导读:本文包含了电平位移论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:位移,电平,高压,偏振,电路,栅极,工艺。
电平位移论文文献综述
张春奇,胡黎,潘溯,冯旭东,张宣[1]（2019）在《一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路》一文中研究指出介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1.15 ns,可承受GaN高压半桥栅驱动开关节点SW处电压浮动50 V/ns。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年06期）
陈智昕[2]（2018）在《一种低功耗的电平位移电路》一文中研究指出提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路。该电路使用了耐压5V的CMOS器件。通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路。电路仿真结果显示,与常规的电平位移电路相比,改进的电路具有功耗低、输出电平稳定可靠等特点。(本文来源于《电子产品世界》期刊2018年10期）
张碧仑[3]（2014）在《无线光通信中四电平偏振位移键控调制的研究》一文中研究指出随着科技的发展,人们对信息的需求正在不断增大,尤其是近几年,为了满足高速网络的发展使人们对通信的传输容量的要求,光通信成为了研究热点。其中无线光通信(FSO:Free Space Optical Communication)有着独特的优势:与传统的无线通信相比,FSO技术的载波频率高,频带宽,并不占用微波频率资源,保密性较强,同时其发散角较小,使用的器件具有轻便、灵活、低功耗的特点。FSO技术的建网和维护价格低,组网速度快,有可移动性。FSO技术综合了光纤通信和微波通信的优点,是具有较大带宽的视距通信模式,在最后一公里通信、移动基站和交换机等很多领域都有着广泛应用。本论文主要研究了以Pol SK(Polarization Shift Keying偏振位移键控)技术为基础的多进制调制方式——4Pol SK,分析了该调制方式对比于其他调制方式的优点,给出了其传输系统的结构,并通过计算和仿真,找到了具有最佳性能的调制偏振态,分析了4Pol SK传输中存在的偏振轴对准问题。我们首先建立了接收端的接收模型,并以此为基础完成了仿真平台的搭建,通过数据的分析,我们找到了在接收端能够得到相等间隔四电平电信号的四个偏振状态及噪声的影响,给出了发射端的误码率分析,同时将其性能与相同状态下的4ASK(四进制振幅键控)进行对比。仿真结果显示,相同条件下采用双路差分接收装置的4Pol SK比单路接收的4ASK具有更低的误判决几率,并且4Pol SK系统的性能要远好于4ASK系统。我们也研究了椭圆偏振态在传输中的偏振轴对准问题,通过理论推导和仿真可以发现,当4Pol SK系统中使用一对四分之一波片对发射和接收光信号进行调整时,系统并不受偏振轴旋转的影响,仍然可以接收到正确的信号,如果系统不使用四分之一波片,则系统接收到的信号随着偏振轴旋转角度的增加按照原有的功率分配比例产生程度逐渐增大的衰减,从而影响信号的正确判决。该结论证明四分之一波片可以起到保证偏振轴对准的作用,可以很大程度上增加系统在不同安装环境下的适应性。综上所述,在FSO中,4Pol SK是一种有着较高传输速率,较低误码率并且具有偏振轴旋转适应性的调制方案,在高速通信领域有着广阔的应用前景。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2014-12-01）
陈正才,周淼,洪根深,高向东,苏郁秋[4]（2013）在《用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS》一文中研究指出文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。(本文来源于《电子与封装》期刊2013年06期）
庞振洋,王曾,甄少伟,罗萍[5]（2012）在《一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路》一文中研究指出提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的叁极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。(本文来源于《微电子学》期刊2012年01期）
吴琼乐,管超,陈吕赟,柏文斌,王泽华[6]（2011）在《基于中低压器件实现的高压负电平位移电路》一文中研究指出提出了一种新型高压负电平位移电路。该电路只采用中低压PMOS来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度。分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理。采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行。(本文来源于《微电子学》期刊2011年05期）
傅达平,王猛,胡曦,庄翔,赵远远[7]（2011）在《应用于负电源的电平位移电路及器件设计》一文中研究指出本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2011年07期）
向莉,方健,黎育煌[8]（2011）在《带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路》一文中研究指出提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。(本文来源于《微电子学》期刊2011年02期）
潘学文,周继承,郑旭强[9]（2010）在《一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放》一文中研究指出为解决阈值电压对电源电压和输入信号的受限问题,提出一种实用的电平位移电路,为运放的输入级提供良好的电平位移。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)0.5μm工艺设计的低电压全摆幅CMOS运算放大器,中间级采用适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构,输出级采用传统的Class A类得到轨至轨的输出。采用Hspice软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:当电源电压降至或者小于NMOS与PMOS的阈值电压之和时,在任何共模输入电压下,该运放都能正常工作,实现输入级的全摆幅和恒跨导;在1.3 V单电源供电情形下直流开环增益达106.5 dB,单位增益带宽为2.3 MHz,功耗178.8μW。电路结构简单紧凑,具有实用的电平位移功能,适合于低电压应用。(本文来源于《中南大学学报(自然科学版)》期刊2010年04期）
乔明,方健,李肇基,张波[10]（2006）在《基于耦合式电平位移结构的高压集成电路》一文中研究指出设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V叁相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.(本文来源于《半导体学报》期刊2006年11期）
电平位移论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路。该电路使用了耐压5V的CMOS器件。通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路。电路仿真结果显示,与常规的电平位移电路相比,改进的电路具有功耗低、输出电平稳定可靠等特点。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电平位移论文参考文献
[1].张春奇,胡黎,潘溯,冯旭东,张宣.一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路[J].电子与封装.2019
[2].陈智昕.一种低功耗的电平位移电路[J].电子产品世界.2018
[3].张碧仑.无线光通信中四电平偏振位移键控调制的研究[D].哈尔滨工业大学.2014
[4].陈正才,周淼,洪根深,高向东,苏郁秋.用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS[J].电子与封装.2013
[5].庞振洋,王曾,甄少伟,罗萍.一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路[J].微电子学.2012
[6].吴琼乐,管超,陈吕赟,柏文斌,王泽华.基于中低压器件实现的高压负电平位移电路[J].微电子学.2011
[7].傅达平,王猛,胡曦,庄翔,赵远远.应用于负电源的电平位移电路及器件设计[J].电子元器件应用.2011
[8].向莉,方健,黎育煌.带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路[J].微电子学.2011
[9].潘学文,周继承,郑旭强.一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放[J].中南大学学报(自然科学版).2010
[10].乔明,方健,李肇基,张波.基于耦合式电平位移结构的高压集成电路[J].半导体学报.2006
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