导读:本文包含了器件选择论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:空穴,器件,波长,表面,金属,波导,角动量。
器件选择论文文献综述
施尚英,黄世瑜[1]（2019）在《基于可编程逻辑器件的多路选择器的设计与实现》一文中研究指出现代电子产品在我们的生活中应用越来越广泛,新产品周期越来越短,对于与设计适合的电子产品提出更高的要求,在这一环境下电子设计自动化诞生并发展起来,本文以选择器为例,介绍传统的电子设计与EDA的区别,介绍EDA的设计流程。(本文来源于《计算机产品与流通》期刊2019年09期）
高明[2]（2019）在《量子选择型硅基异质结光伏器件的制备和输运特性的研究》一文中研究指出量子选择型硅基异质结光伏器件一般由晶硅、钝化隧穿层、载流子选择层组成,具有负温度系数低、寄生吸收少、理论转换效率高等优点,已引起光伏研究者的广泛关注。本文根据半导体器件物理、硅太阳能电池基本原理及技术,对ITO/SiO_x(In)/n-Si、MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si和MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si叁种光伏器件的可控制备、能带匹配和量子输运机制等展开研究,重点探究了新型多功能材料的引入对改善界面钝化效果、增强空穴隧穿几率、提高器件光伏性能的作用。同时,对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si结构光伏器件进行了性能失效机理分析,揭示了“S”型输出曲线的形成原因。本论文主要研究成果如下:(1)采用射频磁控溅射方法在n-Si衬底表面直接沉积ITO薄膜,制备了ITO/SiO_x(In)/n-Si异质结光伏器件,该简单结构器件的光电转换效率达12.2%,开路电压540 mV,短路电流30.5 mA/cm~2,填充因子74.2%。通过对ITO薄膜光电特性、器件光伏特性及界面区微结构表征分析,并结合非晶SiO_x(In)材料第一性原理计算结果,发现:器件内建电势本质上来源于ITO薄膜和n-Si衬底之间的功函数差,较大的功函数差诱导出n-Si表面上亚微米区p型反型层,可形成类p-n结的等效内建电场;ITO/n-Si界面区自然形成了含有In元素的超薄非晶SiO_x层(1.2-1.7 nm),不仅可以有效钝化n-Si表面;而且光生空穴经由直接隧穿和缺陷辅助隧穿机制输运通过SiO_x(In)层;In的掺杂在a-SiO_2禁带中引入一条新能级GSII,降低了势垒高度,有助于量子输运;In的掺杂还引入了一条浅受主能级,有利于与n-Si形成空穴选择性接触。这些结果有助于加深对ITO/SiO_x(In)/n-Si异质结光伏器件基本原理的理解,并为改善该类器件的性能提供了理论与实验依据。(2)为了实现空穴、电子选择性钝化接触,我们成功制备了MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si/SiO_x/poly-Si(n~+)异质结光伏器件。该器件的最高光电转换效率达16.7%,开路电压600 mV,短路电流38.2 mA/cm~2,填充因子72.9%。利用微结构表征技术及第一性原理计算方法,研究了SiO_x(Mo)夹层对该器件内建电场及量子输运的影响。结果表明:在n-Si无预先氧化的情况下,MoO_x/n-Si界面区自然形成了非晶SiO_x(Mo)叁元杂化层(3.5-4.0 nm);MoO_x薄膜与n-Si衬底之间的高功函数差诱导n-Si表面形成p型反型层,产生内建电场;SiO_x(Mo)界面层中的Mo掺杂在带隙中引入两条半满能级和叁条未占据能级,分别起到空穴的缺陷辅助隧穿和直接隧穿的作用;隧穿-复合模型可以很好的描述器件中光生空穴的输运过程;该器件具有良好的稳定性,且工艺流程简单,预示着MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si异质结光伏器件具有潜在的应用价值。(3)基于MoO_x薄膜功函数测量、MoO_x/a-Si:H(i)界面化学成分表征和AFORS-HET软件模拟,对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si异质结光伏器件性能进行了失效分析。结果表明:在MoO_x薄膜沉积过程中,MoO_x/a-Si:H(i)界面区自然形成的SiO_x夹层阻碍了载流子的传输;随着MoO_x薄膜沉积速率的增加,一方面MoO_x薄膜功函数的降低导致其空穴提取能力变弱;另一方面SiO_x层中O/Si比率提高,价带偏移量(ΔE_v)增大,进而导致a-Si:H(i)/n-Si界面势垒阻碍空穴通过热发射机制进行输运;同时,SiO_x层变厚(>4 nm),导致空穴的隧穿几率降低。我们对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si器件“S”型J-V曲线的研究结论,为进一步优化该器件性能提供了新思路。(本文来源于《上海大学》期刊2019-04-01）
彭兴文,赵瓛,万喜新,卢丹丹,邓学文[3]（2018）在《电子器件铝材质外壳激光焊接工艺技术和设备选择原则》一文中研究指出电子器件铝质外壳气密性封装采用激光焊接存在四方面难点。根据铝材质外壳的特性及铝材质激光焊接机理,结合国军标相关要求,提出了如何选择激光器和激光功率的方法,进行焊缝熔深优化、防止焊缝的金相组织变差的措施。对激光焊接设备选择的主要原则提出了建议。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2018年06期）
Kavita,Aluri[4]（2018）在《非易失性FPGA器件——小型蜂窝数字前端低功耗设计的最佳选择》一文中研究指出在移动接入网络中,使用小型蜂窝覆盖室内的场景日益增加;随着5G的发展和物联网的到来,这种趋势在未来的一段时间内肯定会持续下去。FPGA通常用于小型蜂窝设计的数字前端(DFE),设计人员可以从多种低功耗FPGA选项中作出选择,其中非易失性技术构建的可编程器件带有独特属性,能够提供最高水平的能源效率。IHS Markit预计2018年全球小型蜂窝市场总量将增长18%,达到21亿美元,其中大部分部署于(本文来源于《中国集成电路》期刊2018年09期）
王禹翔[5]（2018）在《基于频率选择表面的轨道角动量激发器件研究》一文中研究指出轨道角动量(OAM)近年来成为了微波波段及射频段的研究热点之一。携带轨道角动量时,电磁波具有螺旋的相位波前,通常可以将这种波束称作涡旋波束。与电磁波的自旋角动量(SAM)相比,SAM仅与电磁波的极化相关,所以仅具有叁种状态数。而OAM模式是电磁场强度与相位空间分布的结果,根据螺旋相位的梯度不同可以具有无穷多个模式数(拓扑电荷数)。由于不同模式之间的正交性,使得各路传递的信息之间互不影响。理论上,利用这种方式可以在同一工作频率下构造无穷多的涡旋波束,从而极大程度上提升了信道的容量。OAM模式的高效激发是其在微波波段应用的基础。传统的OAM激发器件工作存在无法克服的厚度极限,而在较低频率下,由于波长较长的关系将导致元件尺寸过于巨大,不利于大规模使用。针对这一问题,本文基于频率选择表面(FSS)展开了X波段轨道角动量模式激发器件的研究。首先,本文针对微波段上携带特定轨道角动量模式数的涡旋波束透镜的设计手段进行了分析,并提出利用FSS单元设计涡旋透镜的方法。从工作机理和基本分析方法着手,以无限长的条型带栅为例对FSS的滤波特性进行了深入剖析。同时,从栅瓣角度和入射角的稳定性分析了小型化的必要性。其次,详细的分析了耦合型MEFSS的等效电路设计方法。通过二阶单元分析其性能影响因素。与传统的FSS相比,本文所提出的单元结构具有亚波长尺寸,并且单元本身已经实现小型化,对于入射角有很好的稳定性。设计了四阶带通响应的MEFSS单元,通带包含X波段且在此范围内的透射系数高于0.9,并以此进行涡旋透镜的设计。将透镜阵列划分成8个区域,通过金属参数的调整使相邻区域的单元在10.6 GHz处具有45°等相位梯度的传输相移,实现了模式数l=1的线极化涡旋波束激发透镜。最后,通过MEFSS单元结构引入P-B相位,对出射波中交叉极化分量的相位进行控制。根据不同类型的单元分别实现了拓扑电荷数为1和2的两个轨道角动量模式激发。进一步,根据广义斯涅尔定律,对基于l=2的透镜阵列实现了30°的涡旋波束偏转。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01）
张昊晟,刘元玉,张伟男[6]（2017）在《大型轴承套圈清洗机PLC电气设计中的器件选择》一文中研究指出根据大型轴承套圈清洗机的工作原理,详细分析了调整状态和自动控制状态下机器的动作过程并统计了输入和输出点数,选择PLC控制元件,编制了电气元件一览表,圆满地完成了轴承清洗机的电气设计,满足了产品质量和生产进度的要求。(本文来源于《哈尔滨轴承》期刊2017年04期）
于庆奎,李铮,罗磊,孙毅,梅博[7]（2017）在《GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究》一文中研究指出针对位移损伤等效试验质子能量选择问题,对比分析了GaAs器件性能退化随入射质子能量的变化规律,结合利用Geant4计算的质子在材料中的非电离能损(NIEL)分析,得出质子能量在50 MeV以上范围,位移损伤等效试验原理对GaAs器件不适用,分析讨论了GaAs器件位移损伤等效试验质子能量如何选择。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）》期刊2017-10-16）
余跃[8]（2017）在《亚波长金属光栅表面等离子波波长选择器件的研究》一文中研究指出表面等离子波亚波长光学器件能够将入射光激发出的表面等离子波局限在金属表面纳米尺度的区域内,从而打破了经典几何光学中衍射极限对光学器件的限制,实现了纳米光子学器件向亚波长甚至更小的尺度的跨越。通过合理设计亚波长尺度表面等离子波光学器件,能够在纳米尺度上对光波实现相位调制,波长选择等功能。亚波长金属光栅结构被广泛应用于纳米尺度的波长选择器件、表面等离子波能量耦合器、偏振选择性器件、纳米金属-介质-金属(MIM)波导滤波器等纳米光子器件中。本论文对亚波长金属光栅表面等离子波波长选择器件进行了研究,主要工作包括:1、提出了亚波长金属光栅波长分离器,利用周期性波导理论推导了亚波长金属光栅的本证方程,推导出等离子波的传输禁带。利用左右周期、占空比均不同的亚波长金属光栅,实现了532nm和650nm的波长分离。通过时域有限差分方法优化了器件参数,利用电子束曝、离子束刻蚀等纳米加工技术制备器件,并测试了器件的分波特性。2、提出阶梯型亚波长金属光栅MIM皱阶波导分波器,利用阶梯型亚波长金属光栅实现了表面等离子波的波长选择和大口径耦合,利用等相位原理,推导表面等离子波透过阶梯光栅的偏转角度,并利用表面等离子波在MIM皱阶波导中的传输禁带,实现了650nm和832nm的波长分离,消光比分别为27.5dB和32.7dB。3、提出纳米谐振腔直角转弯MIM波导滤波器,通过严格耦合波理论分析了表面等离子波谐振腔模式和波导模式的相互作用机制以及频率选择性的透过增强效应。通过数值计算软件优化结构参数并通过离子束刻蚀等纳米加工技术完成了滤波器的制备,实现了650nm的透过增强。(本文来源于《上海交通大学》期刊2017-06-01）
谢健浩[9]（2016）在《选择焊——实现通孔器件焊接的零缺陷》一文中研究指出在现代焊接技术的发展历程中,经历了两次历史性的变革。第一次是从通孔焊接技术向表面贴装焊接技术的转变,第二次便是我们正在经历的从有铅焊接向无铅焊接的转变。虽然目前表面贴装技术已成为电子产品组装技术的主流,但是由于以下一些原因,通孔焊接技术在电装行业仍占有一席之地:a)一些连接器、传感器、变压器和屏蔽罩等通孔元件的使用仍是难以避免的;b)由于成本原因,不少企业在元器件的选择上仍会考虑通孔器件;(本文来源于《2016中国高端SMT学术会议论文集》期刊2016-11-10）
狄重安,张凤娇,黄大真,朱道本[10]（2016）在《有机热电器件:从材料选择到功能模块构建》一文中研究指出有机半导体热电材料具有高赛贝克系数和低热导的特点并继承了有机材料制备工艺简单、成本低和柔韧性好等独特优势,在柔性、低成本热电应用方面展现诱人的应用前景。近年来有机热电材料与器件作为有机电子学的研究前沿得到了国际关注并取得了多项突破性进展。在本文中,我们报道了在有机热电器件制备、集成与传感功能应用方面的进展~([1-4])。基于上述进展,我们构建了有机光热电器件、柔性温度/压力双参数传感器件以及基于有机热电的电子皮肤。除此之外,本文还对有机热电材料与器件的发展进行了简单展望。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十分会：光电功能器件》期刊2016-07-01）
器件选择论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
量子选择型硅基异质结光伏器件一般由晶硅、钝化隧穿层、载流子选择层组成,具有负温度系数低、寄生吸收少、理论转换效率高等优点,已引起光伏研究者的广泛关注。本文根据半导体器件物理、硅太阳能电池基本原理及技术,对ITO/SiO_x(In)/n-Si、MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si和MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si叁种光伏器件的可控制备、能带匹配和量子输运机制等展开研究,重点探究了新型多功能材料的引入对改善界面钝化效果、增强空穴隧穿几率、提高器件光伏性能的作用。同时,对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si结构光伏器件进行了性能失效机理分析,揭示了“S”型输出曲线的形成原因。本论文主要研究成果如下:(1)采用射频磁控溅射方法在n-Si衬底表面直接沉积ITO薄膜,制备了ITO/SiO_x(In)/n-Si异质结光伏器件,该简单结构器件的光电转换效率达12.2%,开路电压540 mV,短路电流30.5 mA/cm~2,填充因子74.2%。通过对ITO薄膜光电特性、器件光伏特性及界面区微结构表征分析,并结合非晶SiO_x(In)材料第一性原理计算结果,发现:器件内建电势本质上来源于ITO薄膜和n-Si衬底之间的功函数差,较大的功函数差诱导出n-Si表面上亚微米区p型反型层,可形成类p-n结的等效内建电场;ITO/n-Si界面区自然形成了含有In元素的超薄非晶SiO_x层(1.2-1.7 nm),不仅可以有效钝化n-Si表面;而且光生空穴经由直接隧穿和缺陷辅助隧穿机制输运通过SiO_x(In)层;In的掺杂在a-SiO_2禁带中引入一条新能级GSII,降低了势垒高度,有助于量子输运;In的掺杂还引入了一条浅受主能级,有利于与n-Si形成空穴选择性接触。这些结果有助于加深对ITO/SiO_x(In)/n-Si异质结光伏器件基本原理的理解,并为改善该类器件的性能提供了理论与实验依据。(2)为了实现空穴、电子选择性钝化接触,我们成功制备了MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si/SiO_x/poly-Si(n~+)异质结光伏器件。该器件的最高光电转换效率达16.7%,开路电压600 mV,短路电流38.2 mA/cm~2,填充因子72.9%。利用微结构表征技术及第一性原理计算方法,研究了SiO_x(Mo)夹层对该器件内建电场及量子输运的影响。结果表明:在n-Si无预先氧化的情况下,MoO_x/n-Si界面区自然形成了非晶SiO_x(Mo)叁元杂化层(3.5-4.0 nm);MoO_x薄膜与n-Si衬底之间的高功函数差诱导n-Si表面形成p型反型层,产生内建电场;SiO_x(Mo)界面层中的Mo掺杂在带隙中引入两条半满能级和叁条未占据能级,分别起到空穴的缺陷辅助隧穿和直接隧穿的作用;隧穿-复合模型可以很好的描述器件中光生空穴的输运过程;该器件具有良好的稳定性,且工艺流程简单,预示着MoO_x/SiO_x(Mo)/n-Si异质结光伏器件具有潜在的应用价值。(3)基于MoO_x薄膜功函数测量、MoO_x/a-Si:H(i)界面化学成分表征和AFORS-HET软件模拟,对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si异质结光伏器件性能进行了失效分析。结果表明:在MoO_x薄膜沉积过程中,MoO_x/a-Si:H(i)界面区自然形成的SiO_x夹层阻碍了载流子的传输;随着MoO_x薄膜沉积速率的增加,一方面MoO_x薄膜功函数的降低导致其空穴提取能力变弱;另一方面SiO_x层中O/Si比率提高,价带偏移量(ΔE_v)增大,进而导致a-Si:H(i)/n-Si界面势垒阻碍空穴通过热发射机制进行输运;同时,SiO_x层变厚(>4 nm),导致空穴的隧穿几率降低。我们对MoO_x/a-Si:H(i)/n-Si器件“S”型J-V曲线的研究结论,为进一步优化该器件性能提供了新思路。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
器件选择论文参考文献
[1].施尚英,黄世瑜.基于可编程逻辑器件的多路选择器的设计与实现[J].计算机产品与流通.2019
[2].高明.量子选择型硅基异质结光伏器件的制备和输运特性的研究[D].上海大学.2019
[3].彭兴文,赵瓛,万喜新,卢丹丹,邓学文.电子器件铝材质外壳激光焊接工艺技术和设备选择原则[J].磁性材料及器件.2018
[4].Kavita,Aluri.非易失性FPGA器件——小型蜂窝数字前端低功耗设计的最佳选择[J].中国集成电路.2018
[5].王禹翔.基于频率选择表面的轨道角动量激发器件研究[D].哈尔滨工业大学.2018
[6].张昊晟,刘元玉,张伟男.大型轴承套圈清洗机PLC电气设计中的器件选择[J].哈尔滨轴承.2017
[7].于庆奎,李铮,罗磊,孙毅,梅博.GaAs器件空间位移损伤等效试验用质子能量选择研究[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）.2017
[8].余跃.亚波长金属光栅表面等离子波波长选择器件的研究[D].上海交通大学.2017
[9].谢健浩.选择焊——实现通孔器件焊接的零缺陷[C].2016中国高端SMT学术会议论文集.2016
[10].狄重安,张凤娇,黄大真,朱道本.有机热电器件:从材料选择到功能模块构建[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十分会：光电功能器件.2016
论文知识图
