论文摘要
优化设计了基于金属掩模的全息光刻微纳光栅制备工艺方案,基于GaAs衬底利用全息光刻和感应耦合等离子体（ICP）干法刻蚀技术制备出周期为860 nm的光栅图形。将磁控溅射生长的金属硬掩模作为光栅刻蚀的阻挡层引入到刻蚀工艺中,并利用lift-off技术制备Ni掩模。对比了以光刻胶、SiO2、Ni三种材料作为ICP干法刻蚀掩模对光栅刻蚀深度及形貌的影响,结果表明,Ni掩模具有较强的抗刻蚀特性。扫描电镜测试结果显示:将50 nm厚的Ni作为硬掩模,可以实现深宽比约为4.9的光栅结构,该结构的槽宽为300 nm,刻蚀深度为1454 nm,具有陡直的侧壁形貌及良好的周期性和均匀性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 龚春阳,范杰,邹永刚,王海珠,赵鑫,马晓辉,崔超,宋子男
关键词: 光栅,全息光刻,硬掩膜,干法刻蚀
来源: 中国激光 2019年12期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 物理学,仪器仪表工业,无线电电子学
单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,陆军驻长春地区第一军区代室
基金: 吉林省科技发展计划(20180519018JH,20190302052GX),吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20190543KJ)
分类号: TH74;TN248.4
页码: 141-146
总页数: 6
文件大小: 493K
下载量: 272
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