导读:本文包含了纳米晶薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CdSe,纳米晶薄膜,光敏特性
纳米晶薄膜论文文献综述
熊智慧,肖飞,杨辉,张敏,曾体贤[1]（2019）在《CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究》一文中研究指出硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征。结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年04期）
尚海龙,马冰洋,李荣斌,李戈扬[2]（2019）在《Al-TiB_2纳米晶薄膜中的反Hall-Petch效应》一文中研究指出多种微结构因素作用的相互交织使纳米晶合金中是否存在与纯金属类似的反Hall-Petch现象难以得到实验证实。选用Al-TiB_2体系,采用二维结构纳米多层膜的方法,实现了对晶粒尺寸因素的孤立和使其独立地改变,研究了晶粒尺寸对薄膜力学性能的作用规律。结果表明:Al-TiB_2过饱和固溶纳米晶薄膜也与纳米晶纯金属Al一样,存在硬度随晶粒尺寸减小从遵从Hall-Petch关系提高转变为偏离Hall-Petch关系,并进一步出现反Hall-Petch效应的3个阶段,实验得到了偏离Hall-Petch关系为32 nm,产生反Hall-Petch现象的临界晶粒尺寸为8 nm,这2个临界晶粒尺寸与分子动力学方法对纳米晶纯金属A1计算的结果相当。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年03期）
乔泳彭,蒋百灵,丁郁航,张静[3]（2019）在《基于脉宽参量的TiN纳米晶薄膜制备及其性能?》一文中研究指出采用大功率脉冲溅射离子镀技术在不同脉宽条件下制备了一组TiN离子镀层,并通过XRD、SEM、AFM等手段对膜层的微观形貌、生长模式及相关力学性能进行了分析研究。结果表明:随着脉宽的增大,TiN膜层的瞬时沉积速率提高,膜层内部的晶化程度逐渐增强,薄膜晶粒尺寸有所增大,微观形貌显示为较典型的TiN(111)叁角锥形以及柱状生长,颗粒尺寸及表面粗糙度均随脉宽的延长而增大,膜层整体无明显孔隙等缺陷存在。通过对H/E值的分析可以看出,较小脉宽条件下制备的膜层综合性能较好、可以获得较高的膜层硬度以及较大的硬度-模量比。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年03期）
梁阔燚[4]（2019）在《CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜的制备及其敏感性研究》一文中研究指出钛酸钴(CoTiO_3)是一种二元金属氧化物,对乙醇、丙烯、水蒸气等气体表现出优良的敏感特性,具体表现在:响应快、抗干扰、长期稳定性好等特征。但作为p型半导体敏感材料,受自身能带结构和载流子传导机制的影响,其灵敏度普遍低于n型半导体。为了改善CoTiO_3的湿敏特性,本课题选取n型半导体TiO_2与之复合,构建一种表面晶粒排列高度有序的CoTiO_3/TiO_2异质敏感薄膜。基于薄膜表面均匀分布的p-n异质结和取向生长的纳米晶阵列结构,改变半导体能带结构、提高载流子传输效率,从而显着提升其湿敏特性。课题采用射频磁控溅射结合掠射角沉积技术分别制备出CoTiO_3和CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜,借助X-射线衍射(XRD),原子力学显微镜(AFM),透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)等表征薄膜的物相组成、形貌、取向生长特征、缺陷分布和化学价态。考察不同微观结构薄膜对湿度环境的灵敏度、响应/回复时间、检测范围、长期循环稳定性等。剖析薄膜结构与性能的内在关系,总结异质结型有序纳米晶薄膜的湿敏机理。主要研究内容及结果如下:(1)射频溅射法制备CoTiO_3有序纳米晶薄膜,考察不同沉积时间、功率、气压以及掠射角度对CoTiO_3薄膜结构、性能的影响,实验结果表明沉积时间60 min、溅射功率300 W、沉积气压0.5 Pa、掠射角度23°条件所制备的CoTiO_3薄膜具备最优良的湿度敏感特性,其表面呈现丘陵状晶粒形貌,对95%RH湿度环境的灵敏度最大可达4.17,响应和回复时间分别是28 s和48 s。(2)在最佳敏感特性的CoTiO_3薄膜上再溅射TiO_2,制备出CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜。该复合薄膜表面是由大量沿着(104)晶面取向生长的纳米晶柱状体构成,这些纳米晶柱状体的结构高度有序,晶体尺寸约为122 nm×35 nm,这种独特的形貌为薄膜提供了较大的比表面积、较多的活性吸附位点,使得复合薄膜的灵敏度提升了2个数量级,达到157.23,同时响应/回复时间缩短至10 s和14 s。CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜中TiO_2的最佳沉积工艺是:沉积时间10 min、溅射功率400 W、沉积气压0.5 Pa、掠射角度23°。(3)尝试通过调节CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜表面的Ti离子浓度,进一步改善它的敏感特性。发现热处理温度600℃,时间2 h,Ar-H_2混合气氛所制备CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜的敏感特性较为理想,其灵敏度为111.54,响应/回复时间显着缩短到2 s和5 s,表现出更快速的响应/回复特性。分析薄膜性能变化的原因是:Ar-H_2混合气体还原出了更多的Ti~(3+),导致薄膜的表面电阻值下降,灵敏度略微降低;而Ti~(3+)的数量增多,意味着氧空位缺陷的数量也在增多,因此水分子的活性吸附位点增多,薄膜对水的吸附能力增强,表现出更快的响应/回复速率。(4)CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜对湿度环境的敏感机理包含以下几个方面:(1)沿c轴取向生长的纳米晶柱状体为薄膜提供了较大的比表面积和较多的活性吸附位点;(2)TiO_2增强了薄膜表面的亲水特性;(3)p-n异质结缩短了电子流动路径,提升了载流子的传输速率;(4)有序纳米晶的表面形貌提高了薄膜的表面粗糙度、增强了毛细凝聚现象和Grotthuss链反应。(本文来源于《陕西科技大学》期刊2019-03-01）
张天宁,王书霞,黄田田,魏威,陈鑫[5]（2019）在《厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜（英文）》一文中研究指出利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显着影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年01期）
刘灿军,陈述,李洁[6]（2018）在《CdS/TiO_2纳米晶薄膜的原位法制备及光电化学性能研究》一文中研究指出CdS/TiO_2异质结薄膜因其优异的可见光催化性能,在光催化领域引起了广泛关注。然而,目前传统方法制备的CdS/TiO_2薄膜可能存在交界面结合不紧密的问题,不利于光生载流子在交界面处的传输。因此,本研究基于原位转换的原理(TiO_2→CdTiO_3→CdS),将TiO_2纳米晶表层原位转换成CdS,制备了CdS/TiO_2纳米晶薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)手段对样品薄膜的形貌和结构进行了表征。由表征结果可知,在TiO_2纳米晶表面形成了CdS,构成了交界面结合紧密的CdS/TiO_2异质结薄膜。光电化学性能研究表明,与传统的连续离子层吸附反应法(SILAR)制备的薄膜相比,原位法制备的CdS/TiO_2薄膜的光电流密度更高,达到9.8 mA·cm~(–2)(V=0.4 V(vs.RHE));交流阻抗谱(EIS)结果表明,原位法制备的CdS/TiO_2薄膜具有更小的电荷传输电阻,说明原位法形成的CdS/TiO_2异质结结合更紧密,能减小光生载流子在CdS/TiO_2界面处的传输阻力,降低光生载流子在传输过程中的复合几率,进而提高CdS/TiO_2薄膜的光电化学性能。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年12期）
种瑞峰,张凌,常志显[7]（2018）在《高温热处理铜锌锡硒纳米晶薄膜及其在染料敏化太阳电池对电极中的应用（英文）》一文中研究指出采用热注入法制备了纯相的铜锌锡硒(CZTSe)纳米晶,并将其沉积在FTO导电玻璃上,进一步通过高温热处理得到了CZTSe薄膜.采用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜表征了CZTSe薄膜的结构.以CZTSe薄膜作为染料敏化太阳电池的对电极,考察了CZTSe薄膜的晶体结构对催化性能的影响.结果表明,采用合适的温度对CZTSe进行处理对于获得高催化活性的CZTSe是非常必要的.(本文来源于《化学研究》期刊2018年05期）
潘书万,庄琼云,郑力新[8]（2018）在《硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.(本文来源于《华侨大学学报(自然科学版)》期刊2018年05期）
潘书万,庄琼云,陈松岩,黄巍,李成[9]（2018）在《硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学》一文中研究指出采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米晶均为叁角晶型结构,当退火温度高于140℃时,Se开始沿(100)方向择优取向结晶。分析得出,在Si(100)衬底上的Se晶粒(100)晶面的激活能比(101)晶面的激活能低,因而在(100)面上的结晶速率比(101)面上的结晶速率大,使得Se在(100)方向择优结晶。笔者认为这是因为Si(100)衬底对Se的结晶具有诱导作用,致使硒的结晶具有各向异性。(本文来源于《材料导报》期刊2018年11期）
吴晶[10]（2018）在《真空热蒸发制备碲化铋基热电纳米晶薄膜及其性能研究》一文中研究指出热电材料是一种可以实现热能与电能之间直接相互转换的新型能源材料,具有广泛的应用前景。低维结构可以通过增强材料的界面声子散射从而降低材料的热导率,提高材料的热电性能。Bi_2Te_3作为室温附近应用最广泛的传统热电材料,通过低维化处理,能够显着优化其热电输运性质,其研究是一个十分重要的研究领域,显示出很大的应用潜力。已有的研究主要集中在纳米晶块体材料,对薄膜了解较少。本论文主要针对Bi_2Te_3基热电纳米晶薄膜的真空热蒸发生长、结构调控和物性上开展了研究工作,得到了以下主要结果:(1)首次采用真空热蒸发技术在SiO_2衬底上成功制备了具有(00l)高度取向的Bi_4Te_3纳米柱阵列薄膜,对样品进行了详细的结构与电输运性能表征,讨论了蒸发源温度和衬底温度对Bi_4Te_3薄膜的成相及其微结构的生长的影响。结果表明,得到的薄膜样品具有纳米柱阵列的微结构和(00l)高度取向;Bi_4Te_3相的形成归因于Bi、Te原子饱和蒸气压的巨大差异;纳米柱阵列的生长行为是较高的沉积速度和较低的衬底温度协同作用的结果。电输运性质的分析发现,(00l)高度取向的纳米柱阵列薄膜具有较好的电输运性能,其在339 K下的PF值为0.032 mWm~(-1)·K~(-2),接近无取向普通薄膜的两倍。分析认为,Bi_4Te_3薄膜电学性能的增强归因于高度结晶和(00l)高度取向的协同作用。(2)采用真空热蒸发的方法,通过调控实验参数制备了不同化学组份x的Bi_(2-x)Sb_xTe_3薄膜(x=0,0.7,1.1,1.5,2),对所得薄膜进行了详细的微结构和形貌表征,结果显示实验制备得到了全组份固熔的Bi_(2-x)Sb_xTe_3取向薄膜,具有纳米柱阵列的有序微结构,掺杂的Sb组分原子均匀分布。对其电学性能的研究显示,Bi_(2-x)Sb_xTe_3薄膜中,Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3纳米柱阵列薄膜样品具有最佳的电学性能,其在T=300 K时电导率σ最大值达到了2.95*10~5 S·m~(-1),大约是未掺杂Bi_2Te_3薄膜样品的十倍多,约为已报道的Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3薄膜和块体的3倍多,475 K下功率因子PF最大值为3.83μWcm~(-1)·K~(-2)。当掺杂组份x约为1.2时,Bi_(2-x)Sb_xTe_3薄膜由n型半导体转变为p型半导体,在Sb组份掺杂的过程中,发现了金属绝缘体转变的现象。本论文工作扩展和丰富了Bi_2Te_3基热电材料的研究,获得了一些新的材料形态,实现了材料物性和微结构的调控,优化了热电性能,使用的高真空热蒸发制备方法简单,具有很好的应用前景。(本文来源于《广东工业大学》期刊2018-06-01）
纳米晶薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
多种微结构因素作用的相互交织使纳米晶合金中是否存在与纯金属类似的反Hall-Petch现象难以得到实验证实。选用Al-TiB_2体系,采用二维结构纳米多层膜的方法,实现了对晶粒尺寸因素的孤立和使其独立地改变,研究了晶粒尺寸对薄膜力学性能的作用规律。结果表明:Al-TiB_2过饱和固溶纳米晶薄膜也与纳米晶纯金属Al一样,存在硬度随晶粒尺寸减小从遵从Hall-Petch关系提高转变为偏离Hall-Petch关系,并进一步出现反Hall-Petch效应的3个阶段,实验得到了偏离Hall-Petch关系为32 nm,产生反Hall-Petch现象的临界晶粒尺寸为8 nm,这2个临界晶粒尺寸与分子动力学方法对纳米晶纯金属A1计算的结果相当。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米晶薄膜论文参考文献
[1].熊智慧,肖飞,杨辉,张敏,曾体贤.CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究[J].人工晶体学报.2019
[2].尚海龙,马冰洋,李荣斌,李戈扬.Al-TiB_2纳米晶薄膜中的反Hall-Petch效应[J].稀有金属材料与工程.2019
[3].乔泳彭,蒋百灵,丁郁航,张静.基于脉宽参量的TiN纳米晶薄膜制备及其性能?[J].稀有金属材料与工程.2019
[4].梁阔燚.CoTiO_3/TiO_2有序纳米晶薄膜的制备及其敏感性研究[D].陕西科技大学.2019
[5].张天宁,王书霞,黄田田,魏威,陈鑫.厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[6].刘灿军,陈述,李洁.CdS/TiO_2纳米晶薄膜的原位法制备及光电化学性能研究[J].无机材料学报.2018
[7].种瑞峰,张凌,常志显.高温热处理铜锌锡硒纳米晶薄膜及其在染料敏化太阳电池对电极中的应用（英文）[J].化学研究.2018
[8].潘书万,庄琼云,郑力新.硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性[J].华侨大学学报(自然科学版).2018
[9].潘书万,庄琼云,陈松岩,黄巍,李成.硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学[J].材料导报.2018
[10].吴晶.真空热蒸发制备碲化铋基热电纳米晶薄膜及其性能研究[D].广东工业大学.2018