（揭阳供电局）
摘要：针对电容式电压互感器δ端子绝缘下降，引线接触不良造成介损测量异常，本文结合现场试验结果和理论分析，找出了其解决办法。
关键词：CVT；介质损耗；测量误差；自激法
1．前言
近年来，电容式电压互感器（以下简称CVT）以其优良的价格及性能比受到电力系统的青睐，并有逐步取代电磁式电压互感器的趋势。由于大部分CVT都是安装在户外，运行三、五年后，其一次接线板周围通常都会生锈以及二次端子受潮，这给现场试验带来很大的干扰。特别是CVT的δ端子绝缘下降，引线接触不良都会导致在试验中往往其测量值分散性较大，本文就从这两个方面的问题，结合试验实际，并进行理论分析，找出了相应的解决办法。
测量CVT介损采用辅助绕组加压的自激法，试验接线如图2（测Cl、），图3（测C2，）所示。
2.δ端子绝缘的下降使C1介损异常
2.1测试异常结果
2013年5月12日，某变电站一条110kV出线CVT预试，其型号为TYD110／-0．01，1996年投运。介损试验原理接线采用图2、图3。测C1绝缘时将XT接地端打开，摇表L端接CVT上端，E端接XT端；测C2绝缘时同样将XT接地端打开，摇表L端接δ端，E端接XT端。试验结果见表1
表1中C1、C2电容量的测得值可计算出总的电容量为9860pF，与铭牌标称值相比误差仅-0.3％，说明电容量合格。从表1测得的介损和绝缘数据看：上节电容C1介损严重超标，而绝缘却非常高；下节电容C2介损合格，绝缘却很低。根据介质损耗原理：C2在绝缘很低的情况下，其介损应该较大，但实际测试结果并非如此。
2.2异常结果分析
根据C2的异常结果，首先对其绝缘异常降低进行原因分析与查找，将CVT二次接线板（XT、δ端子与二次共用一接线板）上的所有引线全部拆开，测得δ端子对地绝缘为40MΩ，XT对地绝缘为20MΩ，几个二次绕组对地绝缘均为20MΩ左右，由此可判断，CVT二次引出接线板外表面或CVT电磁单元受潮或脏污。通过用干燥棉布对接线板进行擦拭，并用电吹风对其进行表面驱潮处理后，测得所有端子绝缘均在10000MΩ以上，重新测试δ端子对XT端子绝缘（C2绝缘）为18000MΩ，说明C2绝缘大幅降低的原因是δ端子绝缘下降所致，重新进行介损测试，结果见表2。
从表2知，δ端子绝缘恢复后，C1的介损也恢复正常，那么C1介损异常升高是否与δ端子绝缘下降有关呢?下面将详细分析之。
考虑δ端子对地绝缘电阻Rｇ影响时，电桥的等效电路见图4。
δ端子绝缘降低会不会对C2产生影响呢?根据QSl电桥原理：此时Rｇ与R3并联，R3所承受的电压很低，在Rｇ大幅降低的情况下通常也有MΩ级，其值仍远远大于R3，故Rｇ的影响可以忽略，两次测量结果如此相近证明了分析的正确性，所以δ端子绝缘降低对C2介损的测量影响很小。
3．引线接触不良对介损试验结果的影响
应该指出，对于一般试品由于其电容CX仅为几百皮法（如套管、互感器等）所以一般即使有接触电阻RJ的影响，其值ωCXRJ均很小亦可以忽略不计。而对于一些大电容试品（如变压器绕组间或绕组对地电容）其介质损耗的标准相对较大（最小值为0.8%），所以ωCXRJ的影响相对亦小一些。往往不会使实测tanδ超过规程的规定值。
4．结束语
4.1我们作为一名高压试验人，做试验的时候就是要认认真真，排除万难，不能因为介损增大了，就怀疑设备有问题，而是应该排除干扰。就像文中所说CVT的δ端子绝缘下降，应该通过去脏污、驱潮处理后，做出正确的数据，让人家得到信服。
4.2用自激法测量CVT的介损时，因δ端子外绝缘的下降可导致上节电容C1介损的异常增大，因而在试验时，应保证δ端子绝缘良好（2500MΩ以上），才能得出准确结果。否则，用公式（5）进行修正也可得到满意的结果。
4.3同理也可以论证，油浸式的CT及套管的末屏外绝缘受潮了，独有可能引起介质损的增大。
4.2在测量电容式电压互感器的分压电容器的介损时，一定要认真检查测量线是否接触良好，否则会得到与实际情况相差很大的结果，甚至得到错误的结论，误导现场设备的检修情况。
参考文献：
[1]四川电力试验研究院李建明、朱康编.高压电气设备试验方法中国电力出版社，2001
[2]陈化钢编．电力设备预防性试验方法及诊断技术．中国水利水电出版社，2009
[3]南方电网《电力设备预防性试验规程》Q／CSG1007-2004