导读:本文包含了金属离子注入论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:离子,等离子体,纳米,金属,颗粒,氧化物,空位。
金属离子注入论文文献综述
杨旭,夏飞,朱雪梅[1]（2018）在《等离子体基低能氮离子注入金属钛的耐点蚀性能》一文中研究指出采用等离子体基低能氮离子注入技术对纯Ti试样进行表面处理,研究了氮离子注入改性层在3. 5%Na Cl溶液中的耐点蚀性能及钝化膜的稳定性.结果表明:等离子体基低能氮离子注入纯Ti试样表面形成了厚度约为2μm的Ti2N相改性层;在3. 5%Na Cl溶液中,与金属Ti相比,Ti2N相改性层电化学交流阻抗谱(EIS)的容抗弧直径及|Z|值增加,相位角平台变宽,利用等效电路Rs-(Rp//CPE)拟合的电极电阻由6. 44×104Ω·cm2增大至2. 26×105Ω·cm2,电极反应阻力增大,耐点蚀性能提高.随着浸泡时间的增加,Ti2N相改性层钝化膜电阻相近,皆保持在105Ω·cm2量级,呈现良好的稳定性.(本文来源于《大连交通大学学报》期刊2018年05期）
赵亮,于慧泽[2]（2018）在《采用离子注入法对金属表面改性专利技术综述》一文中研究指出离子注入技术属原子级表面加工技术,其具备改性效果明显、效率高、可控性和可操作性强、无污染等优点,在金属材料、半导体器件、医用抗菌等众多领域应用广泛。本文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献,分析了该领域的专利申请量,归纳出申请人国别和应用领域分布,同时对该领域未来发展趋势进行了预测。(本文来源于《河南科技》期刊2018年24期）
杨宇[3]（2018）在《过渡金属离子注入β-Ga_2O_3的磁性分析》一文中研究指出稀磁半导体(Dilute Magnetic Semiconductors,DMSs)是一种优良的自旋电子学的后备材料,已成为当今微电子科学的热点。它有着半导体的能带结构,而且晶格常数也与基体半导体类似,不仅在制造器件时能够很好的和现有的半导体技术兼容,而且兼有磁性材料的特性。但是对其磁性研宄一直有一些难题没有攻克,例如制备居里温度高于室温的DMS,并对其铁磁耦合机制进行阐明。氧化镓(Ga_2O_3)一种III-V族宽禁带半导体材料,其禁带宽度为4.9 eV,其优异的导电性和发光性能长期以来一直引起关注。β-Ga_2O_3材料具有巨大的工业应用发展空间,如果能通过离子注入掺杂使其具备室温铁磁性,使其不但具有半导体的性质而且兼顾磁性材料的性质,将成为一种新型的稀磁半导体材料,Ga_2O_3基稀磁半导体材料的应用也将迎来一个全新的发展。离子注入技术可控性更高,整个注入过程,注入深度、离子浓度、能量选择、注入离子分布可以得到很好的控制,结合这些优势,可利用离子注入技术将过渡金属离子注入β-Ga_2O_3衬底以制备DMS,并研究体系的磁学特性。首先,在注入剂量为5×10~(14) cm~(-2),1×10~(15) cm~(-2)和5×10~(15) cm~(-2)的Mn注入β-Ga_2O_3衬底中观察到居里温度高于室温的铁磁性。零场冷却(ZFC)和场致冷(FC)曲线的温度依赖性揭示了可能源于Mn离子和氧空位分布的迭加相。拉曼光谱显示注入样品中的GaO_4四面体和GaO_6八面体的变形,GaO_4四面体的变化趋势与具有饱和磁化强度和矫顽力的值有关。Mn离子的分布由SIMS分析确定,并用于解释铁磁耦合机制以及PL光谱。此外,我们研究了体系中的交换偏置效应。通过理论分析,我们认为杂质带交换模型适合于解释实验中观察到的室温铁磁性。研究了~(54)Cr~+离子注入β-Ga_2O_3单晶中的室温铁磁性。在注入β-Ga_2O_3衬底的剂量为5×10~144 cm~(-2),1×10~155 cm~(-2)和5×10~155 cm~(-2)的叁种样品中观察到居里温度高于室温的铁磁性,其饱和磁化强度分别为0.00018 emu/g,0.0005 emu/g和0.0082 emu/g。零场冷却(ZFC)和场冷(FC)曲线的温度依赖性显示出可能源自Cr离子和氧空位分布的迭加相。XRD衍射图谱显示了有新的化合物CrO_2生成。拉曼光谱显示了注入样品中GaO_4四面体和GaO_6八面体的失真,GaO_4四面体的变化趋势与饱和磁化强度和矫顽力的值有关。类似于Mn注入后的材料,氧空位形成离域杂质带并耦合Cr阳离子,是对高于室温铁磁性的合理解释。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-04-01）
王康,邓爱红,龚敏,卢晓波,张元元[4]（2017）在《多能氦离子注入对W金属微结构的影响》一文中研究指出利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。(本文来源于《金属学报》期刊2017年01期）
陈华剑[5]（2016）在《离子注入法制备的金属纳米颗粒的同步辐射研究》一文中研究指出本文阐述了离子注入法在半导体掺杂领域中的重要意义,并利用此技术制备了注入浓度不同、元素不同的金属纳米颗粒以及不同掺杂配比的二元合金纳米颗粒。在介绍了相关测试技术工作原理的基础上,综合运用紫外可见光谱、原子力显微镜、和同步辐射荧光XAFS研究了不同注入参数对掺杂材料的光学吸收、表面形貌和局域微观结构的影响。详细介绍与总结了处理荧光XAFS测试数据所需的晶体结构数据库、FEFF计算以及IFEFFIT软件的使用方法以及注意事项。通过上述测试与分析,得到了注入元素的振荡信号以及精细结构信息,包括近邻元素组成、配位数、原子间距等,并对其做了分析。采用紫外可见荧光光谱和同步辐射真空紫外荧光光谱测试了掺杂材料的光学性质,分析了注入过程引入的缺陷及材料的能态结构变化。综合以上分析,我们发现了掺杂材料的局域微观结构与其光学性质的变化规律,从而为此类材料在半导体掺杂工艺中的生产应用提供了科学依据。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2016-05-01）
金杰,陈蕴博,高克玮[6]（2014）在《不同族金属离子注入对Cr4Mo4V摩擦磨损性能的影响》一文中研究指出利用直线式离子注入机对抛光后的Cr4Mo4V轴承材料进行变能量的金属元素(Ti、Zr、Cr、Mo、Ta)注入,通过摩擦磨损测试机测试注入前后Cr4Mo4V的耐磨损性能,利用纳米压痕硬度仪、俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)等检测表征手段,研究不同金属元素注入对Cr4Mo4V耐磨损性能的影响机制。结果表明:以测试条件下维持低摩擦因数0.2~0.3的运行时间看,Ti注入样品耐摩擦磨损性能提升约14倍,Zr注入试样的耐摩擦磨损性能提升超过20倍,ⅣB族Ti、Zr两种元素注入的Cr4Mo4V表现出较高的抗摩擦磨损性能;注入Zr对基材纳米硬度提升20%左右,而具有最佳的抗摩擦磨损性能;不同于其它的注入金属元素,Ti、Zr注入元素在基材内的浓度—深度分布中伴随出现了C、O的浓度峰分布,且Zr注入样品中C浓度峰最强、分布深度最广。(本文来源于《中国表面工程》期刊2014年02期）
张晓东[7]（2012）在《金属离子注入氧化物材料引起的结构和光学性质变化研究》一文中研究指出离子注入因为其多方面优势，在合成纳米复合材料方面占有重要地位。镶嵌在绝缘体中的金属纳米颗粒可用来改性半导体材料的光学特性，从而使其在光学器件方面有重要应用。本论文使用离子注入方法合成了金属纳米颗粒，并研究了金属离子注入ZnO薄膜的结构和光学特性。同时，使用第一原理方法计算了金属离子掺杂的ZnO的电子结构和光学特性。本论文的主要研究内容和结果如下：首先，使用能量为45keV、剂量为1×10~(17)/cm~2的Cu离子注入到Si_3N_4/Si和SiO_2中，研究了Cu离子注入SiO_2的结构特性和光学特性。通过X射线衍射技术分析发现Cu纳米颗粒主要形成了Cu（111）结构。进一步，通过横断面透射电子显微镜发现Cu纳米颗粒的平均尺寸为12.84nm。通过紫外-可见-近红外分光光度计研究发现Cu纳米颗粒在Si_3N_4/Si和SiO_2基底中的表面等离子共振位于565nm和569nm。随着退火温度的增加，表面等离子共振分别红移到了570nm和572nm。同时，研究发现Cu纳米颗粒在Si_3N_4/Si基底上的发光峰位于600nm，其发光量子效率大约为0.001。使用了X光电子能谱研究发现所有的Cu都是以0价形式出现。我们讨论了Cu纳米颗粒的发光机理。其次，分别使用了能量为80keV、剂量为2×10~(16)/cm~2的Au离子和能量45keV、剂量为2×10~(16)/cm~2、6×10~(16)/cm~2和1×10~(17)/cm~2的Ag离子注入到ZnO薄膜中。研究了Au和Ag离子注入到ZnO薄膜的结构和光学特性。研究发现Au离子注入能在ZnO薄膜中形成Au纳米晶，随后观测到了530nm的新发光峰。同时，研究发现所有剂量的Ag离子都在ZnO表面形成了Ag的纳米晶，Ag的注入可以有效的增强ZnO的拉曼信号。对于不同剂量而言，高剂量的效果明显要好于低剂量的效应。在随后的300-700℃退火过程中，发现所有的拉曼信号都增强，但6×10~(16)/cm~2注入剂量的增强效果最佳。而Ag离子的注入并没有显着改变ZnO薄膜的发光强度。结合我们的结果进行了相关的讨论。最后，使用了标准密度泛函理论（GGA-PBE）研究了Sb、Pt、Ag和Au离子掺杂ZnO晶体的几何结构、电子结构和光学特性。研究发现Ag的晶格畸变较小，而Pt的晶格畸变较大。电子结构研究发现，Ag掺杂的ZnO容易在价带顶端形成定域的电子态，而Au的掺杂倾向于形成杂质态。研究发现Ag和Au是一种浅受主，可以辅助增强ZnO的价带电子态。随后的光学跃迁表明Ag和Au离子的掺杂可以有效增强ZnO的介电函数虚部。(本文来源于《天津大学》期刊2012-05-01）
申艳艳[8]（2011）在《金属离子注入固体材料纳米颗粒合成、热演变及光学性质研究》一文中研究指出本论文利用金属离子，如Zn和Cu，注入到叁类固态材料，即SiO2、Al_2O_3和单晶Si中，借助于紫外-可见光吸收谱仪(UV-Vis)、X-射线衍射谱仪(XRD)、横截面试样的透射电子显微镜(XTEM)、原子力显微镜(AFM)、光致发光谱仪等详细地研究了纳米颗粒形成、热演变以及相关的光学性质，具体研究内容及结果如下：(1)利用45 keV Zn离子注入SiO2，剂量分别为5×10~(15)、1×10~(16)、5×10~(16)和1×1017 ions/ cm~2，系统地研究Zn纳米颗粒的形成与剂量的依赖关系以及Zn纳米颗粒在氧气气氛下退火的演变过程。注入剂量在5×10~(16) ions/cm~2剂量时观测到了最佳Zn纳米颗粒的等离子体共振峰(SPR峰)。当退火温度升高到600°C时，Zn纳米颗粒完全被氧化并形成了ZnO纳米颗粒，而700°C时退火时会反应生成Zn2SiO4纳米颗粒。(2)采用45 keV Zn离子注入到SiO2样品，剂量为5.0×10~(16) ions/cm~2，重点研究了叁种不同气氛下Zn纳米颗粒的热演变，即氧气、氮气及先氮气后氧气顺次退火。在氧气气氛下退火的样品和在先氮气后氧气气氛下退火的样品中均能发现具有(002)和(103)取向的ZnO的纳米颗粒。而氮气气氛下只有Zn纳米颗粒的生长。光致发光结果表明了在先氮气后氧气气氛下退火的样品中能形成具有较强紫外发光的高质量的ZnO纳米颗粒。(3)采用500keV、2.0×10~(16) ions/cm~2的Xe离子辐照1×1017 ions/ cm~2、45keV Zn离子预注入的SiO2，重点研究了重离子辐照对Zn和ZnO纳米颗粒形成及其光学性质的影响。研究结果表明，未经Xe离子辐照的SiO2样品中热氧化形成的ZnO纳米颗粒不仅形状不规则，而且大小分布非常不均匀(5-30 nm)，而经Xe离子辐照的样品中制备的ZnO纳米颗粒呈现近乎球形形状，其直径分布大在3-7 nm一个较小的范围。卢瑟福被散射(RBS)对辐照前后Zn分布剖面分析结果显示，Xe离子辐照使得Zn较为均匀地分布在样品中一个宽的区间内，随后氧气气氛下的热处理使得Zn均匀成核和氧化，因而形成了尺寸较小且尺寸分布相对均匀的ZnO纳米颗粒。(4)采用1.0×1017 ions/cm~2、45 keV Cu离子注入α-Al_2O_3单晶，研究了Cu纳米颗粒在真空和氧气两种退火氛围下的热演变。研究结果显示，在300-600oC温度范围内，真空中退火几乎对Cu纳米颗粒的生长不起作用，而氧气气氛下退火则不仅促使了Cu纳米颗粒的氧化形成CuO纳米颗粒，而且还大大地促进了纳米颗粒的热生长。(5)采用1.0×10~(17) ions/cm~2，45 keV Zn离子注入α-Al_2O_3单晶，重点研究Zn离子注入缺陷以及Zn纳米颗粒热氧化对α-Al_2O_3光学性能的影响。研究结果显示，Zn离子注入引入了大量的F型缺陷使得样品具有很强的缺陷发光。由于ZnO发光和Al_2O_3缺陷发光的迭加，600oC退火后样品的发光峰出现了显着的增强。(6)采用1.0×10~(17) ions/cm~2，45 keV Zn离子注入n-型单晶Si(100),研究了Si样品中Zn纳米颗粒的合成、在氧气气氛下的热演变以及纳米颗粒演变对Si样品表面形貌的影响。通过研究发现，高剂量的Zn离子注入可以在Si中形成，600oC热氧化形成了尺寸分布较为均匀(2-7 nm)、具有(101)择优取向的ZnO纳米颗粒(本文来源于《天津大学》期刊2011-12-01）
石红,田立成,杨生胜,秦晓刚,薛玉雄[9]（2011）在《多周期脉冲等离子体离子注入金属材料磁鞘结构》一文中研究指出在卫星、宇宙飞船等航天器上,金属材料由于具有可焊接、成本低、使用方便等优点常用于密封壳体结构和承力结构件中。等离子体浸没离子注入技术可以用于这些航天用金属材料的改性处理。本文通过建立无碰撞的流体模型计算了多周期负高压脉冲等离子体磁鞘结构,并给出了金属材料表面的离子流密度、离子能量分布情况等。(本文来源于《第叁届空间材料及其应用技术学术交流会论文集》期刊2011-09-22）
石红,田立成,李雪春[10]（2011）在《多周期脉冲等离子体离子注入金属材料磁鞘结构》一文中研究指出在卫星、宇宙飞船等航天器上,金属材料由于具有可焊接、成本低、使用方便等优点常用于密封壳体结构和承力结构件中。等离子体浸没离子注入技术可以用于这些航天用金属材料的改性处理。本文通过建立无碰撞的流体模型计算了多周期负高压脉冲等离子体磁鞘结构,并给出了金属材料表面的离子流密度、离子能量分布情况等。(本文来源于《第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集》期刊2011-08-08）
金属离子注入论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
离子注入技术属原子级表面加工技术,其具备改性效果明显、效率高、可控性和可操作性强、无污染等优点,在金属材料、半导体器件、医用抗菌等众多领域应用广泛。本文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献,分析了该领域的专利申请量,归纳出申请人国别和应用领域分布,同时对该领域未来发展趋势进行了预测。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属离子注入论文参考文献
[1].杨旭,夏飞,朱雪梅.等离子体基低能氮离子注入金属钛的耐点蚀性能[J].大连交通大学学报.2018
[2].赵亮,于慧泽.采用离子注入法对金属表面改性专利技术综述[J].河南科技.2018
[3].杨宇.过渡金属离子注入β-Ga_2O_3的磁性分析[D].西安电子科技大学.2018
[4].王康,邓爱红,龚敏,卢晓波,张元元.多能氦离子注入对W金属微结构的影响[J].金属学报.2017
[5].陈华剑.离子注入法制备的金属纳米颗粒的同步辐射研究[D].武汉科技大学.2016
[6].金杰,陈蕴博,高克玮.不同族金属离子注入对Cr4Mo4V摩擦磨损性能的影响[J].中国表面工程.2014
[7].张晓东.金属离子注入氧化物材料引起的结构和光学性质变化研究[D].天津大学.2012
[8].申艳艳.金属离子注入固体材料纳米颗粒合成、热演变及光学性质研究[D].天津大学.2011
[9].石红,田立成,杨生胜,秦晓刚,薛玉雄.多周期脉冲等离子体离子注入金属材料磁鞘结构[C].第叁届空间材料及其应用技术学术交流会论文集.2011
[10].石红,田立成,李雪春.多周期脉冲等离子体离子注入金属材料磁鞘结构[C].第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集.2011
论文知识图
