Gd4（Bi,Ge）3化合物的室温磁熵变效应（英文）

论文摘要

通过电弧熔炼和随后的退火处理制备出单相多晶化合物Gd4Bi3-xGex（x=0,1和2）。Gd4Bi3-xGex的晶体结构为反Th3P4型,空间群为I-43d。晶胞参数a从x=0的0.939 93（2） nm减少到x=2的0.906 97（2） nm。通过Arrott方法得到x=0,1和2的居里温度分别为327、350和296 K。5 T变场下,x=0,1和2的最大磁熵变分别为2.7、2.3和3.4 J·kg-1·K-1,相对制冷能力分别为257、184和442 J·kg-1。居里温度附近的临界磁行为遵循标度理论。居里温度之上和之下的等温磁化曲线可用两个不同的正则函数描述。分析表明,Gd4BiGe2在铁磁-顺磁转变附近的磁行为为平均场下的长程相互作用。

论文目录

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 朱宇涛,马春兰,姚金雷

关键词: 磁卡效应,磁熵变,稀土化合物,标度假设,临界行为

来源: 苏州科技大学学报(自然科学版) 2019年03期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 苏州科技大学数理学院,江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室

基金: 国家自然科学基金资助项目(21771136,51301116),江苏省高等学校自然科学研究重大项目(17KJA140001),苏州科技大学研究生创新工程项目(SKCX18_Y15)

分类号: O614.339

页码: 25-30

总页数: 6

文件大小: 509K

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