静态六管单元论文_赵慧卓

导读:本文包含了静态六管单元论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:保护环,静态,单元,放大器,噪声,灵敏,器件。

静态六管单元论文文献综述

赵慧卓^[1]（2010）在《基于9管单元的高读稳定性低静态功耗存储器设计》一文中研究指出随着半导体技术的不断发展,工艺特征尺寸不断缩小,芯片逐渐进入纳米阶段,静态功耗在总功耗中的比例迅速增加。同时工作电压的降低,随机掺杂导致的阈值电压变化增大,给SRAM(static random access memory)的读写稳定性也带来了挑战。本文即针对130nm工艺下存储器的读稳定性和静态功耗问题进行了分析和设计。本文首先对静态低功耗技术和稳定性技术做了介绍,然后对9管存储单元的结构、原理和性能做了深入的研究,由理论分析及仿真对其尺寸进行了优化和确定。并通过与传统的6管单元在相关性能上的比较阐述了其在静态功耗和读稳定性上的优点,得到了9管单元的噪声容限比传统6管单元提高了1倍左右,静态功耗降低了20%左右的结论。接下来介绍了SRAM存储器的整体设计思路及其工作原理,确定了所需外围电路的种类并对SRAM存储器整体结构做了相应规划。本文以9管存储单元为核心设计了一个8k容量的SRAM。具体结构包括存储单元阵列;地址译码电路;灵敏放大电路;位线充电电路和行、列选择电路等。主要对译码电路,灵敏放大电路进行了结构及低功耗设计。同时针对9管存储单元特殊的读写时序控制要求设计了行选择器。本文设计的以9管存储单元为核心的8k SRAM的静态功耗,比以6管单元为核心的存储器的静态功耗降低了15%左右;工作频率为100MHz,读取时间约1.3ns。而对灵敏放大器、译码电路以及预充电路的低功耗设计也起到了降低总功耗的作用。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2010-06-01）

高保嘉^[2]（1984）在《六管单元高速低功耗4k静态CMOS-RAM的设计(摘要)》一文中研究指出为了获得低功耗性能,将时钟CMOS电路用于读放电路和位线负载电路。六管单元和特别的读出放大器,使器件能在2.5V下稳定工作。该电路的另一别点是和TTL及I~2L电路相容。采用了N阱CMOS工艺,理由是:(1)N阱CMOS工艺和NMOS工艺相容;(2)在CMOS存贮器中,大约70%左右的器件是NMOS器件,因此,N阱CMOS工艺能保持在高阻衬底上制备高性能NMOS电路的优点,更充分发挥NMOS的优势.和P阱比较,阱的面积也大大减小了.采用了3μm的设计规则.为了保持两种器件有效沟道长度的平衡,两种器件的设计沟道长度分别为3μm和3.5μm,存贮单元面积为43×51μm.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊1984年06期）

静态六管单元论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

为了获得低功耗性能,将时钟CMOS电路用于读放电路和位线负载电路。六管单元和特别的读出放大器,使器件能在2.5V下稳定工作。该电路的另一别点是和TTL及I~2L电路相容。采用了N阱CMOS工艺,理由是:(1)N阱CMOS工艺和NMOS工艺相容;(2)在CMOS存贮器中,大约70%左右的器件是NMOS器件,因此,N阱CMOS工艺能保持在高阻衬底上制备高性能NMOS电路的优点,更充分发挥NMOS的优势.和P阱比较,阱的面积也大大减小了.采用了3μm的设计规则.为了保持两种器件有效沟道长度的平衡,两种器件的设计沟道长度分别为3μm和3.5μm,存贮单元面积为43×51μm.

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。