导读:本文包含了侧空间电荷区论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电荷,空间,模型,半导体,电流,电压,载流子。
侧空间电荷区论文文献综述
赵丹梅[1]（2017）在《Matlab GUI在PN结空间电荷区相关计算中的应用》一文中研究指出文章使用matlab用户图形界面设计了一个计算和分析PN结空间电荷区宽度的可视化界面。通过分析PN结的形成,从理论上给出空间电荷区宽度的计算公式,讨论了影响空间电荷区宽度的因素,最终得到影响PN结空间电荷区宽度的主要因素为P区和N区的掺杂浓度NA和ND以及外加电压V。(本文来源于《长治学院学报》期刊2017年05期）
韩名君,柯导明,王保童,王敏,徐春夏[2]（2013）在《亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型》一文中研究指出本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.(本文来源于《电子学报》期刊2013年11期）
徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,许立军,马建立[3]（2011）在《SOI部分耗尽SiGe HBT集电结空间电荷区模型》一文中研究指出SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用"折迭"集电极,已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容.本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型,提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的"部分耗尽(partially depleted)晶体管"集电区简化电路模型.基于器件物理及实际考虑,系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型,并根据该模型对不同器件结构参数进行分析.结果表明,空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽,空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大,随集电结反偏电压提高而增大,随衬底电压减小而增大,直到集电区纵向全部耗尽,然后开始横向扩展.该模型为新一代基于SOI的SiGe毫米波BiCMOS电路设计和仿真提供了重要参考.(本文来源于《物理学报》期刊2011年07期）
陈凤翔,崔容强,孟凡英,赵占霞,古丽那[4]（2003）在《空间电荷区和晶界复合对多晶太阳电池基区少数载流子寿命的影响》一文中研究指出该文采用多晶硅太阳电池模型,通过引入空间电荷区复合速度来研究空间电荷区复合对少子寿命的影响,从计算结果中发现当复合速率大于105cm/s时,空间电荷区的复合影响不可忽略,必须对所测得的寿命值进行修正。(本文来源于《太阳能学报》期刊2003年05期）
尚也淳,张义门,张玉明[5]（2001）在《SiC MOS结构空间电荷区杂质离化的研究》一文中研究指出在研究SiCMOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel Pool效应 ,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型 .基于对一维Poisson方程的求解 ,分析了场致离化对SiCMOS结构特性的影响 ,结果表明 ,电场的作用会提高SiC中杂质离化浓度 ,使析冻效应减弱 ,并最终导致SiCMOS器件特性发生变化(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2001年05期）
严北平[6]（1999）在《HBT空间电荷区复合电流的解析模型》一文中研究指出建立了异质结双极晶体管ＥＢ结空间电荷区复合电流的解析模型，基于该模型计算出了不同基区掺杂浓度下空间电荷区的复合率，获得了空间电荷区复合电流随外加电压的变化关系。(本文来源于《半导体情报》期刊1999年03期）
顾伟东,夏冠群,冯先根,吴强,P[7]（1997）在《AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究》一文中研究指出本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据．(本文来源于《半导体学报》期刊1997年10期）
陆国杰[8]（1992）在《双掺杂单结型p-n结空间电荷区静态特性理论及其实用》一文中研究指出用一新的工艺解析模型求得双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性的一般理论。基于对C—V曲线之“∫”形陡变区的定量分析,阐述了该理论在电调变容管中的实用结果,还给出器件的优化设计考虑。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1992年03期）
吴德喜,范坤泰[9]（1989）在《应用泊松方程分析P+N结空间电荷区》一文中研究指出用平面工艺制造的P~+N结,在扩散区底部形成平面结,侧面形成曲率半径约为扩散结深度的柱面结。其截面如图1所示。柱面结部分的空间电荷区同平面部分的相比,“一方面电力线密集”,另一方面“空间电荷区有所收缩”,(本文来源于《山东工业大学学报》期刊1989年04期）
王淑君[10]（1987）在《试析GaAsMESFET栅结空间电荷区的穿通对器件设计的限制》一文中研究指出本文分析了非对称结构GaAsMESFET的栅结在反偏置条件空间电荷区的穿通引起的栅结低击穿现象。给出了穿通后击穿电压的计算公式及曲线以及为保证器件达到规定的击穿电压、夹断电压,器件结构设计的限制。(本文来源于《半导体情报》期刊1987年02期）
侧空间电荷区论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
侧空间电荷区论文参考文献
[1].赵丹梅.MatlabGUI在PN结空间电荷区相关计算中的应用[J].长治学院学报.2017
[2].韩名君,柯导明,王保童,王敏,徐春夏.亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型[J].电子学报.2013
[3].徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,许立军,马建立.SOI部分耗尽SiGeHBT集电结空间电荷区模型[J].物理学报.2011
[4].陈凤翔,崔容强,孟凡英,赵占霞,古丽那.空间电荷区和晶界复合对多晶太阳电池基区少数载流子寿命的影响[J].太阳能学报.2003
[5].尚也淳,张义门,张玉明.SiCMOS结构空间电荷区杂质离化的研究[J].西安电子科技大学学报.2001
[6].严北平.HBT空间电荷区复合电流的解析模型[J].半导体情报.1999
[7].顾伟东,夏冠群,冯先根,吴强,P.AlGaInP/GaAsHBT发射结空间电荷区复合电流的研究[J].半导体学报.1997
[8].陆国杰.双掺杂单结型p-n结空间电荷区静态特性理论及其实用[J].固体电子学研究与进展.1992
[9].吴德喜,范坤泰.应用泊松方程分析P+N结空间电荷区[J].山东工业大学学报.1989
[10].王淑君.试析GaAsMESFET栅结空间电荷区的穿通对器件设计的限制[J].半导体情报.1987
论文知识图
