退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

论文摘要

合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数。为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律。结果表明:在500~600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜。所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验
  •   1.1 薄膜铂电阻的制备
  •   1.2 薄膜测试与表征
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 退火温度对薄膜铂电阻的影响
  •   2.2 保温时间对铂薄膜的影响
  •   2.3 基底粗糙度对铂薄膜的影响
  • 3 结束语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王金鹏,周晨飞,梁军生,王大志,任同群

    关键词: 薄膜铂热电阻,退火工艺,内部应力,灵敏度,线性度

    来源: 机电工程技术 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 金属学及金属工艺,仪器仪表工业

    单位: 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室

    基金: 国家自然科学基金资助项目(编号:51675085,51475081)

    分类号: TH811;TG156.2

    页码: 26-28

    总页数: 3

    文件大小: 4528K

    下载量: 100

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