导读:本文包含了浅电子陷阱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:陷阱,电子,光电子,感光度,微波,浓度,乳剂。
浅电子陷阱论文文献综述
代秀红,李新政,董国义,李晓苇,杨少鹏[1]（2011）在《浅电子陷阱掺杂对AgCl中光电子衰减特性的影响》一文中研究指出利用微波吸收介电谱检测技术,对均匀掺杂[Ru(CN)6]4-的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子时间分辨谱进行了检测。实验结果表明,样品曝光后,光生电子数量达到极大值所需时间随掺杂浓度增加逐渐变长;且随掺杂浓度的增加,自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的157ns延长至1 071ns。在分析光电子衰减曲线时发现,掺杂影响光电子的前期和后期衰减过程,主要是后期过程;且随掺杂浓度增加,光电子的前期和后期衰减都逐渐变慢。通过对比掺杂[Fe(CN)6]4-的研究结果发现,掺杂[Ru(CN)6]4-引入了浅电子陷阱(SETs),其深度较[Fe(CN)6]4-的浅。(本文来源于《光电子.激光》期刊2011年08期）
代秀红,李晓苇,董国义,张荣香,张继县[2]（2007）在《浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究》一文中研究指出利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2007年03期）
董国义,窦军红,张蕾,韦志仁,葛世艳[3]（2005）在《ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响》一文中研究指出本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2005年01期）
杨少鹏,傅广生,董国义,代秀红,韩理[4]（2005）在《掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性》一文中研究指出利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2005年01期）
张荣香,刘荣鹃,耿爱丛,韩理,李晓苇[5]（2004）在《卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应》一文中研究指出依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。(本文来源于《信息记录材料》期刊2004年01期）
杨少鹏,傅广生,李晓苇,耿爱从,韩理[6]（2003）在《立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]~(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟》一文中研究指出为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由叁个固有中心和一个浅电子陷阱 (SETs)组成的动力学模型 ,并引出一组微分方程 .通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命 .调整相关模拟参数 ,于常温下得到由 [Fe(CN) 6 ]4 - 引入的SETs阱深为0 115eV ,电子俘获截面为 2 136× 10 - 1 7cm2 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年11期）
王志坚,王文桂[7]（2003）在《浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究》一文中研究指出研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。(本文来源于《信息记录材料》期刊2003年02期）
耿爱丛[8]（2003）在《卤化银微晶中的浅电子陷阱掺杂特性》一文中研究指出本工作以光电子动力学理论为依据，建立了一种描述纯卤化银微晶及掺有不同浓度金属离子络合物的卤化银立方体微晶在室温下的能级模型，由此生成了一组描述粒子数关系的微分方程。通过计算该微分方程组得到了乳剂中各种光生载流子在超短脉冲曝光后的行为曲线，从而计算出自由光电子的衰减时间。通过分析模拟结果，确定了自由光电子衰减时间和模拟参数的对应关系，从而为确定具体乳剂中的参数提供依据。在此基础上，以微波吸收介电谱检测技术的实验结果为依据，对掺有K_4Fe(CN)_6的AgCl立方体微晶在室温下的曝光过程进行了模拟，通过调节模拟参数，不但计算出由掺杂剂引入的浅电子陷阱的俘获截面和陷阱深度，而且得到了这种掺杂乳剂的最佳掺杂浓度。(本文来源于《河北大学》期刊2003-05-01）
王志坚,王文桂[9]（2002）在《浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究》一文中研究指出本文研究了浅电子陷阱掺杂剂—钌盐(Ru(Ⅱ))加入纯溴立方体乳剂中,对感光度的影响,结果表明在乳剂颗粒的一定位置,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。(本文来源于《中国感光学会第六届青年学术交流会论文集》期刊2002-12-01）
刘徐红[10]（2001）在《浅电子陷阱技术》一文中研究指出浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支，近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理，并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的作用进行了初步的分析。在卤化银乳剂制备过程中使用浅电子陷阱剂可有效地提高照相感光度。(本文来源于《信息记录材料》期刊2001年01期）
浅电子陷阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
浅电子陷阱论文参考文献
[1].代秀红,李新政,董国义,李晓苇,杨少鹏.浅电子陷阱掺杂对AgCl中光电子衰减特性的影响[J].光电子.激光.2011
[2].代秀红,李晓苇,董国义,张荣香,张继县.浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究[J].人工晶体学报.2007
[3].董国义,窦军红,张蕾,韦志仁,葛世艳.ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响[J].人工晶体学报.2005
[4].杨少鹏,傅广生,董国义,代秀红,韩理.掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性[J].光谱学与光谱分析.2005
[5].张荣香,刘荣鹃,耿爱丛,韩理,李晓苇.卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应[J].信息记录材料.2004
[6].杨少鹏,傅广生,李晓苇,耿爱从,韩理.立方体AgCl微晶中[Fe(CN)_6]~(4-)引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟[J].物理学报.2003
[7].王志坚,王文桂.浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究[J].信息记录材料.2003
[8].耿爱丛.卤化银微晶中的浅电子陷阱掺杂特性[D].河北大学.2003
[9].王志坚,王文桂.浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究[C].中国感光学会第六届青年学术交流会论文集.2002
[10].刘徐红.浅电子陷阱技术[J].信息记录材料.2001
论文知识图
