备出微观结构致密的LiCa_3ZnV_3O_(12)(LCZV)和NaCa_2Mg_2V_3O_(12)(NCMV)V基石榴石陶瓷,并对两组材料的相组成、微观形貌、烧结特性以及微波介电性能进行了研究分析。反应烧结法制备的LCZV和NCMV陶瓷均具有较为致密的晶体结构。当烧结温度为875℃时,LCZV陶瓷的体积密度为3.30 g/cm~3,是理论密度的98.16%。同时其还表现出优异的性能:ε_r=6.9,Q×f=45,618GHz,τ_f=-39.6 ppm/℃;当烧结温度为825℃时,NCMV陶瓷表现出优异的性能:ε_r=7.1,Q×f=25,924 GHz,τ_f=5.8 ppm/℃。(4)通过反应烧结法成功制备出微观结构致密的0.7CaTiO_3-0.3NdAlO_3(简称CNTA70)陶瓷,并利用XRD、SEM、EDS等分析方法对CNTA70陶瓷的相组成、烧结特性及微观形貌进行了表征及分析。结果表明,反应烧结在简化工艺、降低成本的同时保留了其介电常数较高、介电损耗较低和热稳定性出色的特点。在1525℃下烧结4 h后,CNTA70陶瓷具有良好的微波介电性能:?_r=43.1,Q×f=31,144 GHz,τ_f=5.2 ppm/℃。(本文来源于《桂林理工大学》期刊2019-04-01）
低介电论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以甲醛、二元胺及对叔丁基苯酚为原料合成了一种新型低介电苯并恶嗪树脂(LBOZ)。采用红外光谱表征了其结构;通过示差扫描量热(DSC)及热失重(TG)研究了其固化反应行为及耐热性能;通过平板电容法测试了树脂的介电性能。结果表明,该树脂反应活化能(Ea)为95.1kJ/mol;玻璃化转变温度(Tg)为159℃,5%热失重温度为(Td5%)309.3℃,800℃残碳率为45.66%。固化物具有较低的介电常数和介质损耗,Dk:2.34,Df:0.0047;应用于覆铜板后,Dk低至3.4,Df低至0.0100。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低介电论文参考文献
[1].张伟,胡祖明,于俊荣,王彦,诸静.透明低介电耐高温PMIA/PSA复合薄膜制备与性能[J].工程塑料应用.2019
[2].刘锋,支肖琼,赵恩顺,唐安斌,黄杰.低介电苯并恶嗪树脂的合成及性能研究[J].四川化工.2019
[3].张玉荣.含叁氟甲基低介电常数高分子材料的制备及性能研究[D].吉林大学.2019
[4].操芳芳,马立云,曹欣,王魏巍,仲召进.SiO_2/B_2O_3质量比对低介电封接玻璃性能的影响[J].材料导报.2019
[5].刘耀.新型低介电环氧树脂固化剂的合成及性能研究[D].山东大学.2019
[6].李磊,袁舜齐,何志斌.低介电聚酰亚胺/分子筛复合薄膜的制备及性能研究[J].绝缘材料.2019
[7].王影杰.超低介电常数有机硅氧烷薄膜的制备及性能研究[D].北方工业大学.2019
[8].陆飞,刘晶,史铁钧,钱莹,何涛.低介电性双环戊二烯型苯并口恶嗪的合成及性能[J].高分子材料科学与工程.2019
[9].陆飞.苯并恶嗪型低介电材料的制备和性能[D].合肥工业大学.2019
[10].孙文东.中、低介电微波陶瓷的制备方法与微波介电性能研究[D].桂林理工大学.2019
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