论文摘要
相变存储器是目前最具潜力的新式存储设备之一,其存储性能主要取决于相变材料的结构-性能关系,因此结构表征对于相变存储非常重要。透射电子显微镜(TEM)是表征材料形貌、结构的重要手段,但是高能电子束会对材料的结构造成暂时或永久性的影响,这种影响也为表征非晶相变材料带来了极大的挑战,包括已经商业化的Ge SbTe合金。利用原位TEM系统地研究了电子束辐照对Ge Sb2Te4非晶薄膜样品的影响,发现非晶薄膜在较大电子束束流强度下会发生结晶化,而降低束流强度将能够有效保持非晶的稳定性。量化了电子束束流诱发Ge Sb2Te4非晶薄膜晶化的阈值,给出了电子束流强度和辐照诱导相变时间的关系,为利用TEM研究Ge SbTe非晶材料的结构与性能提供了有效的安全界限。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王疆靖,蒋婷婷,田琳,张丹利,张伟
关键词: 非晶,电子束辐照,结晶化,原位
来源: 中国材料进展 2019年02期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 材料科学,工业通用技术及设备,计算机硬件技术
单位: 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室微纳尺度材料行为研究中心
基金: 国家自然科学基金资助项目(61774123,51621063)
分类号: TB383.2;TP333
页码: 110-115
总页数: 6
文件大小: 2630K
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