导读:本文包含了氧八面体畸变论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶格,畸变,效应,构型,光学,八面,材料。
氧八面体畸变论文文献综述
孔芳,毛江高[1]（2014）在《极性的K_(6.45)H_4Mo_7Te_(7.89)O_(42)(H_2O)和中心对称的Cs_2Mo_3Te_4O_(18)(H_2O):两例结构新颖含MoO_6畸变八面体的亚碲酸盐化合物》一文中研究指出含孤对电子的亚碲酸盐在探索合成新型非线性光学晶体材料方面有着重要的应用前景[1-2]]。我们利用亚临界水热合成法,获得了两例结构新颖的亚碲酸盐:K6.45H4Mo7Te7.89O42(H2O)(P3)和Cs2Mo3Te4O18(H2O)(P-1)。两例化合物都为二维层状结构,基本骨架相似,但由于平衡电荷的不同,含K的化合物结晶于极性空间群,而Cs的化合物为中心对称的(Fig 1)。非线性测试表明K6.45H4Mo7Te7.89O42(H2O)表现出良好的非线性光学效应,约为KDP(KH2PO4)的2.8倍(Fig 1c),且可实现相位匹配。通过结构分析我们发现,该化合物的倍频效应主要来源于层间的畸变MoO6八面体,它们的畸变方向基本一致。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第05分会：无机化学》期刊2014-08-04）
张焕,李纲,张静,陈延明[2]（2014）在《键价模型在d~0过渡金属氧化物八面体的畸变研究》一文中研究指出本文从键价模型的实际应用的角度出发,系统地研究了d0过渡金属氧化物八面体的畸变规律。对于来源于409个已知晶体结构中的740个d0过渡金属氧化物八面体,应用两种基于键价模型的衡量配位多面体的畸变因子,定量的计算了8种d0过渡金属氧化物的八面体配位的畸变能力,得出d0过渡金属阳离子的平均畸变能力的趋势为:Mo6+>V5+>>W6+>Nb5+>Ti4+>>Ta5+>Hf4+>Zr4+,即分为叁类,较强的为Mo6+和V5+,中等强度的为W6+,Nb5+和Ti4+,较弱的为Ta5+,Hf4+和Zr4+;发现d0过渡金属阳离子的八面体配位畸变能力越强,它的平均键长与单个键长的平均标准偏差的线性关系越强,有利的证明了发展的畸变定理。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第15分会：理论化学方法和应用》期刊2014-08-04）
王丹[3]（2012）在《畸变氧八面体中3d~6离子磁能级与载流子钝化机理研究》一文中研究指出半导体信息材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础。近年来,稀磁半导体研究的进步,唤起了人们对基于单个元件同时具有半导体的逻辑功能与磁性元件的信息存储功能的应用希望,即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度,这也激励着我们加快寻找和设计室温铁磁性半导体材料的步伐。倘若能找到具有室温铁磁性的半导体,则必将给计算机领域带来一场新的革命。此外,随着能源问题和环境问题的日益严峻,开发新能源、节能减排、污染治理等方面的需求日益迫切。TiO2由于其独特的性能,在太阳能采集、污染物处理等方面有广阔的应用前景。本文以光电子领域应用最广泛的n型透明导电氧化物为研究对象,对其电子结构、掺杂特性和磁性起源展开研究,主要创新性成果如下：由于半导体的磁性取决于磁性离子在半导体中的自旋轨道分裂大小及其磁性离子的耦合程度,我们首先研究了氧八面体中晶格畸变对3d6磁性离子能级的影响(以Ni掺杂TiO2和SnO2、Co掺杂In2O3的体材料和纳米晶结构为例)。研究发现,通过改变晶体结构来增强磁性离子的自旋分裂程度,可以实现操控半导体磁性的目的。具体的结果有：(ⅰ)在掺杂浓度较低时,八面体小幅度畸变不会导致3d6离子磁能级自旋分裂,所有的研究体系中均没有磁性；如果掺杂浓度提高,使得两磁性离子可以处于相邻阳离子位置,或者八面体畸变程度加大,3d6离子磁能级会发生自旋分裂,并产生有效磁矩。(ⅱ)氧离子空位存在于过渡族金属氧化物时,空位产生局域磁矩,与3d6离子通过超交换作用耦合；氧离子空位存在于主族氧化物时,空位提供巡游电子,通过改变3d6离子的电荷数而与3d6离子发生长程耦合。其次,根据纳米结构的化合物存在非化学配比和表面悬挂键的问题,这些会造成化合物呈非电中性,即存在多余的载流子。我们研究了一个非化学配比的氧化铟量子点中表面悬挂键波函数特性。研究发现：纳米结构中表面悬挂键态密度的自旋分裂是诱导纳米结构非传统磁性的主要原因之一,这为调控半导体磁性增加了新的手段。采用带分数个电子的赝氢原子来饱和纳米结构的表面态,使体系保持电中性,很好地模拟了材料一般不会带电的实验结果。氧离子表面悬挂键态主要分布在价带顶的边缘,相当于浅的受主能级提供空穴,作自旋计算时,会产生较大的自旋极化；铟离子表面悬挂键电子态主要分布在略低于导带底的带隙中,相当于浅施主能级提供电子,与导带边发生自旋耦合。当用赝氢原子将表面悬挂键完全钝化后,带隙里面的局域表面态和自旋极化态就消失了。再次,以Ni掺杂金红石结构SnO2纳米线为例,综合考察了晶格畸变和表面悬挂键的作用,明确了对半导体磁性进行综合调控的效果。研究表明：相对于非化学配比的氧化铟纳米晶结构,表面畸变程度小的单晶金红石结构的SnO2纳米线的自旋分裂能要小得多。3d6离子掺杂没有悬挂键的SnO2纳米线不能带来自旋极化,当存在悬挂键时,阳离子和阴离子表面悬挂键分别起到施主和受主能级的作用,使得带隙中的3d6离子能级出现部分占据态,而产生自旋极化。阳离子悬挂键电子态比阴离子悬挂键电子态对3d6离子掺杂SnO2纳米线的自旋极化作用更大,当阳离子悬挂键与3d6离子的比值为3：2时,3d6离子掺杂SnO2纳米结构具有最大的磁矩。最后,基于钝化掺杂思想,提出了钝化原理在提高Ti02的光催化效率和加强半导体磁性方面的应用。研究表明：(ⅰ)钝化共掺杂能够提高TiO2的光催化效率。这是由于通过此方法可以钝化施主-受主复合体,使得光生电流不会被受主能级中的空穴复合。其中,C和W共同掺杂到TiO2体材料中使得价带边往上移动,而导带边几乎没有移动,TiO2的能隙也降低到约为2.2eV,最有利于TiO2光催化系统吸收可见光。(ⅱ)钝化共掺杂方法使得Ti02的p型掺杂成为可能。这是由于TiO2的价带边较低,很难进行p型掺杂,我们用第Ⅳ主族和第Ⅵ副族元素钝化共掺到TiO2中不仅能够大幅度的提高价带边,而且也在一定程度上使导带边往上移动。(ⅲ)钝化群掺杂还可以加强半导体自旋极化。采用N离子替代TiO2中的。离子,可以得到1个空穴,并产生约为0.7μB的磁矩,费米能级高于价带顶,空穴能级局域在费米能级附近。但通过钝化群掺杂后,费米能级进一步远离价带顶,空位能级变得更加局域,体系的自旋交换能增大,表明TiO2体系的自旋劈裂增大,自旋极化得到增强。(本文来源于《湖南大学》期刊2012-03-01）
万尤宝,刘青松,吴宇容,朱海滨,童佳[4]（2006）在《Li离子浓度对铌酸钾锂晶体[NbO_6]~(7-)八面体畸变的影响》一文中研究指出用顶部籽晶法生长了一批不同组成的铌酸钾锂晶,用同步辐射X射线分析了晶体结晶特性,用Ph ilipsPW 2400 X射线荧光光谱法测量了晶体的组成。对叁种组成的晶体样品测量了红外拉曼光谱,分析了晶体中组分离子浓度对晶体红外拉曼光谱特征的影响,结果表明,晶体中位于C格位的L i离子浓度对晶体拉曼光谱产生了强烈的影响,影响的本质在于晶体中L i含量的提高导致晶体中[NbO6]7-八面体畸变程度加大,对八面体晶格振动产生了强烈的影响。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2006年05期）
苑星海,李勇[5]（2002）在《八面体配合物畸变的图解判断法》一文中研究指出将八面体配合物畸变的判断用一种简单明了的图解方法进行表达 ,并用晶体场理论和能量最低原理说明该方法的理论根据。(本文来源于《广州化工》期刊2002年04期）
董淑华,赵军[6]（2002）在《浅谈影响八面体构型畸变的因素》一文中研究指出实验发现大多数稳定的八面体构型并非理想的正八面体 ,而有畸变。本文运用Jahn -Teller效应对此现象予以解释 ,并指出了构型发生畸变与d电子构型之间的关系。(本文来源于《沈阳教育学院学报》期刊2002年01期）
李哲,徐文东,赫伟[7]（1998）在《链状硅酸盐中Fe~(2+)离子四极分裂和八面体畸变之间的关系》一文中研究指出在已往对链状硅酸盐穆斯堡尔效应和晶体结构测试的基础上 ,确定了四极分裂与链状硅酸盐中八面体畸变程度之间的关系 .结果发现 ,四极分裂在开始时随着表示八面体畸变的角度方差和平方伸长度的增加而迅速增加 ,在达到极大值之后缓慢下降 ,根据配位场模型对这一关系做出了定性解释 .(本文来源于《科学通报》期刊1998年05期）
陈创天[8]（1977）在《晶体电光和非线性光学效应的离子基团理论(Ⅲ) 利用畸变氧八面体的离子基团模型计算LiNbO_3,LiTaO_3,KNbO_3,BNN晶体的电光和倍频系数》一文中研究指出本文用文献[1]中所提出的(MO_6)离子基团模型,计算LiNbO_3,LiTaO_3,KNbO_3,BNN等晶体的电光和倍频系数。假设在O_h对称时,这些晶体中的氧八面体具有相同的能级和对称波函数,则通过群表示理论就可得到在C_(3ν),(C_2υ)对称性时氧八面体的能级和对称波函数,并进而用ABDP理论计算它们的电光和倍频系数。计算结果和实验符合得相当好。本文并从理论上解释了这些晶体的倍频系数大小、符号和氧八面体畸变间的关系,由此可以得到以下两个结论:(1)畸变氧八面体的离子基团模型不但适用于钙钛矿型材料,同时也适用于钨青铜型、LiNbO_3型材料。(2)在钨青铜型、LiNbO_3型的材料中,仍是“离子键”对电光和倍频效应作出主要贡献,同时由于LiTaO_3的共价键成份比LiNbO_3大,因而LiTaO_3的非线性光学效应比LiNbO_3小。(本文来源于《物理学报》期刊1977年06期）
陈创天[9]（1976）在《晶体电光和非线性光学效应的离子基团理论(Ⅰ)——利用氧八面体畸变模型计算BaTiO_3晶体电光及倍频系数》一文中研究指出本文对钙钛矿型晶体的电光及倍频效应的机理提出了一个(MO_6)离子基团模型。并从(TiO_6)离子基团的准分子轨道及晶格场位能作用下的(TiO_6)离子基团的离子键轨道出发,利用ABDP理论,分别计算了BaTiO_3的各个电光及倍频系数。计算结果表明,在没有引入任何可调整参量的情况下,用(TiO_6)离子基团的晶格场理论所得到的电光及倍频系数的计算值和实验值符合得相当好,而准分子轨道对这些效应的贡献很小。由此得出叁个结论:(1)BaTiO_3的电光及倍频效应主要由(TiO_6)氧八面体的畸变所产生,畸变越大,这些效应也越大;(2)当BaTiO_3处于铁电相时,由于晶体内自发极化的结果,产生一个强的奇次项晶格场,这是BaTiO_3具有大的电光及倍频效应的主要因素。而(TiO_6)离子基团的共价键成份,由于彼此间互相抵消,对这些效应贡献很小;(3)BaTiO_3的电光及倍频系数和它的自发极化P_s之间有一简单的线性关系。(本文来源于《物理学报》期刊1976年02期）
氧八面体畸变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文从键价模型的实际应用的角度出发,系统地研究了d0过渡金属氧化物八面体的畸变规律。对于来源于409个已知晶体结构中的740个d0过渡金属氧化物八面体,应用两种基于键价模型的衡量配位多面体的畸变因子,定量的计算了8种d0过渡金属氧化物的八面体配位的畸变能力,得出d0过渡金属阳离子的平均畸变能力的趋势为:Mo6+>V5+>>W6+>Nb5+>Ti4+>>Ta5+>Hf4+>Zr4+,即分为叁类,较强的为Mo6+和V5+,中等强度的为W6+,Nb5+和Ti4+,较弱的为Ta5+,Hf4+和Zr4+;发现d0过渡金属阳离子的八面体配位畸变能力越强,它的平均键长与单个键长的平均标准偏差的线性关系越强,有利的证明了发展的畸变定理。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧八面体畸变论文参考文献
[1].孔芳,毛江高.极性的K_(6.45)H_4Mo_7Te_(7.89)O_(42)(H_2O)和中心对称的Cs_2Mo_3Te_4O_(18)(H_2O):两例结构新颖含MoO_6畸变八面体的亚碲酸盐化合物[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第05分会：无机化学.2014
[2].张焕,李纲,张静,陈延明.键价模型在d~0过渡金属氧化物八面体的畸变研究[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第15分会：理论化学方法和应用.2014
[3].王丹.畸变氧八面体中3d~6离子磁能级与载流子钝化机理研究[D].湖南大学.2012
[4].万尤宝,刘青松,吴宇容,朱海滨,童佳.Li离子浓度对铌酸钾锂晶体[NbO_6]~(7-)八面体畸变的影响[J].人工晶体学报.2006
[5].苑星海,李勇.八面体配合物畸变的图解判断法[J].广州化工.2002
[6].董淑华,赵军.浅谈影响八面体构型畸变的因素[J].沈阳教育学院学报.2002
[7].李哲,徐文东,赫伟.链状硅酸盐中Fe~(2+)离子四极分裂和八面体畸变之间的关系[J].科学通报.1998
[8].陈创天.晶体电光和非线性光学效应的离子基团理论(Ⅲ)利用畸变氧八面体的离子基团模型计算LiNbO_3,LiTaO_3,KNbO_3,BNN晶体的电光和倍频系数[J].物理学报.1977
[9].陈创天.晶体电光和非线性光学效应的离子基团理论(Ⅰ)——利用氧八面体畸变模型计算BaTiO_3晶体电光及倍频系数[J].物理学报.1976
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