导读:本文包含了介质薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:介质,薄膜,常数,氧化物,甲基丙烯酸,马来,薄膜晶体管。
介质薄膜论文文献综述
岳兰,董泽刚,孟繁新[1]（2019）在《无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管》一文中研究指出基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm~2·V~(-1)·s~(-1),电流开关比高于10~4),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)迭加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400～700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
苟成学,王顺花,尚伦霖,张广安,吴志国[2]（2019）在《类金刚石薄膜在腐蚀介质中的摩擦磨损行为研究》一文中研究指出目的在304不锈钢表面制备DLC薄膜,并探究其在1mol/LNa OH、3.5%NaCl、1mol/LH_2SO_4溶液中的摩擦磨损行为。方法通过非平衡磁控溅射设备(UPD650)制备DLC薄膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪,对DLC薄膜的微观结构及磨斑、磨痕进行表征。使用划痕仪和纳米压痕仪,分别测试DLC薄膜的结合力、硬度和弹性模量。使用接触角测量仪测试1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液和去离子水在304不锈钢和DLC薄膜表面的润湿角。采用CSM摩擦试验机研究304不锈钢和DLC薄膜的摩擦磨损行为。利用动电位极化评价304不锈钢和DLC薄膜的耐腐蚀性能。结果 304不锈钢表面制备的薄膜厚度约1.95μm,结合力为37 N左右,硬度和弹性模量分别约为14.7 GPa和191.1 GPa。DLC薄膜在1 mol/L NaOH溶液中的摩擦系数高达0.18,而在3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液和去离子水中的摩擦系数低至0.05左右。在1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H2SO4溶液中,DLC薄膜的磨损率比304不锈钢的小2、3个数量级。极化测试结果显示,DLC薄膜在不同介质中的腐蚀电流密度顺序为1 mol/L H_2SO_4<3.5%NaCl<1 mol/L NaOH。结论沉积的DLC薄膜具有良好的机械性能和耐腐蚀性能,能够很好地改善304不锈钢在1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液中的摩擦磨损性能。(本文来源于《表面技术》期刊2019年10期）
张洪文[3]（2019）在《阻燃型低介质损耗树脂薄膜(RCC)的开发》一文中研究指出本文介绍了一种阻燃型低介电常数、低介质损耗基板材料附树脂铜箔(RCC)、树脂薄膜等基板材料制法和制成样品的主要性能。(本文来源于《覆铜板资讯》期刊2019年05期）
裴智慧,秦国轩[4]（2019）在《栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究》一文中研究指出系统地对基于高介电常数材料HfO_2和传统的介质材料SiO_2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的薄膜晶体管的工作特性进行了研究.获得了不同沟道长度和沟道宽度,不同栅介质层厚度和不同温度条件下的薄膜晶体管的工作特性曲线.通过对比发现,薄膜晶体管的饱和电流与沟道长度和栅介质层厚度成反比,与沟道宽度成正比,与理论计算一致.随着温度的升高,薄膜晶体管的载流子迁移率和阐值电压都在逐渐减小,因而饱和电流值逐渐减小;在相同栅介质层尺寸和温度条件下,基于HfO_2的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更高的电流开关比,更低的阈值电压和更小的泄漏电流.因此,基于高介电常数栅介质材料的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更好的性能.(本文来源于《南京大学学报(自然科学)》期刊2019年05期）
李慧津,董俊辰,郁文,韩德栋,张盛东[5]（2019）在《低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管》一文中研究指出在低温下制备了叁氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200℃真空退火处理,双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性,器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec,电流开关比为1.9×10~8。低温下制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子。(本文来源于《光电子技术》期刊2019年03期）
韩韬,么军,葛荣刚,姜宁,鲁文[6]（2019）在《面向智能配电网可信量测装置高储能密度的电力电容器介质Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7(BZN)薄膜材料制备》一文中研究指出随着配电网向着可靠性、稳定性、安全性和交互性方向的发展,其对电力电容器的储能性能提出了更高的要求。为制备高储能密度的电力电容器用介质材料,利用磁控溅射技术在Pt-Si基底上制备Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7(BZN)薄膜,通过在氧气氛中进行后退火处理,有效地提高了BZN薄膜的结晶性能,并对不同退火条件下BZN薄膜的介电常数、介质损耗因数、漏电流密度、击穿场强和储能密度进行测试分析,表明:氧气氛退火处理能提高BZN薄膜的电学性能,当在10 000 Pa以上的氧气压下退火后,BZN薄膜的储能密度达到9.0 J/cm~3左右,提高到未经过退火BZN薄膜的4.5倍。(本文来源于《电力电容器与无功补偿》期刊2019年03期）
郭春付,张传维,李伟奇,李晓平,刘世元[7]（2019）在《PET复合衬底上梯度介质薄膜厚度的椭偏表征》一文中研究指出为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚,采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法,通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO_2梯度折射率材料薄膜厚度的检测。结果表明,采用该方法测量的PET复合衬底上TiO_2梯度折射率薄膜厚度为212.48nm,扫描电子显微镜的测量结果为211nm,结果非常准确。以TiO_2为例验证了等效衬底方法,该方法也同样适用于其它介质膜。等效衬底法可实现PET复合衬底上的TiO_2薄膜厚度的高精度测量表征,对镀膜工艺过程监控具有重要意义。(本文来源于《激光技术》期刊2019年04期）
罗劲松[8]（2019）在《新型氟化物掺杂ZnO透明导电薄膜与Al_2O_3透明介质薄膜的研究》一文中研究指出随着光电子产业的日益发展,透明导电氧化物(TCO)薄膜作为透明电极材料在电致发光器件、太阳能电池、透明薄膜晶体管以及平板显示中广泛的应用,已经成为当前研究的热点。氧化铟锡(ITO)作为商业最为普遍使用的透明导电薄膜,尽管其具有高导电性和高透射率的光学性能,但是其昂贵的原材料和地球上较少的资源限制了其未来的应用。同时,光电子技术的不断发展对柔性显示中的透明电极的性能提出了更高的要求。上述情况引起了人们对ITO替代物研究的关注和重视。作为一种宽带隙半导体金属氧化物,ZnO薄膜由于原材料廉价和储量丰富,无毒害,易于弯折可用于柔性衬底,并且具有通过掺杂实现高透射率和低电阻的特性,是一种很有前途的TCO薄膜材料。单元素掺杂或合金化可以有效地提高TCO薄膜的导电性,但这也会导致晶格畸变,从而降低TCO薄膜的晶体颗粒结晶性能。为解决这个问题,可考虑采用两种互补离子共掺,以抑制单一取代所产生的晶格畸变效应。二元共掺杂可以补偿原离子和取代离子之间的离子半径差异,提高ZnO透明导电薄膜的电子迁移率。有机薄膜晶体管(OTFTs)因其在数字电路、射频识别标签和平板显示器驱动电路等领域的广泛应用而备受关注,而透明有机薄膜晶体管在透明电子设备和平视显示器等应用方面更加具有额外的优势。透明有机薄膜晶体管一般使用有机料作为介电层和有源层,但有机介电材料介电性能较差。氧化铝薄膜是一种潜在的高k值栅介电层材料,同时还具有防磨损和抗腐蚀的特性,因而在光学、微电子学、电子学、光通信和催化等领域有着重要的应用。因此可以考虑使用氧化铝薄膜作为透明有机薄膜晶体管栅绝缘层以增强介电材料的介电性。传统的氧化铝薄膜制备工艺方法,不仅制备工艺复杂,而且设备昂贵,如磁控溅射和原子层沉积方法等,而铝薄膜热氧化方法,对设备和工艺要求简单,并且铝薄膜的制备工艺已经非常成熟,因此经过热氧化处理铝薄膜得到透明氧化铝介质薄膜是一个很有意义的方法,也具备良好的应用前景。为了能制备出有效、厚度可控且光滑致密的热氧化铝薄膜,首要的工作是需要对纳米晶铝薄膜的氧化动力学及其规律开展研究,确定氧化铝薄膜特性与热氧化温度、保温时间和升温速率间的关系,获得制备Al_2O_3透明介质薄膜的最佳工艺条件。本论文做了两个方面的工作,一是通过EuF_3和HoF_3分别对ZnO做了二元掺杂的研究,另一个是通过铝薄膜热氧化方法制备氧化铝薄膜,并研究了纳米晶铝超薄薄膜的氧化动力学。取得的主要研究成果如下:1.通过离子源辅助电子束蒸发方法制备了一种新N型Eu和F共掺杂ZnO透明导电薄膜。研究了Eu和F不同掺杂原子浓度对EFZO薄膜光电特性的影响,实现了大半径的Eu~(3+)和小半径F~-分别对Zn~(2+)和O~(2-)的替位取代,降低了晶格畸变,同时,F~-在填补氧空位缺陷方面也起着重要作用。优化的EFZO薄膜具有平均可见光透射率为82.9%,电阻率为5.7×10~(-4)Ω?cm,对应的载流子密度为1.86×10~200 cm~(-3),迁移率为58.8 cm~2/V?s。此外,还对EFZO作为透明电极在OLED和QLED中的实际性能进行了评价。EFZO作为阳极的OLED中,具有最大EQE为20.9%,与ITO作为阳极器件的目前技术水平的结果相当。EFZO作为阴极的倒置结构QLED中,得到了最大电流效率为21.6 cd/A,最大亮度为128000 cd/m~2。在OLED和QLED中良好的电致发光(EL)性能,表明EFZO电极具有高效的空穴和电子注入能力,是低成本和高性能TCO薄膜的理想选择。2.使用离子源辅助电子束蒸发法制备了一种新N型HoF_3掺杂ZnO透明导电薄膜,结果表明,Ho对Zn和F对O两种形式的取代可以同时导致电子浓度的增加,改善了迁移率。Ho:Zn=3.5 at%掺杂薄膜,具有方块电阻约为65Ω/sq,电阻率达到9.37×10~(-4)Ω?cm,霍尔迁移率和载流子浓度分别约为47.89 cm~2/Vs和1.39×10~200 cm~(-3)。薄膜的功函数值约为5.069 eV,在可见光区域的平均透过率大于85%。对HoF_3掺杂的ZnO薄膜分别在空气和真空中退火处理,加热温度从100℃到500℃。分析了退火温度对HoF_3:ZnO薄膜的导电和光学性能的影响,真空和空气中的热退火表明,HoF_3掺杂的ZnO薄膜具有良好的热稳定性。为了评价HoF_3掺杂ZnO薄膜的实际应用价值,用HoF_3掺杂ZnO薄膜为阳极,制备了全无机钙钛矿发光器件(PeLEDs),获得了5.44%的最大的外部量子效率(EQE)值,此时的亮度为34680 cd/m~2。HoF_3掺杂ZnO是一种有前途的阳极,有利于载流子注入,在显示器件中有潜在的应用价值。3.对超薄纳米晶铝薄膜的氧化动力学进行了研究。观察了热氧化过程中,结构和成分变化的影响。探讨了氧化激活能随氧化温度升高而变化的原因。铝氧化的激活能,热处理温度在400-500℃下,为8.33±0.718 kJ/mol,热处理温度在500-600℃下,为-7.14±0.67 kJ/mol。研究发现,空气中400-600℃下纳米晶铝薄膜的氧化动力学遵循对数规律,该对数氧化速率规律与晶界和缺陷扩散有关。对于低温氧化,铝薄膜的氧化激活能是正的和较低的,但在较高的温度下,激活能明显变为负值。在较高温度范围内,氧化激活能变负实际上是一种表观现象,它本质上源自γ-Al_2O_3晶相形成导致的扩散路径的减少。4.通过真空热蒸发方法制备铝薄膜,然后在空气中对铝薄膜进行不同温度退火处理,制备氧化铝透明薄膜。采用AFM、XRD、SEM、EDS等方法研究了不同退火温度对薄膜的形貌和结构的影响。结果表明,薄膜的表面粗糙度、厚度、晶体界面性质和掺杂剂等都会影响氧化过程。铝薄膜的光学和结构特性表明,存在一个临界温度500℃,超过这个温度形成γ-Al_2O_3透明薄膜。研究了薄膜在500℃下不同时间保温退火处理,发现经过9小时保温退火处理,薄膜透射率在90%以上,表明铝薄膜热氧化可以实现高透射率。本研究结果表明,通过铝薄膜热氧化方法可制备光透过率高、厚度可控且光滑致密的透明氧化铝薄膜。此外,因其具有较低的表面粗糙度,说明该方法制备的氧化铝薄膜具有用作场效应晶体管栅绝缘层的潜力。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
刘律宏[9]（2019）在《高k栅介质超薄纳米薄膜原位纳米压痕力学性能表征》一文中研究指出随着微电子技术向深纳米尺度迈进,场效应晶体管器件的特征尺寸—栅极长度在不断缩小,栅极氧化物介质层的厚度也相应减小,由此带来了栅极漏电流急剧增大以及氧化层介质击穿的问题,成为半导体器件尺寸进一步缩小的技术瓶颈。为了突破这一难题,研究人员正在研究高k栅介质材料。HfO_2和Al_2O_3等高k栅介质材料具有更高的介电常数以及优异的电学性质,可以增加晶体管驱动电流和晶体管开关速度。在金属氧化物晶体管器件向更小尺寸迈进的技术节点,预计HfO_2和Al_2O_3等高k材料将替代SiO_2、SiO_xN_y和Si_3N_4等传统材料成为更合适在半导体行业应用和发展的栅极氧化物介质。目前大多数报导研究了高k栅介质纳米薄膜的电学、光学等物理性能,但是针对其力学性能特别是在50 nm尺度以下的超薄薄膜的力学性能研究较为缺乏。在场效应晶体管如此高精度的纳米器件中,栅介质薄膜在工作时受到外界的作用力可能造成各类信号的传输畸变,促使薄膜产生一定程度的变形以及破裂,进一步影响器件的其他物理性能,因此准确表征薄膜的力学性能十分必要,其结果对高k栅介质材料的使用有着非常重大的指导性意义。本文利用纳米压痕技术方法分别对原子层沉积技术(ALD)制备的Al_2O_3以及HfO_2两种超薄薄膜进行高精度力学测试,结合薄膜的表面形貌和微观结构,以弹性模量为主要研究对象对其力学性能进行了表征与分析。其主要研究内容和成果如下:1.使用原子层沉积技术(ALD)在硅基底上制备出厚度为20~60 nm的五组Al_2O_3薄膜,利用叁维光学显微镜和透射电子显微镜分别对其进行了表面粗糙度和微观形貌的分析;采用自主研发的扫描电子显微镜/扫描探针显微镜(SEM/SPM)联合测试系统对样品薄膜进行了原位纳米压痕实验,基于Hertz弹性接触理论对其弹性模量进行分析,利用J.Hay模型消除基底对测量结果的影响,并对模型中由于压头不同形状产生的误差进行了修正,最终计算出薄膜的实际弹性模量值。实验结果表明:ALD制备的Al_2O_3薄膜为非晶态,表面粗糙度不随厚度的增大而增大。薄膜弹性模量值没有表现出明显的小尺寸效应,去基底效应后得到的弹性模量值为175±10 GPa。观察同一压入比(压入深度h∕膜厚t=0.75)条件下去除基底效应前后的测量结果,整体趋势为薄膜厚度越小基底效应越明显。2.使用原子层沉积技术分别在200℃、250℃、300℃温度环境下在硅基底上沉积厚度为20 nm的HfO_2薄膜,在布鲁克公司的3D光学显微镜下观察叁组样品的表面形貌,使用Titan G2球差矫正分析透射电子显微镜mapping模式观察HfO_2镀层的元素分布。最后利用AFM的Peakforce模式以及SEM/SPM联合测试系统两种设备分别对叁组样品薄膜进行压痕测试,利用赫兹接触理论以及改进的去基底效应模型求得其弹性模量值,并进行对比分析。实验结果表明:实验发现叁组不同沉积温度下生长的HfO_2薄膜弹性模量值没有明显的递增递减趋势,两种实验方法得出的数值结果都较为稳定,结合微观组织形貌观察发现本实验在300℃沉积温度以下范围内生长的HfO_2物质均为非晶态,样品表面粗糙度无明显变化趋势。Bruker AFM和SEM/SPM联合测试系统求得的弹性模量值分别为152±14、203±12 GPa,且后者去基底效应处理后的计算结果增大更为明显,更接近已有研究结果的参考值。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-06-01）
王翔宇[10]（2019）在《以驻极体为栅介质的柔性低压IGZO薄膜晶体管的研究》一文中研究指出基于氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)由于其良好的电学特性和易于制备的优势而获得了研究人员的极大关注,例如此类器件通常具有较高的迁移率(>10 cm2V-1s-1),高透明特性,可低温制造,生产成本低廉,以及能够进行大面积工业生产等优势。特别需要注意的是制备在诸如纸张、聚合物塑料、金属箔等柔性衬底上的氧化物薄膜晶体管,由于具备被用在柔性电子器件上的可能性而受到极大的关注。然而,无论是传统器件还是柔性器件,都面临着大电压运作和高功耗的问题,特别是对于柔性器件而言,获得稳定的机械性能也是实现其柔性应用的关键所在。在本论文中,我们的主要工作是制备一种低压薄膜晶体管并且探索其柔性功能的实现。非晶铟镓锌氧(a-IGZO)半导体具有许多优点,如高场效应迁移率,良好的稳定性,兼容当前的制造工艺和对结构变形的不敏感特性等,因而被选作为器件的沟道材料。ITO导电玻璃和镀有Ag的纸张被选作为衬底,用以制备普通器件和柔性器件。此外,我们创新性地使用聚合物驻极体作为栅介质,主要考虑到该类材料通常具有良好的柔韧性和静电极化效应,利用极化效应可以在低栅极电压条件下在半导体沟道层中诱导出高密度载流子以实现器件的低压运作。首先,我们在普通ITO玻璃上利用聚乙烯醇(PVA),一种聚合物驻极体作为栅介质制备a-IGZO TFT,以探究使用此类驻极体材料制备低压器件的可能性和相关实验路线。实验表明以PVA为栅介质的IGZO薄膜晶体管具有良好的低电压工作特性,场效应迁移率高达43 cm2V-1s-1,阈值电压为1.03 V,亚阈值摆幅为132 mV/decade,以及较大的开关比1.03×106。这证明以PVA为代表的聚合物驻极体可被用作栅介质以制作低压TFT。接下来,我们在纸张衬底上利用氧化石墨烯(GO)增强的PVA驻极体薄膜作为栅介质制备了柔性低压a-IGZO TFT。柔性器件表征出良好的性能,具有更高开关比(～1.8×107),更低的亚阈值摆幅(106 mV/decade)和阈值电压(0.79 V),场效应迁移率也高达42 cm2V-1s-1。另外,由于氧化石墨烯的机械性能增强效果,这些柔性TFT在经历了不同程度和时间的弯曲操作后依然表现出良好的器件性能。最后,我们也探索了柔性器件的反相器及其动态响应特性。我们的研究和结果表明,聚合物驻极体和其复合材料具有制备低压氧化物TFT的巨大潜力,并且能够很好地实现柔性特性。我们的研究对于下一代低成本纸张电子器件的发展具有重要意义。(本文来源于《南京大学》期刊2019-05-29）
介质薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的在304不锈钢表面制备DLC薄膜,并探究其在1mol/LNa OH、3.5%NaCl、1mol/LH_2SO_4溶液中的摩擦磨损行为。方法通过非平衡磁控溅射设备(UPD650)制备DLC薄膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪,对DLC薄膜的微观结构及磨斑、磨痕进行表征。使用划痕仪和纳米压痕仪,分别测试DLC薄膜的结合力、硬度和弹性模量。使用接触角测量仪测试1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液和去离子水在304不锈钢和DLC薄膜表面的润湿角。采用CSM摩擦试验机研究304不锈钢和DLC薄膜的摩擦磨损行为。利用动电位极化评价304不锈钢和DLC薄膜的耐腐蚀性能。结果 304不锈钢表面制备的薄膜厚度约1.95μm,结合力为37 N左右,硬度和弹性模量分别约为14.7 GPa和191.1 GPa。DLC薄膜在1 mol/L NaOH溶液中的摩擦系数高达0.18,而在3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液和去离子水中的摩擦系数低至0.05左右。在1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H2SO4溶液中,DLC薄膜的磨损率比304不锈钢的小2、3个数量级。极化测试结果显示,DLC薄膜在不同介质中的腐蚀电流密度顺序为1 mol/L H_2SO_4<3.5%NaCl<1 mol/L NaOH。结论沉积的DLC薄膜具有良好的机械性能和耐腐蚀性能,能够很好地改善304不锈钢在1 mol/L NaOH、3.5%NaCl、1 mol/L H_2SO_4溶液中的摩擦磨损性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
介质薄膜论文参考文献
[1].岳兰,董泽刚,孟繁新.无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管[J].半导体技术.2019
[2].苟成学,王顺花,尚伦霖,张广安,吴志国.类金刚石薄膜在腐蚀介质中的摩擦磨损行为研究[J].表面技术.2019
[3].张洪文.阻燃型低介质损耗树脂薄膜(RCC)的开发[J].覆铜板资讯.2019
[4].裴智慧,秦国轩.栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究[J].南京大学学报(自然科学).2019
[5].李慧津,董俊辰,郁文,韩德栋,张盛东.低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管[J].光电子技术.2019
[6].韩韬,么军,葛荣刚,姜宁,鲁文.面向智能配电网可信量测装置高储能密度的电力电容器介质Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7(BZN)薄膜材料制备[J].电力电容器与无功补偿.2019
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[8].罗劲松.新型氟化物掺杂ZnO透明导电薄膜与Al_2O_3透明介质薄膜的研究[D].吉林大学.2019
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[10].王翔宇.以驻极体为栅介质的柔性低压IGZO薄膜晶体管的研究[D].南京大学.2019
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