导读:本文包含了导电原子力显微镜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:显微镜,原子,纳米,电导,探针,量子,子环。
导电原子力显微镜论文文献综述
邓长发,燕少安,王冬,彭金峰,郑学军[1]（2019）在《基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能》一文中研究指出利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,利用探针作为微电极构成基于单根GaN纳米带的两端结构压电器件.通过改变探针加载力的大小和引入外加光源调控GaN纳米带的电流输运性能,对单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能变化规律进行研究.研究发现,在有光条件下单根GaN纳米带整流开关比明显增大,随着加载力的增大,单根GaN纳米带电流响应值增大但整流特性减弱.最后,基于压电电子学和光电导效应理论,通过分析肖特基势垒在加载力及光照作用下的变化规律解释了实验现象.(本文来源于《物理学报》期刊2019年23期）
刘潇枭,肖晨,胡罗成,金晨宁,余丙军[2]（2017）在《不同扫描速度下的导电原子力显微镜电流测试研究》一文中研究指出导电原子力显微镜(C-AFM)可在微观尺度下同时检测表征材料表面形貌和导电状态,是重要的材料表面表征设备。针对C-AFM测试过程中电流信号失真的问题,研究了其产生的规律,并提出了解决的措施。首先使用原位纳米力学测试系统在砷化镓(GaAs)表面制作出纳米划痕,再利用C-AFM对GaAs表面的划痕进行形貌和电流信号检测,并与GaAs表面做以对比。实验结果表明:在低偏压未导通的情况下,针尖的扫描方向和扫描速度对电流信号的检测有显着影响,当针尖垂直于划痕扫描时,可得到起伏的电流信号,而平行于划痕方向扫描时,则无明显的电流信号;划痕处电流信号的产生与C-AFM的扫描速度大小有关,速度越大,电流波动越明显;降低速度可有效避免这种形貌起伏(如表面沟槽)所致的电流波动的产生。分析表明,这种电流波动的产生与C-AFM探针悬臂梁在针尖经过材料表面的剧烈起伏时所产生的位移电流有关。研究结果提供了C-AFM扫描过程中避免错误电流信号干扰的方法。(本文来源于《中国科技论文》期刊2017年16期）
钟海舰,刘争晖,徐耿钊,石林,樊英民[3]（2014）在《基于导电原子力显微镜技术对石墨烯与GaN接触界面电学性质的研究》一文中研究指出石墨烯因其独特的性质,近年来迅速成为材料科学、凝聚态物理等众多领域的研究热点。在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件中,石墨烯与半导体所形成的界面是器件的核心结构。因此,从理论和实验上对于界面电学特性的微观测量及其载流子的输运机制的系统性研究,将有助于进一步推动石墨烯在半导体电子和光电子器件方面的应用发展。在本报告中,我们以石墨烯与GaN半导体的接触界面为研究对象,应用自主研发的扫描近场光电多功能探针系统,采用导电原子力显微镜方法,配合微区拉曼光谱,并以传统金属-半导体接触理论为基础,针对石墨烯费米能级可浮动的特点,考虑半导体表面态的贡献,完善了石墨烯-半导体肖特基接触的理论模型,在实验和理论上系统地研究了机械解理石墨烯和化学气相沉积生长石墨烯在与GaN半导体接触后的费米能级自适应移动特性及其相应的载流子输运机制,并发现了石墨烯褶皱可与GaN形成欧姆接触的独特性质。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第32分会：纳米表征与检测技术》期刊2014-08-04）
彭博[4]（2013）在《AZO薄膜电学性质的导电原子力显微镜研究》一文中研究指出ZnO具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,有良好的物理性能和结构特性,因此具有广泛应用前景,与此同时,Al掺杂ZnO薄膜也成为人们研究的热点。本文采用射频磁控溅射的方法制备了Pt薄膜和AZO薄膜,利用X射线衍射分析、原子力显微镜、反射光谱及霍尔效应对薄膜进行了相应的分析,探讨了Pt薄膜和AZO薄膜的微观电学性能。论文分为以下两个部分：Ⅰ利用反应磁控溅射方法在蓝宝石基片上制备了Pt薄膜。XRD以及φ扫描的结果表明Pt薄膜择优取向为(111)并且与蓝宝石基片有良好的外延关系。原子力显微镜的结果说明Pt薄膜表面的晶粒大小基本小于200nm,平均的面粗糙度为1.12nm,晶粒比较均匀。导电原子力的测试结果说明探针与Pt薄膜之间属于欧姆接触。通过定点I-V曲线的测量,发现接触电阻的大小与探针与薄膜表面的接触位置有,在晶界处接触电阻偏大；在晶粒处,接触电阻偏小。Ⅱ利用反应磁控溅射方法,在硅基片上制备了Al掺杂ZnO薄膜。通过对样品霍尔效应的测量,发现样品的载流子浓度达到1.52×1021cm-3,具有良好的导电性。原子力显微镜测试结果显示出,薄膜晶粒比较小,在50-100nm之间,形貌均匀,表面粗糙度在8nm左右。在导电原子力测得的电流图像中,电流呈不均匀分布,电流集中在晶粒的位置,而晶界的位置很少有电流出现。通过测量薄膜不同位置的I-V曲线,得到了类似于肖特基接触的伏安特性曲线,并且发现不同位置的I-V曲线的开端电压有明显的差异。通过I-V曲线拟合给出了AZO薄膜不同位置对应的肖特基势垒的理想因子。通过理论分析可以得出,薄膜表面电流的不均匀分布,可能与薄膜表面形貌有关。薄膜的不同位置形成的肖特基结具有不同的结面积和结厚度,表现出不同的电流分布。(本文来源于《大连理工大学》期刊2013-04-27）
蒋晓红,胡彬彬,杜祖亮[5]（2012）在《C60和CdS量子点间光诱导电荷跨膜转移的导电原子力显微镜研究》一文中研究指出C60自1985年被发现以来,其特殊的笼状高度对称结构及随后发现的一系列特异的半导体、超导、磁学、非线性光学等物理化学性质和独特的生物医学效用,吸引了人们的广泛注意,其复合功能体系的光电特性研究,尤其受到人们的关注。实现C60分子在复合体系中的精确控制排列从而使其具有特定性质至关重要.(本文来源于《中国化学会第28届学术年会第15分会场摘要集》期刊2012-04-13）
赵华波,李震,李睿,张朝晖,张岩[6]（2009）在《碳纳米管网络导电特征的导电型原子力显微镜研究》一文中研究指出利用导电型原子力显微镜对大范围碳纳米管(CNT)网络的导电性能进行成像观察.研究发现:在几十微米的成像范围内,每根CNT本身的电阻远小于CNT之间的接触电阻,以致于在电压偏置的网络中不同的CNT呈现电位不同的等位体;CNT的导电性能虽不因与其他CNT的交迭接触而改变,但是如果缠绕成束,则半导体性CNT趋于呈现金属性CNT的导电特征.(本文来源于《物理学报》期刊2009年12期）
程纲,王书杰,程轲,蒋晓红,王理想[7]（2008）在《利用导电原子力显微镜研究单根氧化铜纳米线的电流像》一文中研究指出半导体纳米线的表面态对其光电特性有重要的影响。近来有报道指出GaN和Si纳米线的表面态随晶面的不同而变化1,2。本文中我们利用导电探针原子力显微镜对单根氧化铜纳米线的电流像进(本文来源于《中国化学会第26届学术年会纳米化学分会场论文集》期刊2008-07-01）
刘东平[8]（2008）在《导电原子力显微镜在介质薄膜电流图像检测中产生的假像》一文中研究指出对导电原子力显微镜在介质层电流图像检测中存在的假像进行了研究。发现这种假像归因于导电探针针尖较大的直径,其大小与被检测样品表面的缺陷点、漏洞、沟穴大小相关。研究表明,为提高图像分辨率,避免检测过程中存在的假像,需要使用具有纳米直径针尖的超尖导电探针。(本文来源于《大连民族学院学报》期刊2008年01期）
吴荣[9]（2007）在《用导电原子力显微镜研究锗硅量子点和量子环的形貌和电学特性》一文中研究指出以半导体量子点为代表的半导体纳米结构在光电子、微电子和单电子器件领域有着重要的应用前景,在硅衬底上自组织生长的GeSi量子点由于与成熟的硅集成电路工艺兼容而更具有特殊的意义,是当前的研究热点之一。而量子点的量子物理特性是构筑许多纳米电子器件及单电子器件的基础,因而在纳米尺度上研究单个量子点的电学性质极为重要。导电原子力显微镜(CAFM)是近年来发展起来的一种扫描探针显微镜,它能同时得到样品表面纳米尺度的形貌信息和电学信息。因而CAFM可以用来表征单个量子点的微结构及其物理特性,从而为材料的控制生长和应用提供依据。本论文使用CAFM研究了自组织生长的GeSi量子点和GeSi量子环的形貌和电学性质,主要取得了以下结果:1、研究了样品表面的自然氧化物对量子点电学性质的影响。通过分析I-V特性曲线,根据针尖与量子点之间自然氧化物的存在与否将针尖与量子点间的接触分为两种类型:金属—半导体接触和金属—氧化物—半导体接触,它们对应的电流传导机制分别为热电子发射和F-N隧穿。通过对电流分布图像分析获知,电流分布并不随着施加正压力的大小而改变分布特性;同时,电流分布也不随着暴露时间延长而增加的氧化物厚度改变。这就为在大气环境下使用CAFM研究电流分布图像的可靠性提供了基本的依据。2、研究了偏压对CAFM得到的GeSi量子点的电流分布图像影响。在较小的偏压-0.5～-2.0 V内,量子点的电流分布特征保持环状,量子点中心部位的导电性弱于边缘部位。量子点区域的电流值统计表明,其符合对数正态分布函数,遵从正态分布的随机变量的均值I_0和偏压的关系满足F-N隧穿关系:偏压增加至-2.5～-4.0 V范围内,量子点的电流分布特征呈圆盘状,量子点中心的导电性比边缘好。电流值的统计图中显示出多元对数正态分布特征。第一均值I_0和偏压的增长关系符合热电子发射模型,在高偏压下量子点中心电流值出现了饱和现象。通过对量子点电流分布图像的电流值统计数据的对比,发现了随着偏压的增加,量子点的电流传导机制从F-N隧穿向热电子发射转变的过程。3、使用CAFM观察到了GeSi量子点的荷电现象。在量子点的I-V特性曲线中,有明显的电流峰产生,对应的载流子充放电过程速度极快,只能在快速的扫描过程中才能捕获到,因此在一般常规的稳态扫描中观察不到。电流峰的位置和强度等参数是和扫描的速度、方向、电压范围、时间等密切相关。其具体的物理机制是因为空穴被限制在了氧化物/GeSi量子点/Si衬底组成的量子阱中。这是首次观察到单个量子点的荷电现象。4、研究了GeSi量子环的电流分布特征和I-V特性曲线。使用CAFM直观地观察到了随着Si覆盖层的增加,量子点向量子环的转变过程中电流分布的变化特征。随着覆盖层的增加,电流分布从最初的量子点的环状分布特征转变为十字交叉形状,此时对应金字塔结构量子点;当覆盖层加厚,量子点形貌为mound时,电流分布特征不明显;继续增加覆盖层至量子环形成,其电流分布特征与形貌对应呈环状,且量子环环状电流分布的特征并不随着外加电压的增加而变化。量子环上的I-V特性曲线呈现出明显的共振隧穿特性,这是由于空穴在应变诱导的量子环势场的平面间的隧穿造成的。这是首次在室温条件下观察到量子环结构的共振隧穿现象。(本文来源于《复旦大学》期刊2007-05-28）
程纲,王书杰,蒋晓红,张兴堂,杜祖亮[10]（2006）在《利用导电探针原子力显微镜研究单根CuO纳米线的输运特性》一文中研究指出Cupric oxide (CuO) is a p-type semiconductor with a narrow band gap (1.2 eV) and exhibits a number of interesting properties. In recent years, the synthesis of 1-D CuO nanostructures and the field emission properties of 1-D CuO arrays have been widely investigated. Nevertheless, the electrical transport properties of a single CuO nanowire have not been reported yet. In our experiment, the CuO nanowires were synthesized by heating copper substrates in air. The transport behaviors of single CuO nanowire and the spatially transport behaviors of single CuO nanowire are investigated by conductive probe atomic force microscopy.(本文来源于《中国化学会第二十五届学术年会论文摘要集（上册）》期刊2006-07-01）
导电原子力显微镜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
导电原子力显微镜(C-AFM)可在微观尺度下同时检测表征材料表面形貌和导电状态,是重要的材料表面表征设备。针对C-AFM测试过程中电流信号失真的问题,研究了其产生的规律,并提出了解决的措施。首先使用原位纳米力学测试系统在砷化镓(GaAs)表面制作出纳米划痕,再利用C-AFM对GaAs表面的划痕进行形貌和电流信号检测,并与GaAs表面做以对比。实验结果表明:在低偏压未导通的情况下,针尖的扫描方向和扫描速度对电流信号的检测有显着影响,当针尖垂直于划痕扫描时,可得到起伏的电流信号,而平行于划痕方向扫描时,则无明显的电流信号;划痕处电流信号的产生与C-AFM的扫描速度大小有关,速度越大,电流波动越明显;降低速度可有效避免这种形貌起伏(如表面沟槽)所致的电流波动的产生。分析表明,这种电流波动的产生与C-AFM探针悬臂梁在针尖经过材料表面的剧烈起伏时所产生的位移电流有关。研究结果提供了C-AFM扫描过程中避免错误电流信号干扰的方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
导电原子力显微镜论文参考文献
[1].邓长发,燕少安,王冬,彭金峰,郑学军.基于导电原子力显微镜的单根GaN纳米带光调控力电耦合性能[J].物理学报.2019
[2].刘潇枭,肖晨,胡罗成,金晨宁,余丙军.不同扫描速度下的导电原子力显微镜电流测试研究[J].中国科技论文.2017
[3].钟海舰,刘争晖,徐耿钊,石林,樊英民.基于导电原子力显微镜技术对石墨烯与GaN接触界面电学性质的研究[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第32分会：纳米表征与检测技术.2014
[4].彭博.AZO薄膜电学性质的导电原子力显微镜研究[D].大连理工大学.2013
[5].蒋晓红,胡彬彬,杜祖亮.C60和CdS量子点间光诱导电荷跨膜转移的导电原子力显微镜研究[C].中国化学会第28届学术年会第15分会场摘要集.2012
[6].赵华波,李震,李睿,张朝晖,张岩.碳纳米管网络导电特征的导电型原子力显微镜研究[J].物理学报.2009
[7].程纲,王书杰,程轲,蒋晓红,王理想.利用导电原子力显微镜研究单根氧化铜纳米线的电流像[C].中国化学会第26届学术年会纳米化学分会场论文集.2008
[8].刘东平.导电原子力显微镜在介质薄膜电流图像检测中产生的假像[J].大连民族学院学报.2008
[9].吴荣.用导电原子力显微镜研究锗硅量子点和量子环的形貌和电学特性[D].复旦大学.2007
[10].程纲,王书杰,蒋晓红,张兴堂,杜祖亮.利用导电探针原子力显微镜研究单根CuO纳米线的输运特性[C].中国化学会第二十五届学术年会论文摘要集（上册）.2006
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