刘新福[1]2003年在《结合图像分析的微区薄层电阻四探针测试技术研究》文中研究表明随着科学技术的飞速发展，作为计算机的基础元件——集成电路已由超大规模(VLSI)向甚大规模(ULSI)发展。图形日益微细化，电路尺寸不断缩小，这一方面要求芯片材料的直径不断增大以提高生产率，另一方面对晶体材料的完美性、机械及电特性也提出了更为严格的要求。特别是芯片微区的电学特性及其均匀性已成为决定将来器件性能优劣的关键因素。因此，微区电阻率的测试成为芯片加工之中的重要工序。为此，本文开展了以下研究工作： 讨论微区电阻测试的重要性，综述如今已研究出来的各种测试方法的特点；详细分析四探针测量技术的基本原理，重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymaszewski四探针测试方法；研究四探针测试技术中的共性问题，有限元法适用于解决有限尺寸样品的边缘修正问题；完成薄层电阻的测试仪器的系统设计，其中在机械系统设计中，应用无间隙水平移动测试平台，控制被测样品的测试微区的间距，实现了以较高的定位精度进行大型硅片的无图形等间距测量；在薄层电阻测试电路中运用微处理技术，实现了测量的自动化和程序化，并对实际样品进行测试。 研究方形探针和直线四探针测试过程中探针游移对测试结果造成的影响；提出解决方形四探针微区测试过程中探针游移的改进Rymaszewski公式及可操作的测试方案，并完成实际样品的测试工作。 本课题将图像识别技术监控四探针测试微区的探针调整、定位问题，利用程序驱动步进电机自动定位以加速测试进程；对采集到的探针图像进行预处理，灰度修正，直方图修正，二值化以及边缘提取等分析和处理；在进行探针图像分析、取阈值选取原则分析的基础上，完成探针位置的识别与定位，自动调节探针测试区域，实现监控的功能。最后，实现了在程序控制下对硅芯片电阻率的自动测量。 本研究的主要创新点：1．首次采用图像识别与分析技术应用于微区电阻测试之中并实现探针自动定位；2．提出解决方形四探针测试中探针游移的改进Rymaszewski公式及相应的测试方案，完成实际样品的测试；3．应用无间隙水平纵、横移动测试平台，实现大型硅片的无图形高精度等间距测量；4．研究了方形四探针和直线四探针探针游移对测试结果的影响；5．研究了探针图像的各种预处理方法并应用像素的阈值选取方法识别探针并自动调节探针测试位置。6．完成具有图像识别功能的全自动四探针微区电阻率测试仪的研制。
王静[2]2003年在《结合图像分析的四探针测试系统研究》文中研究表明四探针测试技术是半导体工业检测电阻率时采用最为广泛的测试手段之一。随着时代的不断进步，半导体产业飞速发展，以单晶硅片为衬底的集成电路集成度越来越高，目前正进入甚大规模集成电路(ULSI)时代，测试在整个集成电路生产过程中的地位越来越重要。许多器件的重要参数与电阻率有关，因此这对晶体电阻率的均匀性，电学特性提出了更为严格的要求，特别是微区的电特性和均匀性引起了人们的广泛关注。在这样的背景下，四探针测试技术需要有新的发展。 目前微区薄层电阻测量存在的问题是依据显微镜视力观察，用手工操作将探针定位于微区图形的阴影区。这样，完成Φ200mm(8时)圆片杂质的扩散分布需要对许多图形进行测试，需要花费很长的时间，当测试Φ300mm硅片时问题就更为突出。本文将图象与视觉测量系统引入四探针测试系统中，对采集到的原始探针图像进行预处理、边缘提取等操作，以便实现探针针尖的识别，然后由电机控制实现探针的自动定位。这样测试系统可以自动获得全片的薄层电阻分布，为超大规模集成电路检测杂质分布和扩散的均匀性提供信息。 本文还利用单片机系统设计了薄层电阻测试电路，对于程序中用到的范德堡隐函数，利用非线性反演和规范化拟合的方法推导出其多项式显函数形式。这不仅给对我们编写程序提供了方便，也为使用范德堡法和Rymaszewski法测量薄层电阻提供了便利。
马瑞松[3]2017年在《四探针扫描隧道显微镜的彻底改造及石墨烯输运性质研究》文中研究说明石墨烯是一种具有蜂窝状结构的二维原子晶体,具有新奇的力学、电学和光学特性,在场效应晶体管、太阳能电池和柔性透明电极等领域有着广阔的应用前景。因此,石墨烯在科学研究和工业应用上都有十分重要的意义。为满足科研和应用的需求,人们采用多种方式合成高质量、大面积的石墨烯。然而,合成的大面积石墨烯通常具有多晶特性,晶界会对载流子产生强烈的散射作用,从而降低石墨烯整体的电导率、迁移率,制约了石墨烯在电子电路领域的应用。为了研究石墨烯的输运性质,需要将合成的石墨烯转移至绝缘衬底,并采用微加工技术将石墨烯制成器件,以便连接宏观测量设备。微加工过程不可避免地引入污染,并最终改变石墨烯本征的输运性质。四探针扫描隧道显微镜(STM)同时兼容高精度扫描定位和标准的四端输运测试方式,可以快速地对石墨烯等二维材料的形貌和输运性质进行原位表征,为纳米科学研究提供了强有力的平台支撑。本论文的主要工作是对一台商用超高真空(UHV)四探针STM的彻底改造,并利用改进后的四探针系统对化学气相沉积(CVD)法合成的单晶和多晶石墨烯进行了形貌和输运等物性的研究。本文的第一部分是对一台商用UHV四探针STM系统的彻底改造。国际上第一代商业化UHV四探针STM系统是由科研仪器制造商德国OMICRON公司所生产。然而,作为世界上最早的商用化多探针系统(型号:UHV Nanoprobe),其在实际应用中无法有效地对纳米体系进行原位形貌与输运研究。针对商用系统所存在的噪音大、温漂显着、分辨率低等问题,将该系统进行了多方位的全面改造,包括减振与磁阻尼、扫描结构、导热连接与热屏、分时复控电路单元、扫描电镜的替换等。同时,还介绍了加热除气台、信号线等方面的改进。经过此次改造,从根本上解决了系统信噪比、机械和温度稳定性、成像分辨率以及降温等方面的问题。第二部分的主要工作是采用四探针法测量毫米尺寸单晶石墨烯的电阻率与迁移率。利用改造后的四探针STM系统,对CVD方法生长在铜箔上的石墨烯进行形貌的表征,证实了石墨烯的连续性,并对转移到SiO_2/Si衬底上的毫米尺寸单晶石墨烯进行了输运测试。根据van der Pauw构型,获得了整片石墨烯的电导率和迁移率,表明该单晶石墨烯片在不同方向具有相同的输运性质。然而,该石墨烯的局域输运性质与整体的性质存在较大差别。这些差异是由于该单晶石墨烯片上局域分布着石墨烯褶皱、残余物以及多层石墨烯岛,影响了石墨烯的局域输运性质,但是这些因素的存在并未影响整片石墨烯的性质。第叁部分工作是利用改造后的四探针STM系统研究SiO_2/Si衬底上多晶石墨烯的输运性质。该研究工作主要集中在转移到SiO_2/Si衬底上的双晶石墨烯,从而保证所测量石墨烯晶界的唯一性。利用四探针法,无损地测量了双晶石墨烯两侧晶畴以及跨晶界的二维电阻。为了获得石墨烯晶界的电阻率,建立了晶界扩展模型,能够很好地拟合出不同载流子浓度下的晶界电阻率。另外,这一模型也适用于石墨烯褶皱的输运测量。根据Drude输运模型,获得了石墨烯晶界和褶皱处的载流子迁移率。结果表明石墨烯晶界处迁移率比本征石墨烯低叁到四个数量级,而褶皱处的迁移率约为本征石墨烯的1/6~1/5。本工作拓展了人们对石墨烯晶界/褶皱处本征电子输运特性的认识,显示了四探针STM系统在研究缺陷等微观结构特性对材料输运性质的影响方面具有独特优势,也为其他二维材料晶界的输运性质表征提供了可行的方法。
罗辉[4]2010年在《四探针智能测试仪的研发》文中进行了进一步梳理随着电子科学技术的发展,对半导体材料各种性能参数的要求越来越高,其中,电阻率是半导体材料的主要性能参数之一。目前,四探针测试仪是测量半导体材料电阻率的一种重要仪器。传统四探针测试仪需要手动寻找测量点,测量周期较长、精度和效率较低,已无法适应时代发展,而市场上自动化程度较高的测试仪器价格一般比较昂贵。因此开发一台智能化且价格低廉的测试仪有着迫切的需要。本论文分析了国内外半导体材料测试仪的发展和现状,在传统ST-103A型手动四探针测试仪的基础上,结合PC机、单片机控制技术、视频采集技术等,研制出数字化智能四探针测试仪。该仪器可以对半导体材料电阻率进行自动测量,操作简便,工作效率高,且成本低廉,具有一定的研发价值和较好的市场应用前景。本文主要研究内容包括探针台机械改进,视频采集系统,下位机控制模块,上位机界面设计四大部分。其中,机械改进部分是在ST-103A型手动探针台基础上,设计了步进电机与丝杆导轨和滚珠导轨的机械连接件,用步进电机代替控制手轮,实现测试台的自动控制,且控制精度较高。视频采集系统采用CCD摄像头和SDK-2000视频卡实现了对测量过程的实时监视,能准确监测测量点和探针的位置。下位机控制模块以多I/O口且自带12位A/D内核的MSP430F449低功耗单片机为核心,设计了步进电机驱动模块、恒流源模块、四路选通开关模块、串口通信模块等,通过编写单片机代码实现对各功能模块的智能控制。上位机基于Visual C++编写中文操作界面,实现了测试界面显微图像的实时显示和存储、测试台的移动和测量控制、测量结果的处理等功能。上、下位机之间的联接通过串口通信协议实现。对测试仪的硬件和软件进行系统调试后,采用单晶Si(111)样品进行测量试验。结果表明,通过上位机对测试仪的自动控制,该测试仪能快速、准确地找到测量点,并可同时测量多点的电阻率值。测量数据能够被及时分析处理,并在上位机界面上直接显示,良好地实现了人机交互,且测量结果准确。
王伟[5]2007年在《四探针相关问题的研究》文中研究表明在计算机技术飞速发展的今天,计算机的存储容量日益增大,这样就对集成电路的制造工艺提出了更高的要求,要求集成电路的图形更加微细化,电路尺寸不断缩小,如今投入大规模生产的集成电路的特征尺寸已经达到了90nm,这样一方面要求圆片直径不断增大以提高生产率,另一方面对晶体的完美性、机械及电特性也提出了更为严格的要求。特别是微区的电学特性及其均匀性已经成为决定将来器件性能优劣的关键因素。因此,微区电阻率的测试成为芯片加工之中的重要工序。作为集成电路测试手段的四探针技术有着重要的应用,但是目前的四探针技术还存在着一些不足。因此本文进行了以下的研究:本课题的创新点有以下四点:1、提出了一种新的神经计算的方法,其最大的特点是在进行特定的权值调整时无须加入学习率。在实际的计算中利用这种方法进行曲线拟合能方便地求出拟合多项式的系数,简化了计算过程,便于编程计算。2、将这种方法应用到范德堡函数的多项式拟合中,作出了范德堡函数函数图象,使得四探针微区测量技术更具实用性。3、讨论了有限厚度半导体样品微区电阻率的微区测量中的厚度修正问题,把厚度修正公式的结果用规范化拟合法得到了一个多项式,该多项式又被绘制成相应的曲线,最后用实验验证了该修正公式的正确性,完善了改进的Rymaszewski方形四探针的微区测量方法,使得四探针微区测量技术更具实用性。
张艳辉[6]2004年在《图像识别在微区四探针测试技术中的应用》文中进行了进一步梳理随着科学技术的飞速发展，计算机不断更新换代，存储容量在不断的增长，作为其基础元件的集成电路已由超大规模(VLSI)向甚大规模(ULSI)阶段发展。图形日益微细化，电路尺寸不断缩小，目前IC制造以8英寸、0.13μm为主，预计在2007年左右将以12英寸、65nm为主，这一方面要求圆片直径不断增大以提高生产率，另一方面对晶体的完美性、机械及电特性也提出了更为严格的要求。特别是微区的电学特性及其均匀性已经成为决定将来器件性能优劣的关键因素。因此，微区电阻率的测试成为芯片加工之中的重要工序。为了更好的保证芯片的生产质量和最终产品的性能，需要深入开展四探针测试技术研究。为此，本文开展了以下研究工作： 综述了四探针技术的分类以及应用范围；对方形四探针测试技术进行了研究，利用Rymaszewski法自动消除探针纵向游移影响的优点，将它应用于方形探针测试法中，并对探针游移对改进Rymaszewski法测试结果的影响进行了深入探讨，提出了用图像识别技术监测测试进行的方法；完成了测试系统的测试平台以及测试电路的设计，研制出具有图像识别功能的斜置式方形探针分析仪一台，实现了硅片电阻率测试的自动化；对图像识别过程中涉及到的图像增强和阈值选择问题进行了论述，最终实现了对探针针尖的图像识别以及探针测试结构的自动调整，保证了方形探针测试仪的测试精度。 本课题的创新点如下： 1．首次在国内外将图像识别与分析技术应用于微区电阻测试之中并实现探针自动定位； 2．利用Rymaszewski法自动消除探针纵向游移影响的优点，将它应用于方形探针测试法中 3．研究了探针图像的图像增强和阈值选择问题，识别探针并自动调节探针测试位置。 4．完成具有图像识别功能的全自动四探针微区电阻率测试仪的研制。
孔德峰[7]2013年在《托卡马克边缘等离子体带状流及其在L-H模转换过程中作用的实验研究》文中提出高约束(H)模是1982年在德国ASDEX托卡马克上首次发现的一种改善约束的等离子体放电状态。H模期间,在边缘等离子体区会自发形成边缘输运垒(ETB)。在ETB区内由于湍流及其驱动的输运被抑制了,形成了陡峭的压强梯度区,使总体的等离子体约束得到了改善。因此研究L-H模的转换机制对于降低L-H模的转换阈值功率具有十分现实的意义。理论和实验研究表明流剪切WE×B在L-H模转换过程中扮演十分重要的角色。流剪切主要由平衡流和带状流贡献。其中带状流是一种极向和环向对称的静电涨落结构,分为低频带状流以及测地声模两种。实验和理论表明带状流主要是从湍流得到能量,并反过来能够抑制湍流所导致的反常输运。本论文研究工作主要围绕着带状流的激发、传播、与背景湍流的相互作用关系以及它在L-H模转换过程中可能的作用机制等物理内容展开的。主要的研究结果概述如下：1)在HL-2A上,我们利用边界探针阵列观察到测地声模的涨落幅度在时序上呈现出一种随机的阵发特性。利用这一阵发特性,我们将等离子体放电时序分成GAM强和GAM弱两种情况,并统计了这两种情况下反常径向粒子输运通量Tr的变化特征。实验结果表明,反常粒子输运主要是由20kHz~100kHz背景湍流所驱动的。较之GAM弱或无GAM的情况,GAM强时的径向粒子通量减小了13%,并且Tr随GAM涨落幅度的增加而单调下降。我们还统计了GAM强和GAM弱时,反常粒子输运计算公式中各项的变化。实验结果表明,GAM主要是通过降低背景湍流的涨落幅度来抑制反常输运的,这其中包括密度涨落幅度｜ne～｜(贡献38%)和电势涨落幅度｜Eθ～｜(15%)的下降,以及电势涨落与密度涨落相关系数γneEθ(38%)的降低。而电势涨落与密度涨落的耦合项cosαneEθ并不随GAM涨落幅度的变化而变化。2)我们利用静电探针阵列测量了HL-2A边界湍流和带状流在不同ECRH加热功率下的演化特征。ECRH注入功率大于一定阈值时,边界杂质含量开始显着增加。通过比较纯欧姆加热和ECRH加热两种条件下GAM的涨落功率谱变化,我们发现,除了当地的电子温度Te能够影响的GAM峰值频率外,当地的杂质离子含量同样能够改变GAM的峰值频率。通过一些合理的假设,我们发现碳杂质离子含量对GAM频率的影响与考虑杂质效应后GAM的色散关系所预言的GAM本征频率定性符合。我们同时观察了边界平衡径向电场Er、带状流以及背景湍流的演化特征,实验结果表明,当ECRH功率逐渐提高过程中,Er略有变负,低频带状流和测地声模的涨落功率明显增大,而背景湍流占总湍流的功率份额却在这一过程中逐渐减小,这些观察与“捕猎者-猎物”模型所预言的特征是相符的。通过双谱研究,我们发现ECRH注入之后,GAM出现自相互作用。一种可能的原因是ECRH注入之后,GAM的涨落功率超过一定阈值之后出现的一种非线性饱和机制。此外,随着ECRH注入功率的提高,GAM与背景湍流的相互作用强度也在逐渐提高,这可能预示着GAM在触发L-H模转换机制中起到重要的作用。3)在HL-2A欧姆放电过程中,通过降低等离子放电的弦平均密度,我们利用静电探针在边界观察到双GAM的实验现象。类似的现象在锂化处理后的HT-7边界也有观察到,同时我们还在HT-7观察到多GAM的实验现象。利用静电探针阵列,我们测量了不同径向位置处的电子温度,GAM的涨落幅度,频率以及径向波数的分布特征。HT-7上的实验结果表明,在HT-7上观察到两个不同频率的测地声模LFGAM和HFGAM, LFGAM和HFGAM的中心频率分别为12kHz和21kHz,并且在探针测量的径向范围内(r-α=0～2cm)基本保持不变。同时实验还观察至LFGAM的径向波数接近于0的位置为LFGAM涨落幅度最大的点。利用温度我们求得GAM的本征频率fGAMth随径向的分布,LFGAM波数为O的点同时对应fGAMth等于实际测量LFGAM频率的位置。这一位置对应的是LFGAM的激发点,LFGAM激发后,同时向里和向外传播,向外传播过程中其径向波数逐渐增大。HFGAM的径向分布特征也满足上述基本物理图像。这些实验结果与考虑动理学效应的GAM的色散关系有较好的符合。此外,LFGAM的激发点位置,我们观察至LFGAM与HFGAM的非线性叁波相互作用。由于这一径向位置对应LFGAM涨落幅度最强的位置,因此我们有理由相信, LFGAM与HFGAM的非线性耦合是GAM涨落幅度大到一定程度的结果。我们还在HT-7上观察到多GAM的实验现象。其中一些GAM的中心频率存在倍频的关系。利用幅度相关法,我们判断得到倍频的GAM源自于基频GAM的自相互作用。这也暗示着,当GAM的涨落幅度大到一定程度时,存在一种非线性饱和机制,使得GAM的能量能够转移到其他频率的测地声模上。4)在HL-2A中,当中性束加热功率处于L-H模转换阈值功率附近时,L-H模之间出现一种中间态,既I-phase。I-phase放电期间,我们观察到在最后闭合磁面里面的悬浮电位巧,电子温度Te,密度ne。以及压强Pe上均观察到明显的低频振荡,振荡频率一般为几kHz,并且上述物理参数的低频振荡相位均滞后于径向电场的幅度｜Er｜大概Л/2的相角。利用静电探针阵列,我们测量了I-phase放电期间电势低频扰动的环向模数和极向模数满足n=m=0,即LCO振荡在环向和极向上是一种对称的静电涨落结构。电势涨落上LCO振荡的幅度沿径向向外逐渐衰减,并在最后闭合磁面附近将到一个很低的水平。我们在HL-2A上的观察还表明,径向电场上LCO振荡的幅度｜Er～,LCO｜要超前于背景湍流的涨落幅度,即后者更多的表现为被｜Er～,LC｜｜调制的一种“结果”,这与“捕猎者-猎物”模型所预言的理论结果是完全相反。径向电场的低频振荡豆,Er～,LCO在时序上基本上超前于所有上述提到的物理量而唯独滞后于平衡径向电场Er～的变化。这一实验结果表明,平衡径向电场与低频涨落径向电场之间存在密切的联系,前者可能是激发后者的一个主要的原因。类似的现象R.R.Weynants等人在TEXTOR上的偏压电极实验也有过报道。此外,在等离子体水平位移保持平稳的情况下,我们测量了平衡径向电场和涨落电场在L-I-L模转换过程中完整的演化关系,同时对比了L-I模转换和I-L模反转换过程中平均流的变化。实验结果表明,触发L-I模转换时刻的径向电场要比I-L转换时刻的值要负很多。这一实验现象与早期S-I.Itoh等人的理论预言符合得很好。
赵晓然[8]2010年在《表征薄层电阻的Mapping技术研究》文中进行了进一步梳理本文介绍了常用的微区电阻测试方法,通过比较各种方法的优劣,选择四探针方法进行研究,分析了常规直线四探针法的基本原理、测准条件、电流量的选择、边缘和厚度的修正以及测量区域的选择。从常规直线四探针法入手,引进了改进的范德堡法,即斜置式四探针法,阐述了该方法优于常规直线四探针法的测量原理及测试条件,然后基于常规直线四探针法和改进的范德堡法,探讨了用于测量薄层电阻率的斜置式方形Rymaszewski四探针法的原理,用该方法测定了4寸圆形硅片的电阻率分布。从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分割数和差值,并且选择合适的门槛值,利用模糊数学将电阻率数据归于不同的模糊集,同一模糊集对应相同的电阻率,这样使得电阻率能以一定间隔分布,然后应用MATLAB软件画出电阻率的图形,以构成Mapping图。选取的Mapping图表示方法有:径向图、径向对比图、彩图、灰度图和等值线图。比较各种薄层电阻分布图的表示方法,优选出最理想的表征薄层电阻的Mapping图,即灰度显示,对样品的测试结果进行表示。表征薄层电阻的Mapping图的研究目的在于使薄层电阻分布情况一目了然,提高对测试结果的分析效果。本课题拟以改进原有样机对处理结果的表示方法为目标,改进后的处理结果直观、具体。
李晨山[9]2006年在《半导体材料四探针测试仪中的自动控制技术与图象识别技术的应用》文中认为四探针技术是测量半导体电阻率的专用测量手段,已经有几十年的历史。它不仅包括丰富的理论,而且已经在半导体生产工艺中获得了广泛应用。当今,集成电路制造技术飞速发展,对半导体晶片微区各种性能的要求日益提高。四探针技术也同时面临着新的挑战。鉴于这种形势,我们自行开发了一台独具特色的四探针测试仪,它不仅使用了PC机和单片机自动控制技术来完成测量过程,还结合了图象识别技术进行探针的精确定位。在这篇论文中,本人重点阐述了自己的工作,并对我们的测试仪做了全面介绍。首先,在绪论中概括介绍了四探针技术背景、测试仪总体概况和本论文的主要研究内容。然后,对四探针测量理论进行了简要论述,包括各种四探针法测量公式的归纳和一些相关理论的总结,并且着重强调了应用到方形四探针的改进的Rymaszewski测量法。接着,分别从下位单片机的电路设计、上位PC机的操作软件设计和图象识别探针定位技术等几个方面,系统全面地介绍了我们这台测试仪的技术内涵。其中在下位单片机电路中,重点介绍了恒流源的设计过程,它是下位机电路的关键组成部分,也是我们经过大量电路调试和样品测量实验得出的开发成果。在本文最后,对测试仪的使用方法及注意事项、数据处理和主要性能进行了总结。
谢辉[10]2006年在《大型硅片内微区薄层电阻均匀性测试技术研究》文中研究表明随着科学技术的飞速发展,集成电路和软件早已经成为信息社会经济发展的基石和核心,其中集成电路是最能体现知识经济特征的典型产品之一。目前,以集成电路为基础的电子信息产业已成为世界第一大产业,芯片制造技术上采用了更大尺寸的硅晶片(300 mm) ;采用铜线互连技术替代铝线技术,进一步缩小芯片内部特征尺寸(采用90 nm甚至65 nm的制造技术)。这样人们对晶体的完美性,电特性就提出更为严格的要求,特别是微区的电特性及其均匀性更引起人们的关注,微区电阻率的测试已经成为芯片加工之中的重要工序。为了更好的保证芯片的生产质量和最终产品的性能,需要深入开展四探针测试技术研究,运用可靠的测试手段,对器件性能做出准确无误的判断。为此,本文开展了以下研究工作:综述了四探针技术的分类以及应用范围;对方形四探针测试技术进行了研究,利用Rymaszewski法自动消除探针纵向游移影响的优点,将它应用于方形探针测试法中,并就四探针技术的优缺点进行分析,然后在孙以材教授课题组研制的四探针测试仪的基础上对其做了进一步改进。在分析四探针技术的弊端的基础上创造性的提出将电阻抗成像技术应用于微区薄层电阻的测试中。本课题主要完成工作如下:1.对孙以材教授课题组研制的四探针自动测试仪提出了改进措施,重点对恒流源做了进一步改进设计。2.就电阻抗成像技术(electrical impedance tomography,简称EIT)做了进一步的研究,对其正问题,有限元剖分,逆问题,线性反投影等应用于大型硅片微区薄层电阻的测试中在理论上做了进一步的研究。3.就测试细节,包括测试电流的选择,探针的选择,探针的位置等做了进一步的研究。4.设计并实现了一个初步的基于硅片物理模型的32电极EIT硬件系统各功能子模块,包括:恒流源模块、激励测量模式设置模块、信号检测模块及采集模块。5.用斜置的微区薄层四探针测试仪进行实际硅片的测量。
参考文献：
[1]. 结合图像分析的微区薄层电阻四探针测试技术研究[D]. 刘新福. 河北工业大学. 2003
[2]. 结合图像分析的四探针测试系统研究[D]. 王静. 河北工业大学. 2003
[3]. 四探针扫描隧道显微镜的彻底改造及石墨烯输运性质研究[D]. 马瑞松. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所). 2017
[4]. 四探针智能测试仪的研发[D]. 罗辉. 杭州电子科技大学. 2010
[5]. 四探针相关问题的研究[D]. 王伟. 河北工业大学. 2007
[6]. 图像识别在微区四探针测试技术中的应用[D]. 张艳辉. 河北工业大学. 2004
[7]. 托卡马克边缘等离子体带状流及其在L-H模转换过程中作用的实验研究[D]. 孔德峰. 中国科学技术大学. 2013
[8]. 表征薄层电阻的Mapping技术研究[D]. 赵晓然. 河北工业大学. 2010
[9]. 半导体材料四探针测试仪中的自动控制技术与图象识别技术的应用[D]. 李晨山. 河北工业大学. 2006
[10]. 大型硅片内微区薄层电阻均匀性测试技术研究[D]. 谢辉. 河北工业大学. 2006