一、电子束曝光机束闸电路（论文文献综述）
王俊[1]（2020）在《高深宽比氢原子钟准直器制备及其性能测试研究》文中进行了进一步梳理为了解决氢原子钟用准直器的多孔结构存在尺寸精度低、结构均匀性差等缺陷所导致的粒子约束性低、准直效率差的问题,本文提出了一种制备氢原子钟用准直器的方法:采用电子束曝光技术组合湿法刻蚀技术在石英玻璃表面刻蚀出阵列槽结构,使用激光对刻蚀完成后的石英玻璃进行等尺寸切割,将切割后的单块石英玻璃相互结合获得具有高深宽比的准直器。本文主要研究内容如下:1.设计单因素试验探究抗蚀剂厚度、曝光剂量、显影时间、加速电压对电子束曝光的影响,试验结果表明:200nm的抗蚀剂厚度、150p As/cm2的曝光剂量、75s的显影时间、30KV的加速电压为较优的曝光参数,使用该参数在石英玻璃的PMMA抗蚀剂层曝光出宽度为5μm、间距为120μm的阵列槽结构。2.设计单因素试验探究刻蚀液温度、浓度、成分对刻蚀效果的影响并基于单因素试验结果设计相应的正交试验方案,结果表明:刻蚀液温度为35℃、刻蚀液浓度为40%、刻蚀液成分为氢氟酸、盐酸和氟化铵的混合液时,具有较合适的刻蚀速率、较低的槽底面粗糙度、良好的侧壁形貌。刻蚀5min后获得深度为4.094μm、宽度为13.291μm、间距为120.251μm的阵列槽结构。3.使用激光对湿法刻蚀后的石英玻璃进行等尺寸切割,单块石英玻璃相互结合获得准直器并对其端面进行研磨抛光。4.基于等离子体试验平台,分别对本课题制备的准直器和已有的准直器进行氢等离子体相关参数的测试,结果表明:在一定的氢气流量范围内使用本课题制备的准直器可以获得更高的离子流、电子流数值,具有较好的准直效果。
毕开西[2]（2019）在《功能性电子束抗蚀剂的研究及器件应用》文中提出纳米尺度的高分辨功能性结构在微电子器件、等离激元光学、生物传感等领域有着重要的应用。但是如何更加高效地加工出更高精度的功能结构一直都是研究人员所关注的问题。常规的加工手段包括三个步骤:（1）通过高能电子束曝光对抗蚀剂进行微纳结构制备;（2）在样品表面沉积功能材料;（3）通过剥离或者刻蚀工艺将抗蚀剂结构转移到功能性材料上。这种加工方法作为一种成熟稳定的制备工艺可以满足实验室的大部分应用需求。但是该方法在使用过程中同样也存在一些问题:比如需要用到真空镀膜设备、图形转移过程中容易产生图形分辨率的缺失和缺陷的引入、高深宽比结构和亚10 nm结构制备困难等等。为了解决传统功能结构制备工艺中遇到的困难,科研人员提出了利用功能性抗蚀剂直接制备功能结构的方法,即将抗蚀剂经过电子束曝光后直接实现某种功能。功能性电子束抗蚀剂的使用不仅减少了图形转移这一复杂的步骤,而且也避免了上文中提到的很多问题。基于这样的考虑,本文提出了使用环烷酸铜和HAuCl4/PVP复合溶液作为功能性电子束抗蚀剂进行高分辨导电结构和可转移金颗粒阵列的制备。同时,针对一些传统抗蚀剂,比如说HSQ（Hydrogen Silsesquioxane,氢倍半硅氧烷）和PMMA（polymethyl methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯）抗蚀剂,则分别利用其曝光后形成的高分辨介电材料和具有荧光特性的碳结构进行了短沟道器件制备和荧光结构制备。制备得到的这些结构在光学和电学等方面都具有一定的器件应用价值。（1）实验中,器件的导电结构基本都是依靠传统的剥离工艺进行制备的,但是对于一些超精细的导电结构,尤其是亚10 nm的导电结构是很难通过传统工艺进行制备的。本文提出使用环烷酸铜作为功能性电子束抗蚀剂进行超精细导电结构制备的方案。在该制备方案中,首先使用电子束曝光设备直接在环烷酸铜薄膜上曝光得到小至15 nm线宽的精细结构,然后再置于氢气氛围中退火处理,结构的线宽进一步缩小至7 nm左右,这些均匀的结构经分析是石墨烯包覆铜的结构。石墨烯包覆铜的结构不但拥有优良的导电性能,同时也因为表面石墨烯的存在而使得在后期石墨烯器件制备中可以与石墨烯形成欧姆接触。使用低成本的环烷酸铜作为电子束抗蚀剂不仅节约了成本,而且也使得石墨烯器件加工步骤得到简化。后期对石墨烯器件的电学测试也展示了环烷酸铜抗蚀剂在电学器件方面的潜在应用。（2）金纳米颗粒因其在光照下可以产生等离激元共振,所以在金颗粒表面附近的电磁场将产生极大的增强。而具有结晶化的可转移金颗粒阵列的制备可进一步扩大金颗粒结构在等离激元光学方面的应用前景。面对这样的需求,HAuCl4/PVP复合抗蚀剂被用于相关结构的制备。该抗蚀剂借助于电子束曝光和后续的退火工艺,直接得到了结晶的金纳米颗粒阵列。同时由于金在氧化硅衬底上的疏水特性,所以这些金颗粒阵列可以很容易地被转移到其他衬底上进行新的结构组装。比如在本文的工作中,金颗粒被转移到修饰有待测分子的金薄膜上,经过拉曼测试发现,构造的结构因为金颗粒与金薄膜的等离激元耦合作用,导致待测分子的拉曼信号得到了极大的增强,因此该结构适用于超灵敏探测。（3）传感器是人们认知世界的重要工具,传感器的精确制备直接关系到人们对研究对象了解的准确程度。荧光探测器作为一种典型的光学传感器利用荧光材料对生物化学分子进行标定分析。但是传统的荧光分子在纳米尺度对荧光结构的形貌和位置的精确控制比较困难,这无疑对高精度的物质分析产生了巨大的阻碍。本文中PMMA抗蚀剂被用于荧光结构的制备,过量的电子束辐照使得PMMA转化为类石墨烯结构,并且由于氧、氢等原子的存在导致这些结构具有荧光功能。这些碳材料的组织结构对氨水分子非常敏感,与氨水分子接触后结构的荧光强度和峰型都会发生明显的变化。PMMA制备的类石墨烯材料因为其良好的生物兼容性以及高分辨的荧光结构的制备使得该碳材料结构在生物传感领域具有潜在的应用价值。（4）HSQ抗蚀剂作为一种高分辨的负性电子束抗蚀剂,曝光后的结构具有高深宽比、粗糙度低、绝缘等特点。HSQ抗蚀剂首先通过套刻工艺在硫化钼表面曝光得到窄至20 nm的SiOx介电纳米线,然后基于自对准工艺,通过后续的金属薄膜蒸镀工艺直接制备得到了20 nm沟道长度的硫化钼器件。该制备工艺与化学气相沉积法相结合可以在相同的片子上进行多个硫化钼器件的制备,并且该器件制备过程不会涉及到材料转移。所以,特别适合对新型材料进行原位的电学性能探测。
吴文涛,王振亚,徐磊[3]（2016）在《基于NBL电子束曝光系统合轴研究》文中研究指明详述了电子束曝光系统的原理、种类、系统的构成和合轴的原理,以及如何使NBL（微纳投影）电子束曝光系统更好、更快地进行合轴,从而使NBL电子束曝光机处于最佳工作状态。
段辉高[4]（2010）在《10纳米以下图形电子束曝光的研究》文中研究说明电子束曝光是目前分辨率最高、使用最灵活的纳米加工技术,在纳米电子学、纳米光学、纳机械系统等领域具有广泛的应用。同时,随着集成电路的关键尺寸进入到22 nm节点,电子束曝光技术在整个半导体制造领域扮演着越来越重要的角色。追求更高的分辨率是电子束曝光研究的核心内容。本论文从电子束曝光的基本原理出发测量了不同电压的点扩散函数并进行了蒙特卡洛模拟研究,为研究电子束曝光的分辨率极限与邻近效应校正提供了基础。进而分析了电子束曝光的分辨率、效率、结构均匀度之间的关系以及它在大规模应用中所面临的困难,提出了解决困难的可行办法。本论文对高分辨电子束曝光的工艺和分辨极限开展了研究,得到了9 nm周期宽度的纳米结构。进一步利用透射电子显微镜和原子力显微镜对电子束曝光制作的纳米结构进行了精确测量,发现曝光的分辨率极限对稀疏的结构可以达到4nm的特征尺寸,而对于密集型结构,16 nm周期宽度的结构无法完全分辨。通过对电子束扩散函数与显影对比度的分析,本文认为电子束曝光的分辨极限与显影液在纳米尺度下的扩散限制有关。电子束曝光虽然具有极高的分辨率,但它面临在纳米尺度下图形转移的困难。本文为此提出了利用电子束曝光和辐照直接制作功能纳米结构。以超细PMMA纳米纤维作为前驱物,在高分辨透射电子显微镜下原位地研究了聚合物在电子束辐照下分解、碳化和石墨化的过程,分别制作出石墨烯纳米带、类富勒烯以及石墨尖等纳米结构。利用电子束过量曝光PMMA结合退火过程得到了图形化的石墨纳米结构。高分辨电子束曝光同时面临效率低、邻近效应、辐照损伤的困难。为了克服这些困难,本文发展了一种毛细力自组装方法,可控地将电子束曝光定义的高深宽比纳米结构组装成复杂的平面结构或者三维结构从而提高电子束曝光的效率、减少邻近效应和消除辐照损伤。本论文通过对10 nm以下电子束曝光的基础研究,不仅解决了高分辨电子束曝光中的几个关键问题,而且推动了国内外电子束曝光的发展,并对高分辨电子束曝光的应用具有极大的指导意义。
刘俊标,方光荣,靳鹏云,薛虹,张福安,顾文琪[5]（2008）在《基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计》文中提出基于扫描电镜（SEM）的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求。在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光。从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。
卢文娟[6]（2007）在《电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究》文中进行了进一步梳理系统的微小型化始终是当代科技发展的重要方向。微机电系统是在此趋势的推动下发展起来的,具有广泛应用前景的涉及多学科的新兴技术领域,微加工技术是实现微机电系统的关键技术。随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确地产生复杂曲面和各种形状的三维微结构的加工技术与之相适应。当前用于三维微结构加工的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie、Galvanoformung andAbformung）技术和IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）三维光刻技术等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,但其缺点是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和高深宽比的复杂结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,加工精度较低,分辨率目前仅为亚微米级。目前这些微三维加工技术都不能很好地适应今后微机电系统的高速发展,因此需要寻求更好的加工手段。电子束曝光技术是公认的最好的高分辨率图形制作技术,目前主要用于二维精密集成电路掩膜制作。由于电子束理论上可以聚成十几个埃的束斑,易于控制,且其在超大规模集成电路掩膜制造中所起的重要作用到目前为止仍无法用其他方法替代。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。由于辐射剂量不同,可以得到不同深度的抗蚀剂图形。因此,传统的电子束三维加工多是通过改变剂量来实现,但通用电子束曝光系统在曝光过程中剂量无法改变,因此难于直接进行微三维结构的加工。基于自行研制的DSP控制的新型图形发生器,山东大学电子束研究所提出了一种使用通用电子束曝光系统进行微三维加工的新方法——电子束重复增量扫描曝光方法。该扫描方法无需改变曝光剂量,通过改变扫描次数即图形的设计参数来改变曝光总剂量,提高了曝光效率,弥补了通用电子束曝光系统无法改变剂量的缺陷,为通用电子束曝光系统生成三维结构提供了新的方法。该方法可以直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构,属于电子束直写技术（Electron Beam Direct Writing,EBDW）。新方法的提出,首先需要对其可行性进行研究;再者,为了使新方法能够满足微系统更高精度以及复杂器件结构加工的要求,需要对曝光参数选定、曝光图形设计及数据处理、新方法的应用范围推广等多方面进行深入的研究。本论文主要围绕着电子束重复增量扫描方式的曝光反应机理,电子束能量、剂量对刻蚀深度的影响,曝光图形数据处理,新方法应用前景等关键问题开展深入细致地研究,具体研究工作及创新点概括如下:1.从高分子辐射化学角度对电子束重复增量扫描曝光方法作用于正性抗蚀剂PMMA的实际反应机理进行了深入地研究,并根据Charlesby-Pinner理论推导出辐射剂量与辐射降解程度、降解产物平均分子量间的关系,即辐射剂量越大,辐射降解程度越大,降解后的产物的平均分子量越小,则溶解度越大;反之,辐射剂量越小,辐射降解程度越小,降解后的产物的平均分子量越大,则溶解度越小。通过曝光实验进行了验证,从理论和实验上证明了电子束重复增量扫描曝光方法产生三维结构的可行性。2.采用Monte Carlo模拟和Grun公式两种方法对电子束能量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结果表明:电子束能量越大,在抗蚀剂内的刻蚀深度就越深;电子束能量越大,电子横向作用范围也越大,但抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭,因此,增加入射束能可以减弱邻近效应,有利于提高曝光分辨率。以理论分析结果为参考依据,在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中对抗蚀剂PMMA进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,证明了理论分析方法的正确,对电子束微三维曝光实验加速电压的选取起到了重要的指导作用。3.采用Monte Carlo模拟和解析法两种方法对电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结论为:电子束曝光剂量越大,刻蚀深度越深;曝光剂量越小,刻蚀深度越浅。以PMMA和TMPTA为抗蚀剂在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,验证了该结论的正确性。对液态抗蚀剂TMPTA的分析结果表明上述结论也适用于电子束液态曝光技术。通过Monte Carlo模拟结果,还发现电子的横向扩散范围随曝光剂量的增加而扩大,这会导致各曝光图形之间相互影响,加剧邻近效应,影响曝光图形线宽精度。在电子束微三维曝光实验中,可以根据曝光图形的尺寸及精度要求,以剂量与刻蚀深度间的关系的理论分析结论为指导,合理地选择曝光剂量。4.利用反差经验公式精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,克服了实验方法的繁琐性。通过Monte Carlo模拟得到吸收能量密度来计算反差的方法,也同样避免了大量的实验任务。将计算结果通过曲线拟合得到关系曲线,与实验结果基本一致,验证了该方法的可行性。在给定曝光图形深度的情况下,可根据该关系来精确选择曝光剂量,节省实验时间,提高曝光效率。5.引入微流体力学理论对PCR微流控芯片微通道的结构进行优化设计。以往的文献资料中研究的微通道截面以矩形居多,且目前的加工方法得到的微通道绝大多数都为矩形截面。通过比较横截面积相同的微圆形通道与微矩形通道可知,流体在微圆通道中流动时,由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道,因此,为了克服这些压力并保证流体在微通道中以一定的速度流动,微圆通道所需的驱动力就会比微矩形通道的要小。6.提出了利用电子束重复增量扫描曝光方式制作PCR微流控芯片微圆通道的新方法。利用电子束重复增量扫描曝光方法可以进行曲面加工的优势,来制作PCR芯片微圆通道。在圆束矢量扫描电子束曝光机JSM-35CF上进行曝光实验,显影后得到边缘光滑的微通道。7.进行了利用电子束重复增量扫描曝光方法制作软刻蚀技术用微三维母版的实验研究。弹性印章是软刻蚀技术的核心,要制作弹性印章就需要有相应的母版。通过对曝光量的计算、工艺过程探讨、曝光实验结果等方面的分析研究,证明了用该方法加工微三维母版的可行性。8.进行了电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合加工微三维器件方法的研究。充分利用电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术的优势,将二者结合起来,有望成为适应微机电系统发展的一种简单、有效、低成本的新微三维加工方法。
郝慧娟[7]（2007）在《电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究》文中研究说明微机电系统器件的制造要求微三维加工工艺。当前制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie，Galvanoformung and Abformung）技术、IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）工艺等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构，但是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件；IH三维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和任意高深宽比的复杂结构，但因其工艺中X、Y向的扫描是靠X／Y工作台的机械移动来完成的，加工精度较低，分辨率目前仅为亚微米级。为了满足微机电系统的快速发展，需求精度更高的加工手段。电子束光刻技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术，目前主要用于0.1～0.5μm精密二维掩模制造，而难于生产高深宽比的三维结构。本学位论文围绕着电子束光刻技术直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等三维结构等问题，对电子束光刻、邻近效应校正、显影过程模拟等问题进行了较全面和较深入的研究，提出了多种新的计算方法；根据抗蚀剂吸收能量密度的计算结果，对三维结构进行了邻近效应校正；结合显影模型，模拟了三维结构的显影轮廓。在准确模拟曝光、显影过程的基础上，研究了不同曝光、显影条件对抗蚀剂吸收能量分布、显影线宽、边墙陡度的影响。论文的主要工作集中于电子束三维光刻方法、曝光的计算机模拟、工艺优化，概括如下：1、首次提出了电子束重复增量扫描方式，为通用电子束曝光系统提供了一种新的三维加工方法。曝光实验得到了轮廓清晰的正梯锥1、圆锥、梯锥1的三维结构，验证了该扫描方式的可行性和正确性。重复增量扫描方式无需改变曝光剂量，通过重复、重叠的多次曝光，使光刻图形不同的位置得到不同的曝光总剂量，实现对图形的三维加工；该扫描方式也无需进行复杂的图形分割，避免了图形分割带来的数据量过大的问题，降低了数据传输时间，从而可以降低曝光总时间，提高曝光效率；该扫描方式也不用在光刻过程中改变束斑参数，克服了系统内部扫描频率的限制，为通用电子束光刻系统进行曲面图形的加工提供了条件。2、根据光刻胶的反差的经验公式，提出了曝光剂量与刻蚀深度关系的计算方法，减少了实验次数和由于测量带来的误差，而且为电子束光刻的三维加工提供了重要参数。3、提出了抗蚀剂灵敏度、反差的计算方法，为电子束三维加工和曝光剂量与刻蚀深度关系的计算提供了重要参数。对不同入射电子束能量、抗蚀剂厚度的反差的计算显示：随着入射电子束能量的增加，反差不断减小；随着抗蚀剂厚度的增加，反差不断增大。4、提出了邻近函数的改进形式，并用于计算抗蚀剂吸收能量密度分布，克服了解析法和Monte Carlo模拟法无法克服的局限性，使吸收能量密度的计算真正用于软件中。对不同曝光条件下的抗蚀剂吸收能量密度分布的计算获得了其分布规律，而且得出了优化电子束光刻的工艺条件：（1）随着入射电子束能量的增加，电子的横向分布范围增大，但抗蚀剂的吸收能量密度分布曲线越来越陡峭，即：抗蚀剂单位体积内沉积的能量也越大。因而，高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）抗蚀剂厚度对吸收能量密度分布的影响不是很明显，主要影响前散射电子的能量密度分布。抗蚀剂越薄，电子的沉积能量密度分布曲线越陡峭。因而，薄抗蚀剂层有利于邻近效应的降低。（3）低原子序数的衬底产生的背散射电子数目较少，而且电子在衬底中的能量损失率较高，从而由衬底返回胶中的背散射电子在抗蚀剂中的能量沉积密度较小，有利于邻近效应的降低。（4）束斑直径越小，抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭，越有利于邻近效应的降低，提高分辨率。因而，适量的高束能、薄胶层、低原子序数衬底、小束斑有利于邻近效应的降低、分辨率的提高。5、采用了最小二乘非线性曲线拟合的方法确定邻近函数参数，克服了直线拟合带来的α误差较大的问题，比单高斯拟合得到的结果更精确。对不同曝光条件下的参数（α、β、η）的计算获得了其分布规律，不仅能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导，而且能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。（1）随着入射电子束能量的增加，α不断减小，β不断增大，而η几乎不变，表明提高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。（2）随着抗蚀剂厚度的增加，α不断增大，β、η变化不明显，说明薄抗蚀剂有利于分辨率的提高和邻近效应的降低。（3）衬底材料对α的影响较小，随着衬底材料原子序数的增大，β减小，η增大，说明低原子序数的衬底材料，有利于邻近效应的降低。6、研究了邻近效应产生的机理，引入累积分布函数计算各关键点的有效曝光剂量。通过预先建立计算过程中需要的各种规则表，计算过程中需要的参数通过查表直接获得，快速、准确地实现曝光图形能量分布的计算。7、提出了水平和深度两个方向分别对三维结构邻近效应进行校正的方法。水平方向采用最大矩形法校正，同时考虑了抗蚀剂不同深度处吸收能量密度分布不同。深度方向的校正从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。校正后的曝光过程无需改变曝光剂量，为剂量无法改变的系统提供了三维结构的校正方法。通过预先建立校正过程中需要的各种规则表，校正过程中需要的参数直接查表获得，快速、准确地实现了校正，提高了曝光效率。校正结果显示，邻近效应已大大降低。8、采用了基于遗传算法的最小二乘法确定显影速率参数，与传统的Gauss-Newton迭代法比较显示，基于遗传算法拟合的残差平方和较小，拟合效果更好，而且与参数初始值的选取无关，具有较强的鲁棒性。9、对光线追迹模型中的射线前进算法进行了改进，采用了递归的射线前进算法计算射线轨迹，降低了显影模拟中射线间的不连续性，光线追迹算法也更加精确。研究了不同曝光条件、显影时间对显影线宽Wb、边墙陡度θ的影响，得出了参数的分布规律，不仅为优化电子束曝光和显影工艺提供了参数，也为改进图形设计提供了参数依据。（1）在给定的曝光剂量下，随着加速电压的增大，Wb不断减小，θ值先减小，后增大。（2）在给定的加速电压下，随着曝光剂量增大，Wb、θ不断增大。（3）在给定的加速电压、曝光剂量下，随着抗蚀剂厚度的增加，Wb值不断减小，θ不断增加。（4）随着显影时间的增加，Wb逐渐增大，θ在开始时处于逐渐增加的趋势，当达到一定的最大值时又表现出下降的趋势。
王振宇,成立,祝俊,李岚[8]（2006）在《电子束曝光技术及其应用综述》文中提出综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜（SEM）电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景。
刘伟[9]（2006）在《纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究》文中进行了进一步梳理纳米级电子束曝光系统是微纳加工的重要设备,图形发生器是电子束曝光系统的核心部件,包括硬件和软件两部分。硬件设计吸纳了近年来数字信号处理的最新成果,利用高性能数字信号处理器（DSP）将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。为此目的特构建了x方向和y方向两组数模转换电路,每组包括1个16位主数模和3个16位乘法数模。通过图形发生器可以对标准样片进行图像采集,进行扫描场的线性畸变校正,包括扫描场增益、旋转和位移校正。另外,图形发生器还可以控制束闸的通断。配合精密定位工件台和激光干涉仪,可以实现曝光场的拼接,拼接精度优于0. 2μm。通过检测芯片的标记,还可以实现曝光图形的套刻。利用配套软件既可以新建曝光图形,也可以导入通用格式文件,例如CIF和GDSII文件,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、邻近效应修正等工作,然后将曝光图形数据转换成图形发生器可以识别的EDF文件,完成曝光图形的准备工作。图形发生器可直接处理的单元图形包括:矩形、梯形、折线、点、圆及圆环。该图形发生器能够与扫描电子显微镜、聚焦离子束设备以及扫描探针显微镜连接,组建成纳米级光刻系统。我们将图形发生器与JSM-6360（LaB6阴极）扫描电子显微镜连接,进行了大量实验,得到了多组曝光图形,最细线条为28 .6nm。
李晨菲[10]（2005）在《扫描电子束曝光机背散射电子检测与对准技术的研究》文中研究说明本文通过对扫描电子束曝光机标记信号检测及对准技术的分析,提出了背散射检测电路的设计方案和电路原理图,给出了实验结果;总结了电子束扫描场畸变的种类,给出了线性畸变的自动校正软件的设计方案和流程图;介绍了非线性畸变校正的方法。由于背散射电子信号的图像既可以显示样品的形貌也可以显示样品的成分所以选择背散射电子信号进行标记位置检测。检测器采用的是双半圆环形的半导体检测器。背散射检测电路是由检测器、模拟信号处理电路、A/D 转换器、数字信号处理、计算机和控制单元组成的。为了提高电路的抗干扰能力,从电路原理图设计到PCB 板制作都采取了一些抑制噪声的措施,本文对此做了详细介绍。总结了扫描场畸变的种类,以制作好的检测电路和现有的图形发生器为硬件基础,设计了扫描场线性畸变的自动校正软件。该软件是在Windows XP 操作系统中用C 语言实现的。在程序中采用了许多技术手段,包括降噪处理、二值化、数字增强技术等。扫描场的非线性畸变种类较多,情况复杂,相应的校正方法也很多,可以作为以后深入研究的方向之一。文章最后讨论了课题的特点以及可能的发展方向。
二、电子束曝光机束闸电路（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子束曝光机束闸电路（论文提纲范文）
（1）高深宽比氢原子钟准直器制备及其性能测试研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 原子钟及准直器概述 |
| 1.2.1 原子钟概述 |
| 1.2.2 准直器概述 |
| 1.3 光刻技术 |
| 1.3.1 极紫外曝光技术 |
| 1.3.2 X射线曝光技术 |
| 1.3.3 电子束曝光技术 |
| 1.3.4 聚焦离子束曝光技术 |
| 1.4 刻蚀技术 |
| 1.4.1 干法刻蚀技术 |
| 1.4.2 湿法刻蚀技术 |
| 1.5 课题研究目的与内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 主要研究内容 |
| 第二章 电子束曝光技术及试验研究 |
| 2.1 电子与抗蚀剂的作用 |
| 2.2 电子束曝光系统及参数评价 |
| 2.2.1 电子束曝光系统 |
| 2.2.2 电子束曝光系统参数评价 |
| 2.3 电子抗蚀剂 |
| 2.3.1 电子抗蚀剂的关键性能 |
| 2.3.2 电子抗蚀剂的分类 |
| 2.4 电子束曝光技术制备阵列槽结构 |
| 2.4.1 试验平台搭建与方案设计 |
| 2.4.1.1 电子束曝光技术试验系统 |
| 2.4.1.2 试验方案设计 |
| 2.4.2 电子束曝光技术工艺概述 |
| 2.4.3 工艺参数对电子束曝光效果的影响 |
| 2.4.3.1 抗蚀剂厚度对曝光效果的影响 |
| 2.4.3.2 曝光剂量对曝光效果的影响 |
| 2.4.3.3 显影时间对曝光效果的影响 |
| 2.4.3.4 加速电压对曝光效果的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 石英玻璃湿法刻蚀技术及试验研究 |
| 3.1 湿法刻蚀技术机理 |
| 3.1.1 氢氟酸溶液特性 |
| 3.1.2 刻蚀反应机理 |
| 3.2 湿法刻蚀技术制备阵列槽结构 |
| 3.2.1 试验平台搭建与方案设计 |
| 3.2.1.1 试验平台搭建 |
| 3.2.1.2 试验方案设计 |
| 3.2.2 刻蚀参数对纵向刻蚀速率的影响 |
| 3.2.2.1 刻蚀液温度对纵向刻蚀速率的影响 |
| 3.2.2.2 刻蚀液浓度对纵向刻蚀速率的影响 |
| 3.2.2.3 刻蚀液成分对纵向刻蚀速率的影响 |
| 3.2.3 刻蚀参数对侧蚀比的影响 |
| 3.2.3.1 刻蚀液温度对侧蚀比的影响 |
| 3.2.3.2 刻蚀液浓度对侧蚀比的影响 |
| 3.2.3.3 刻蚀液成分对侧蚀比的影响 |
| 3.2.4 刻蚀参数对槽底面粗糙度的影响 |
| 3.2.4.1 刻蚀液温度对槽底面粗糙度的影响 |
| 3.2.4.2 刻蚀液浓度对槽底面粗糙度的影响 |
| 3.2.4.3 刻蚀液成分对槽底面粗糙度的影响 |
| 3.3 阵列槽结构形貌表征与分析 |
| 3.3.1 不同刻蚀液成分下阵列槽结构3D形貌比较与分析 |
| 3.3.2 较优刻蚀参数下阵列槽结构刻蚀结果表征与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 准直器的制备与性能测试 |
| 4.1 准直器的制备 |
| 4.1.1 单块石英玻璃的切割 |
| 4.1.2 单块石英玻璃相互间结合制备准直器 |
| 4.1.3 准直器端面研磨与抛光 |
| 4.2 准直器的比较 |
| 4.3 高深宽比准直器性能测试与分析 |
| 4.3.1 课题制备准直器与现有准直器性能测试与对比 |
| 4.3.2 不同深宽比准直器性能测试与分析 |
| 4.4 本章总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文完成的主要工作 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果 |
（2）功能性电子束抗蚀剂的研究及器件应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高分辨功能性结构的应用需求 |
| 1.2.1 信息工程 |
| 1.2.2 生物传感 |
| 1.2.3 纳米科学 |
| 1.3 高分辨功能性结构的制备方法 |
| 1.3.1 电子束直写系统概述 |
| 1.3.1.1 电子束曝光机简介 |
| 1.3.1.2 电子束抗蚀剂简介 |
| 1.3.2 图形转移工艺简介 |
| 1.3.2.1 加法工艺 |
| 1.3.2.2 减法工艺 |
| 1.4 功能性抗蚀剂简介 |
| 1.4.1 简化工艺 |
| 1.4.2 功能结构 |
| 1.4.3 功能材料 |
| 1.5 本论文的研究动机及主要工作 |
| 第2章 环烷酸铜抗蚀剂制备导电结构 |
| 2.1 研究背景 |
| 2.2 研究方法 |
| 2.2.1 材料获取 |
| 2.2.2 结构表征 |
| 2.2.3 器件制备 |
| 2.2.4 电学测试 |
| 2.3 石墨烯包覆铜电极制备概念展示 |
| 2.4 石墨烯包覆铜结构表征 |
| 2.4.1 石墨烯包覆铜结构的分辨率表征 |
| 2.4.2 石墨烯包覆铜结构的化学组成分析 |
| 2.4.3 石墨烯包覆铜结构的电学性质测试 |
| 2.5 石墨烯包覆铜结构在石墨烯器件中应用 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 HAuCl4/PVP抗蚀剂制备金颗粒 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 研究方法 |
| 3.2.1 材料获取 |
| 3.2.2 金纳米结构制备 |
| 3.2.3 SERS衬底制备 |
| 3.2.4 表征测试 |
| 3.2.5 HAuCl_4/PVP蚀剂制备金颗粒阵列的概念及展示 |
| 3.4 HAuCl_4/PVP抗蚀剂制备金颗粒阵列的可控性研究 |
| 3.4.1 金颗粒制备尺寸可控性的研究 |
| 3.4.2 大面积制备的研究 |
| 3.5 金结构在等离激元光学中的应用 |
| 3.5.1 金结构发光特性研究 |
| 3.5.2 SERS测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 基于PMMA负性抗蚀剂的荧光分子检测 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 研究方法 |
| 4.2.1 PMMA负性抗蚀剂结构的制备 |
| 4.2.2 PMMA负性抗蚀剂结构的表征 |
| 4.2.3 PMMA负性抗蚀荧光特性研究 |
| 4.3 PMMA负性抗蚀剂制备的结构特征及应用 |
| 4.3.1 PMMA负性抗蚀制备概念及展示 |
| 4.3.2 PMMA负性抗蚀微结构制备 |
| 4.3.3 PMMA负性抗蚀成分分析 |
| 4.3.4 PMMA负性抗蚀的荧光性能分析 |
| 4.3.5 PMMA负性抗蚀的荧光分子检测 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 基于HSQ电子束抗蚀剂的短沟道器件制备 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 研究方法 |
| 5.3 短沟道器件的结构设计 |
| 5.3.1 短沟道器件制备概念展示 |
| 5.3.2 短沟道器件的性能表征 |
| 5.3.3 接触电阻对短沟道器件的影响 |
| 5.3.4 不同沟道长度硫化钼器件的研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 1 本论文的工作总结 |
| 2 未来工作的展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录一 博士期间的研究成果 |
| 博士期间发表的论文 |
（3）基于NBL电子束曝光系统合轴研究（论文提纲范文）
| 1 电子束曝光的原理和优缺点 |
| 1.1 电子束曝光系统的原理 |
| 1.2 电子束曝光的优缺点 |
| 2 电子束曝光系统的种类 |
| 2.1 基于改进扫描电镜(SEM)的电子束曝光系统 |
| 2.2 高斯电子束曝光系统 |
| 2.3 成型电子束曝光系统 |
| 2.4 投影电子束曝光系统 |
| 3 NBL电子束的介绍 |
| 3.1 NBL电子光学曝光系统的基本组成 |
| 3.2 NBL电子束合轴原理 |
| 3.3 NBL电子束合轴调节顺序 |
| 3.3.1 电子枪的合轴 |
| 3.3.2 聚光镜的合轴 |
| 3.3.3 偏转部分的合轴 |
| 3.4 NBL的自动合轴调节 |
| 4 结论 |
（4）10纳米以下图形电子束曝光的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章:绪论 |
| 1.1 高分辨电子束曝光的研究背景 |
| 1.2 高分辨电子束曝光的研究现状 |
| 1.3 高分辨电子束曝光的应用 |
| 1.4 高分辨电子束曝光的主要挑战 |
| 1.5 本论文的动机以及主要工作 |
| 1.6 论文内容安排 |
| 参考文献 |
| 第二章:高分辨电子束曝光的基本理论 |
| 2.1 电子束与抗蚀剂的相互作用 |
| 2.1.1 电子束在固体材料中的散射 |
| 2.1.2 电子在抗蚀剂中的轨迹 |
| 2.1.3 点扩散函数与邻近效应 |
| 2.2 电子束曝光系统 |
| 2.2.1 电子束曝光系统的硬件组成 |
| 2.2.2 电子束曝光系统的软件控制系统 |
| 2.2.3 电子束曝光系统的参数评价 |
| 2.2.4 电子束曝光系统的分类 |
| 2.3 电子束抗蚀剂 |
| 2.3.1 抗蚀剂的分类 |
| 2.3.2 抗蚀剂工艺 |
| 2.3.3 抗蚀剂的评价标准 |
| 2.4 高分辨电子束曝光的流程 |
| 2.5 高分辨电子束曝光的关键指标 |
| 2.5.1 分辨率 |
| 2.5.2 均匀度 |
| 2.5.3 精确度 |
| 2.6 高分辨电子束曝光的工艺参数 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章:10纳米以下电子束曝光的分辨率极限研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 高分辨电子束曝光分辨率的主要限制因素 |
| 3.2.1 点扩散函数 |
| 3.2.2 显影对比度 |
| 3.2.3 测量 |
| 3.3 10纳米以下电子束曝光的工艺优化 |
| 3.3.1 电子束抗蚀剂曝光前的优化 |
| 3.3.2 曝光过程的优化 |
| 3.3.3 影过程的优化 |
| 3.3.4 其它参数优化 |
| 3.4 实验结果 |
| 3.4.1 灵敏度与对比度 |
| 3.4.2 分辨率 |
| 3.5 高分辨电子束曝光的TEM测量 |
| 3.5.1 研究背景 |
| 3.5.2 TEM制样与测量过程 |
| 3.5.3 TEM测量结果与SEM的比较 |
| 3.5.4 电子束曝光的分辨率极限研究 |
| 3.5.5 点与线扩散函数的TEM测量与模拟 |
| 3.5.6 TEM表征的缺陷讨论 |
| 3.6 电子束曝光的AFM测量 |
| 3.6.1 AFM测量的策略与制样 |
| 3.6.2 测量结果与分析 |
| 3.7 电子束曝光分辨率限制的分析 |
| 3.7.1 图形的剂量分布计算 |
| 3.7.2 HSQ分辨率极限的讨论 |
| 3.8 负胶PMMA的极限分辨率研究 |
| 3.8.1 研究背景 |
| 3.8.2 对比度曲线与剂量 |
| 3.8.3 负胶PMMA分辨率极限的研究 |
| 3.9 高分辨电子束曝光的其它分辨限制 |
| 3.9.1 最佳剂量与深宽比 |
| 3.9.2 束流与束斑尺寸 |
| 3.9.3 加速电压 |
| 3.10 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章:电子束曝光和辐照直接制备碳纳米结构 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 高能电子束原位辐照PMMA纳米纤维制备石墨纳米结构 |
| 4.2.1 超细PMMA纤维的制备 |
| 4.2.2 高分辨透射电镜原位实验 |
| 4.2.3 电子束原位辐照超细PMMA纳米纤维制备石墨烯纳米带 |
| 4.2.4 电子束辐照PMMA制备富勒烯、石墨纳米尖和纳米孔 |
| 4.2.5 本节小结 |
| 4.3 电子束曝光直接制备图形化碳纳米结构 |
| 4.3.1 实验过程 |
| 4.3.2 表面形貌的研究 |
| 4.3.3 EDX与拉曼光谱 |
| 4.3.4 本节小结 |
| 4.4 讨论与结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章:基于电子束曝光的毛细力自组装研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.1.1 高分辨电子束曝光的困难 |
| 5.1.2 自组装与功能结构的自组装 |
| 5.1.3 毛细力与毛细力自组装 |
| 5.2 电子束曝光显影中的毛细力行为研究 |
| 5.2.1 高深宽比纳米结构的力学稳定性 |
| 5.2.2 毛细力引起高深宽比纳米结构的坍塌 |
| 5.2.3 毛细力引起纳米棒坍塌的结果分析与讨论 |
| 5.3 毛细力引起的纳米凝聚研究 |
| 5.3.1 不对称毛细力及其设计 |
| 5.3.2 简单的毛细力自组装 |
| 5.3.3 多元素的毛细力自组装 |
| 5.3.4 复杂的分层次的毛细力自组装 |
| 5.3.5 本节小结 |
| 5.4 基于毛细力自组装的光刻技术研究 |
| 5.4.1 基于高深宽比结构之间毛细力的光刻 |
| 5.4.2 基于倾斜形貌的光刻 |
| 5.4.3 基于各向异性形貌的毛细力光刻 |
| 5.4.4 本节小结 |
| 5.5 讨论与结论 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章:总结与展望 |
| 6.1 本论文的工作总结 |
| 6.1.1 电子束曝光分辨率极限工艺与它的机理研究 |
| 6.1.2 电子束辐照与曝光PMMA直接制备石墨纳米结构 |
| 6.1.3 基于高分辨电子束曝光的可控毛细力自组装 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 博士期间的研究成果 |
（6）电子束重复增量扫描产生三维结构的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.1 微机电系统的概念及特点 |
| 1.1.2 微机电系统的研究领域 |
| 1.1.3 微机电系统的应用 |
| 1.1.4 微机电系统发展现状 |
| 1.1.5 微机电系统的前景 |
| 1.2 微细加工技术 |
| 1.2.1 硅微机械加工技术 |
| 1.2.2 LIGA技术 |
| 1.2.3 特种超精密微机械加工技术 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 论文的研究目的和意义 |
| 1.3.2 主要内容及创新点 |
| 1.3.3 内容安排 |
| 第二章 电子束三维光刻技术 |
| 2.1 电子束曝光技术 |
| 2.1.1 电子束曝光原理 |
| 2.1.2 电子束曝光特点 |
| 2.1.3 电子束曝光方式 |
| 2.1.4 电子束曝光的发展历史 |
| 2.1.5 电子束曝光系统 |
| 2.1.5.1 电子束曝光系统组成 |
| 2.1.5.2 电子束曝光系统分类 |
| 2.1.6 电子束曝光技术的应用 |
| 2.2 电子束微三维光刻技术 |
| 2.2.1 电子束液态曝光技术 |
| 2.2.2 电子束重复增量扫描曝光技术 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 电子束重复增量扫描方式的反应机理研究 |
| 3.1 抗蚀剂性能 |
| 3.1.1 抗蚀剂原理 |
| 3.1.2 抗蚀剂的一般特性 |
| 3.1.3 电子束抗蚀剂 |
| 3.2 重复增量扫描曝光方式反应机理研究 |
| 3.2.1 聚合物辐射的主要化学反应 |
| 3.2.2 辐射降解反应机理 |
| 3.2.3 曝光剂量与辐射降解程度间的关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 电子束能量、剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1 电子束能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.1.1 Monte Carlo模拟法 |
| 4.1.2 Grun射程公式 |
| 4.1.3 能量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2 电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.1 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 4.2.1.1 解析法 |
| 4.2.1.2 Monte Carlo模拟法 |
| 4.2.2 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3 用反差确定曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.1 反差定义及计算 |
| 4.2.3.2 PMMA灵敏度定义及计算 |
| 4.2.3.3 曝光剂量与刻蚀深度间的关系 |
| 4.2.3.4 实验结果分析 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 电子束曝光图形数据处理 |
| 5.1 国内外电子束曝光图形数据处理概况 |
| 5.1.1 国外概况 |
| 5.1.2 国内概况 |
| 5.2 曝光图形的设计及注意事项 |
| 5.2.1 曝光图形的设计原则 |
| 5.2.2 L-Edit软件设计曝光图形 |
| 5.2.3 设计时的注意事项 |
| 5.3 曝光图形数据格式转换 |
| 5.3.1 常用数据格式 |
| 5.3.1.1 DXF数据格式 |
| 5.3.1.2 CIF数据格式 |
| 5.3.1.3 机器数据格式——DY51格式 |
| 5.3.1.4 中间数据格式 |
| 5.3.2 数据格式转换过程 |
| 5.3.3 曝光图形数据转换后的结果 |
| 5.4 DSP控制的电子束曝光图形发生器 |
| 5.4.1 DSP控制的图形发生器的工作原理 |
| 5.4.2 图形发生器的基本功能 |
| 5.5 曝光图形数据传输 |
| 5.5.1 PC机数据传输过程 |
| 5.5.2 通讯协议 |
| 5.5.3 人机界面 |
| 5.5.4 图形检验 |
| 5.6 小结 |
| 第六章 电子束三维光刻制作PCR微流控芯片微通道的工艺研究 |
| 6.1 PCR微流控芯片发展意义 |
| 6.1.1 PCR芯片 |
| 6.1.2 国内外研究现状 |
| 6.1.3 发展趋势 |
| 6.2 软刻蚀技术 |
| 6.2.1 软刻蚀技术基本原理 |
| 6.2.2 软刻蚀技术分类及应用 |
| 6.2.2.1 微接触印刷法 |
| 6.2.2.2 复制模塑法 |
| 6.2.2.3 微转移模塑法 |
| 6.2.2.4 毛细管微模塑法 |
| 6.2.2.5 辅助溶剂微模塑法 |
| 6.2.3 软刻蚀技术发展前景 |
| 6.3 重复增量扫描曝光方法加工PCR芯片微通道掩膜版 |
| 6.3.1 微通道结构优化设计 |
| 6.3.2 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 6.3.3 实验结果分析 |
| 6.3.4 结论 |
| 6.4 利用软刻蚀技术制作微通道 |
| 6.5 小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
（7）电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略词注释表 |
| 第一章绪论 |
| 1.1 微机电系统及微细加工技术 |
| 1.1.1 微机电系统概述 |
| 1.1.2 微细加工技术 |
| 1.2 电子束曝光技术 |
| 1.2.1 电子束曝光机组成 |
| 1.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| 1.2.3 电子束抗蚀剂的特性 |
| 1.2.4 抗蚀剂图形制作工艺 |
| 1.2.5 邻近效应及校正 |
| 1.2.6 电子束曝光的计算机模拟 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 1.3.1 研究的目的和意义 |
| 1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| 1.4 论文的内容安排 |
| 第二章电子束重复增量扫描生成三维结构的研究 |
| 2.1 传统的电子束三维加工方法 |
| 2.1.1 低能变能量曝光 |
| 2.1.2 多层抗蚀剂工艺 |
| 2.1.3 变剂量加工 |
| 2.2 电子束重复增量扫描方式 |
| 2.2.1 基于DSP的新型图形发生器 |
| 2.2.2 重复增量扫描方式及曝光模型 |
| 2.2.3 曝光量计算 |
| 2.3 实验结果 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.1 散射效应 |
| 3.2 解析法 |
| 3.3 MONTE CARLO模拟法 |
| 3.3.1 电子在固体中的散射模型 |
| 3.3.2 抗蚀剂吸收能量密度的计算 |
| 3.4 邻近函数法 |
| 3.4.1 邻近函数 |
| 3.4.2 邻近函数参数的确定 |
| 3.4.3 改进的邻近函数 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章三维结构的邻近效应校正 |
| 4.1 邻近效应校正的工艺措施 |
| 4.1.1 改变入射电子束能量 |
| 4.1.2 改变抗蚀剂厚度 |
| 4.1.3 改变衬底材料 |
| 4.2 软件校正 |
| 4.2.1 二维校正 |
| 4.2.2 三维剂量校正 |
| 4.3 邻近效应计算 |
| 4.3.1 互易原理 |
| 4.3.2 图形能量密度的计算 |
| 4.4 重复增量扫描方式校正法 |
| 4.4.1 水平方向的校正 |
| 4.4.2 深度方向的校正 |
| 4.4.3 实验结果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 三维结构显影的计算机模拟 |
| 5.1 显影速率模型 |
| 5.1.1 Dill方程 |
| 5.1.2 Greeneich方程 |
| 5.1.3 Mack方程 |
| 5.1.4 Notch方程 |
| 5.2 显影速率参数的确定 |
| 5.2.1 Gauss-Newton迭代法 |
| 5.2.2 遗传算法 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.3 显影模型 |
| 5.3.1 阈值能量密度显影模型 |
| 5.3.2 单元格去除模型 |
| 5.3.3 绳模型 |
| 5.3.4 光线追迹模型 |
| 5.4 光线追迹模型的实现 |
| 5.4.1 算法实现 |
| 5.4.2 射线前进算法的改进 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（8）电子束曝光技术及其应用综述（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 四种电子束曝光系统 |
| 2.1 基于改进扫描电镜 (SEM) 的电子束曝光系统 |
| 2.2 高斯电子束扫描系统 |
| 2.2.1 矢量扫描方式 |
| 2.2.2 光栅扫描系统 |
| 2.3 成型电子束扫描系统 |
| 2.4 投影电子束扫描系统 |
| 3 几项发展中的电子束曝光新技术 |
| 3.1 基于DSP的新型图形发生器 |
| 3.2 电子束直接光刻技术 |
| 3.3 双层抗蚀剂曝光工艺 |
| 3.4 邻近效应修正技术 |
| 4 电子束曝光技术的应用 |
| 4.1 用于掩模版制造 |
| 4.2 用于微电子机械、电子器件制造 |
| 4.3 制作全息图形 |
| 4.4电子束诱导表面淀积技术 |
| 5 结束语 |
（9）纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究（论文提纲范文）
| 一、 前言 |
| 二、 图形发生器软件系统 |
| 三、 图形发生器硬件架构 |
| 四、 曝光控制 |
| 五、 扫描场校正 |
| 六、 拼接和套刻 |
| 七、 实验结果 |
| 八、 总结 |
| 参考文献 |
| 发表论文 |
| 致谢 |
| 附录一 |
| 附录二 |
| 附录三 |
| 附录四 |
| 论文答辩说明 |
| 关于论文使用授权的说明 |
（10）扫描电子束曝光机背散射电子检测与对准技术的研究（论文提纲范文）
| 第一章 引言 |
| 1.1 电子束曝光技术 |
| 1.1.1 曝光技术 |
| 1.1.2 电子束曝光技术的发展历史和现状 |
| 1.1.3 电子束曝光系统的分类 |
| 1.2 扫描电子束曝光技术 |
| 1.3 扫描电子束曝光技术的研究现状 |
| 1.3.1 日本JEOL 公司 |
| 1.3.2 德国 Lecia-Cambridge 公司 |
| 第二章 课题的主要任务 |
| 2.1 课题背景 |
| 2.2 课题任务 |
| 第三章 背散射电子信号检测 |
| 3.1 背散射电子特性 |
| 3.1.1 背散射电子信号与二次电子信号的比较 |
| 3.1.2 背散射电子信号的特性 |
| 3.2 背散射电子检测电路的组成 |
| 3.2.1 背散射电子探测器 |
| 3.2.2 模拟信号处理电路 |
| 3.3 PCB 板设计中的防噪声措施 |
| 3.3.1 针对微小电压放大采取的抗干扰措施 |
| 3.3.2 大平面接地方式的PCB 板设计 |
| 3.3.3在装配工艺上的措施 |
| 3.3.4 关于电位器的注意事项 |
| 3.4 实验结果及结论 |
| 第四章 检测对准技术 |
| 4.1 检测对准技术 |
| 4.1.1 检测对准技术的作用 |
| 4.1.2 影响电子束曝光系统精度的因素 |
| 4.1.3 电子束曝光设备对准技术介绍 |
| 4.2 扫描电子束曝光机检测对准校 |
| 4.2.1 掩模版制作过程中的对准 |
| 4.2.2 电子束直接曝光的对准 |
| 第五章扫描场畸变校正 |
| 5.1 线性畸变校正及软件设计 |
| 5.1.1 线性畸变校正原理 |
| 5.1.2 图形发生器 |
| 5.1.3 校正软件流程图 |
| 5.1.4 场的拼接实验 |
| 5.2 非线性畸变的类型及校正方法 |
| 5.2.1 非线性畸变的类型 |
| 5.2.2 非线性畸变的校正方法 |
| 第六章结论 |
| 6.1 课题的特点 |
| 6.2 课题的进展 |
| 6.3 课题的深入研究 |
| 附录一 校正软件部分源程序 |
| 附录二 校正电PCB 原理图 |
| 附录三 校正电路PCB 图 |
| 附录四 校正电路PCB 板 |
| 参考文献 |
| 发表文章 |
| 致谢 |
四、电子束曝光机束闸电路（论文参考文献）
- [1]高深宽比氢原子钟准直器制备及其性能测试研究[D]. 王俊. 南京航空航天大学, 2020(07)
- [2]功能性电子束抗蚀剂的研究及器件应用[D]. 毕开西. 湖南大学, 2019(07)
- [3]基于NBL电子束曝光系统合轴研究[J]. 吴文涛,王振亚,徐磊. 电子工业专用设备, 2016(12)
- [4]10纳米以下图形电子束曝光的研究[D]. 段辉高. 兰州大学, 2010(10)
- [5]基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计[J]. 刘俊标,方光荣,靳鹏云,薛虹,张福安,顾文琪. 电子工业专用设备, 2008(10)
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