C/N自掺杂提高g-C3N4光响应的理论研究

论文摘要

依托半导体的光催化性能对环境中的污染物进行降解是解决环境污染的一种有效途径.类石墨烯相C3N4（g-C3N4）具有稳定的化学性能和独特的电子结构,在光催化领域展现出巨大的应用潜力.采用第一性原理,本文对不同比例的C/N自掺杂g-C3N4的晶体结构和电子结构进行了探究.通过不同掺杂位形成能的比较,探究了单原子替位掺杂和多原子表面转移掺杂的最优化结构.通过电子结构的比较发现:C原子自掺杂较N原子自掺杂形成能更低,易于在实验中实现;随N掺杂比例的增加, g-C3N4的吸收光谱向红外移动; C掺杂比例为1/12时对可见光的响应最强.该理论结果除获得掺杂的微观机理解释,亦利于对后续实验的合成提供理论依据和指导.

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李宗宝,王霞,石维

关键词: 自掺杂,电子结构,形成能

来源: 四川大学学报(自然科学版) 2019年04期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 铜仁学院材料与化学工程学院

基金: 贵州省自然科学基金(黔科合基础[2016]1150,黔科合平台人才[2017]5604,化学工程与技术贵州省重点学科,黔学位合字ZDXK[2017]8号,黔教合人才团队字[2015]67号)

分类号: O643.36;O644.1

页码: 735-742

总页数: 8

文件大小: 3827K

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