导读:本文包含了反应磁控溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,射频,催化剂,氧化亚铜,流量,工艺。
反应磁控溅射论文文献综述
王槐乾,姜宏伟[1]（2019）在《磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜》一文中研究指出为研究N_2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N_2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。(本文来源于《真空》期刊2019年04期）
李霞,姚建可,邓伟,肖祥,贺鑫[2]（2019）在《p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO_2薄膜的工艺和性能研究》一文中研究指出我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O_2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O_2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O_2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O_2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O_2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O_2薄膜是高质量的。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2019年02期）
徐伟[3]（2019）在《反应磁控溅射沉积金属氧化物的不稳定性及反常生长行为》一文中研究指出反应磁控溅射是一种低沉本、高效率的制备化合物薄膜的方法,可以满足大规模工业生产的需求。然而,反应磁控溅射沉积工艺中存在的一些不稳定现象使其在实际应用中受到一定的限制。因此,研究反应溅射过程中的工艺不稳定性,发展相关的监测及控制技术,对于反应磁控溅射技术的大规模工业应用具有十分重要的现实意义。此外,在一些特定的条件下,反应溅射沉积金属氧化物将导致薄膜生长行为的反常。系统研究这些反常的薄膜生长行为,对于制备具有特殊结构和性质的新型功能薄膜具有重要价值。本论文以反应磁控溅射沉积金属氧化物为中心,针对反应溅射沉积工艺的不稳定和反常薄膜生长行为,研究了反应磁控溅射环境中的等离子体,特别是氧原子密度对工艺不稳定的影响;系统开展了反应磁控溅射沉积氧化物对金属银膜的反常氧化现象的研究,揭示了反常氧化导致的多孔AgO纳米棒薄膜及高温MgO基片上外延生长纳米编织结构NiO薄膜的生长机制,为利用反应磁控溅射方法制备多孔纳米结构薄膜奠定了必要的实验基础。论文的主要研究内容和结果如下:(1)磁控溅射是一种以气体放电为基础的薄膜制备技术,反应磁控溅射的工艺不稳定性主要源于等离子体中活性物种对金属靶氧化的不稳定性。因此,本工作利用等离子体发射光谱,测量了溅射靶表面附近的氧原子密度、电子激发温度和解离率等,探讨了反应溅射沉积NiO过程中这些等离子体参数从起辉到稳定工作的演化过程,发现等离子体对基片的加热作用是影响等离子体放电不稳定性的原因之一。同时,这种等离子体的不稳定性不仅与氧气分压、放电功率、工作气压等放电参数有关,还会受到基片温度、靶基间距等因素的影响,进而改变反应磁控溅射的工作模式。此外,在反应磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜时,发现在一定条件下氧原子密度存在准周期性变化现象,进而导致反应磁控溅射在金属和氧化模式之间自发转换,从而形成具有富氧/贫氧周期性结构的多层膜。研究发现,这种金属和氧化模式的自发转换一般出现在二者的过渡区附近,主要与溅射靶表面的刻蚀和磁场增强有关,可能是等离子体与溅射靶之间存在特殊的随时间演化的反应扩散模式引起的。(2)在反应磁控溅射沉积不同氧化物的过程中,发现基片上的金属银膜存在反常氧化现象,并最终形成具有多级结构的多孔AgO纳米棒薄膜。本工作重点研究反应磁控溅射沉积NiO过程中金属银膜的氧化及多孔AgO纳米结构形成的演化规律及物理机制,探讨了沉积速率、基片温度、靶基间距、工作气压和氧气分压等沉积参数对银膜氧化及多孔AgO纳米结构的影响。研究结果表明,银膜氧化从薄膜表面自上而下逐层进行,先形成具有六角结构的Ag2O(h-Ag20),而且表面没有任何镍的氧化物形成;当银膜被完全氧化后,进一步沉积NiO将导致薄膜从h-Ag2O相向立方AgO(c-AgO)相转变,并最终形成多孔c-AgO纳米棒薄膜。c-AgO纳米棒形核于c-AgO薄膜表面,可能与沉积的NiO在AgO薄膜表面形核有关;随着NiO的不断沉积,AgO纳米棒逐渐长大,并伴随着AgO纳米棒向薄膜底部延伸。当AgO纳米棒之间的连接部分基本消失后,沉积的NiO将导致AgO纳米棒上出现纳米级孔洞,并保持着多孔AgO纳米棒持续生长。研究发现,反应溅射沉积不同的金属氧化物有着类似的规律;利用300 nm厚的金属银膜,通过反应溅射沉积NiO可制备出4 μrm以上的多孔AgO纳米棒薄膜。通过分析反应磁控溅射环境中的氧原子密度、不同沉积元素及生长温度的影响,提出等离子体中的氧原子是导致银膜反常氧化的主要原因,而多孔AgO纳米棒的形成则主要归因于沉积的NiO和AgO之间存在的Kirkendall效应。此外,沉积过程中的阴影效应、基片温度和氧原子浓度在多孔AgO纳米结构的形成中起着至关重要的作用。(3)通过控制反应磁控溅射沉积金属氧化物的工艺参数,分别制备了 h-Ag20、Ti02//h-Ag20异质结和多孔c-AgO纳米棒薄膜,研究了这些薄膜在光致催化降解有机物和全固态薄膜电池方面应用的可能性。研究结果表明,h-Ag2O、Ti02//h-Ag20异质结和多孔c-AgO纳米棒薄膜的光催化活性均明显优于晶态和非晶态的Ti02薄膜,而且多孔c-AgO纳米棒薄膜的光催化性能最佳。此外,通过实验证明了水溶液中光催化形成的氢氧自由基(OH·)是有机物降解的重要原因,并根据测定的光学能带和银的氧化物稳定性,提出光生载流子和银的氧化物光致分解是产生OH·的主要机制,而多孔AgO纳米棒薄膜的光催化活性的增强还与多孔纳米结构导致的光俘获能力和比表面积增加有关。另外,将生长在Cu箔表面的多孔c-AgO纳米棒薄膜作为阴极,与金属Zn薄片组装成了具有一定柔性的Zn-AgO全固体薄膜电池。测量结果显示,这种多孔c-AgO纳米棒薄膜的比电容量高达390 mAh/g,十分接近432 mAh/g的理论值。(4)根据Kirkendall效应的思想,探讨了反应磁控溅射沉积NiO时外延生长纳米结构薄膜的可能性。研究发现,α-A1203(0001)单晶基片上可外延生长出高质量的NiO(111)单晶薄膜,摇摆曲线半峰宽仅为0.04°,但面内存在两种外延关系[211]NiO//[1120]Al2O3和[112]NiO//[1120]Al2O3,即NiO存在[111]和[111]两组取向的晶粒,与基片的晶格失配度均为7.5%。当在高于700℃的MgO(001)单晶基片上沉积NiO时,可外延生长出具有纳米编织状结构的NiO薄膜,应该是NiO沉积过程中Kirkendall效应导致的膜基互扩散的结果。通过对MgO基片进行大气高温退火处理或等离子体表面处理,能够一定程度上改善沉积NiO形貌,但结晶质量仍不太好,可能与二者之间存在较严重的固态反应有关。(本文来源于《大连理工大学》期刊2019-05-31）
王美涵,高博文,陈昀[4]（2018）在《在石英纤维丝上对向靶材直流反应磁控溅射沉积氧化铝薄膜》一文中研究指出采用对向靶材直流反应磁控溅射法,以金属铝为靶材,高纯氧为反应气体,在石英纤维丝上沉积了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的晶体结构、化学组成和表面形貌进行了研究.结果表明,室温沉积的氧化铝薄膜具有无定形结构,其组成为非化学计量比的氧化铝.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)显示在石英纤维丝上沉积的氧化铝薄膜致密且平整.沉积氧化铝薄膜的单根石英纤维丝的拉伸强度提高了1.85倍.(本文来源于《沈阳大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
张泽华,赵青南,刘翔,李渊,曾臻[5]（2018）在《膜厚对直流反应磁控溅射沉积NiO薄膜的结构与电致变色性能的影响》一文中研究指出采用直流反应磁控溅射法在FTO玻璃基片上沉积了不同厚度的氧化镍(NiO)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、台阶仪、紫外可见分光光度计、电化学工作站,研究了NiO薄膜厚度对其微观结构、形貌,以及电致变色性能的影响。结果表明,随着溅射时间增加,NiO薄膜厚度增加,试样的初始态可见光谱透过率逐渐降低,(200)晶面的XRD衍射峰强度逐渐增加;以1 M KOH溶液作为电解质,随着NiO薄膜厚度增加,薄膜电荷储存量逐渐增大。NiO薄膜厚度为920 nm的试样着色效率最高,达到了23.46 cm2/C;80 nm厚度的薄膜试样光学调制幅度最大,波长550 nm处为40.85%。薄膜越厚,着、褪色时间越长;所有试样着色时间均大于褪色时间,80 nm厚度的薄膜试样的着色、褪色时间最快,分别为4.47 s和2.28 s。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2018年09期）
侯帅[6]（2018）在《氧化镍薄膜的射频反应磁控溅射制备与电致变色性能行为》一文中研究指出近年来,能源问题已经成为了制约社会发展的主要问题之一,减少能源消耗是解决能源问题的重要手段。在此背景下,电致变色智能窗应运而生。目前,制备电致变色智能窗最为严峻的考验是制备性能优异的电致变色材料,它要求材料具备高效的响应速度,较高的着色效率以及优良的循环稳定性。在各种电致变色材料中,氧化镍(NiO)材料由于其具备优良的电致变色性能从而得到了人们的广泛关注。但是该材料的响应时间较长、光学调制范围较窄以及循环稳定性不佳,这些缺点在很大程度上限制了该材料的应用。在此背景下,本文从晶体学的角度出发,以双注入/抽出模型为理论基础,利用射频反应磁控溅射技术,通过采用控制衬底温度以及引入掺杂元素等方式对NiO的晶格结构进行调控,从而对在外加电场作用下电解液离子向薄膜的嵌入/脱出过程进行控制,进而提高NiO的电致变色性能。采用射频反应磁控溅射技术在富氧、缺氧、低压、高压条件下进行实验,通过对不同条件下得到的NiO薄膜进行分析研究,得到制备的最佳条件为富氧高压,在该条件下制备的NiO薄膜具有最大的容量以及最佳的电化学活性。在此基础上开展了升温实验,通过控制衬底温度得到结晶程度不同的NiO薄膜。电化学以及相关电致变色性能研究显示,非晶态NiO薄膜具有较高的电化学活性以及较大的电荷容量,并且其初始阶段电致变色性能较好,但是其循环性能较差。而结晶态的NiO薄膜虽然其电致变色活性较差,但其循环稳定性良好。据此,通过制备晶态-非晶态双层NiO电致变色薄膜,利用二者的协同作用,使薄膜的电致变色性能得到了提高。双层薄膜电极具备优良的电致变色性能,其着色时间为0.8 s,褪色时间为1.1 s,550 nm处的透过率调节范围最高可达62.2%。在循环的后期,双层膜电极褪色态的透过率出现了小幅的波动。经实验反复确认此现象并非测试误差。造成这一现象的原因可能在于晶态膜与非晶态膜之间的界面。当离子跨越此界面时需靠克服界面势垒,因此导致了薄膜性能的波动。据此开展了如下实验来克服这一缺点。利用射频反应磁控溅射技术,通过控制衬底温度从高温向低温逐渐过渡,得到了晶态—非晶态结晶程度均匀变化的NiO薄膜。该薄膜的结晶程度从与ITO玻璃接触的结晶程度良好的底部向与空气接触的结晶程度较差的表面逐渐变化。相关测试证实了该样品兼具非晶态薄膜与晶态薄膜的特点:AFM测试表明其具有较大的表面粗糙度(R_a与R_q分别为4.67与3.84)且XRD谱图有明显的NiO(200)特征峰;电化学测试表明该样品具有较强的化学活性,其相应的容量(7.51 mC/cm~2)以及粒子扩散效率(氧化过程4.62×10~-1212 cm~2/s,还原过程3.01×10~-1212 cm~2/s)要远高于结晶薄膜;该样品亦表现出了优良的电致变色性能,其着/褪色时间分别为3.1 s与2.1 s,550 nm处的透过率调节范围最大可达67.6%,并且该结构样品克服了双层膜循环过程中褪色态透过率出现波动的问题,其循环可稳定进行。采用射频反应磁控溅射技术,利用双靶位共溅射方式制备了一组掺铜量不同的NiO薄膜。固定镍靶的溅射功率,通过调节铜靶的功率来对铜元素的掺入量进行控制。电致变色性能测试表明,掺杂薄膜的透过率调节范围与未掺杂薄膜相比均有不同程度的提高,除此之外,掺杂样品的响应速度也有不同程度的提高,NiO-P60样品的着色时间与褪色时间分别为1.6 s与0.7 s。在以上实验结果的基础上,制备了ITO/Cu:NiO/LiTaO_3/WO_3/ITO结构的全固态电致变色器件。其电致变色性能测试表明该器件具有良好的变色能力,在550 nm处的透过率调节范围可达50%左右。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-09-01）
邢士龙,闵光辉,庞涛[7]（2018）在《反应磁控溅射法制备ZnO/Al(O)/ZnO薄膜的光学和电学性能》一文中研究指出采用反应磁控溅射法,通过控制中间层沉积时的氧气流量,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基底上制备了ZnO/Al(O)/ZnO薄膜,研究了氧气流量对Al(O)薄膜的微观形貌、表面粗糙度,以及对ZnO/Al(O)/ZnO薄膜光学和电学性能的影响。结果表明:随着氧气流量的增加,铝在ZnO薄膜表面由叁维岛状生长转变为二维层片状生长,Al(O)薄膜表面粗糙度先增大后减小再增大,当氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)时最小;随着氧气流量的增加,ZnO/Al(O)/ZnO薄膜在较长波长范围内的透过率增大,方阻增大,霍尔迁移率和载流子浓度下降;综合考虑光学和电学性能,适宜的氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)。(本文来源于《机械工程材料》期刊2018年08期）
常鸿,许绍俊[8]（2018）在《射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究》一文中研究指出Zn O因其制备成本低和优异的压电性能在薄膜体声波器件中得到广泛应用。本文采用射频反应磁控溅射法,以Au为底电极,在硅(100)衬底上沉积了氧化锌(Zn O)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪对不同工艺参数下制得薄膜的晶体结构、表面形貌和厚度进行了表征。研究了溅射功率、溅射气压和溅射气氛对Zn O薄膜结构影响,讨论了溅射功率和薄膜形貌及厚度的关系。结果显示在溅射功率为200 W、溅射气压0.8 Pa、氧氩体积流量比为0.4时,Zn O薄膜的c轴取向性最高,表面粗糙度最低,可用于压电器件。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年06期）
周启航[9]（2018）在《反应磁控溅射制备氧化亚铜薄膜的结构调控及光电性能研究》一文中研究指出现代社会科学技术的迅猛发展,在促进人类生活水平不断提高的同时,也加大了人类对自然资源的需求。煤、石油等传统不可再生资源已日益无法满足人类生产和生活的需要,电能源作为一种可再生的清洁能源,逐渐成为21世纪的世界能源,电动汽车等行业的兴起,也促使发电技术进行不断革新,而太阳能发电是所有发电方法中最环保、原材料最为丰富的方式。上世纪起始,科学家们便开始寻找新的半导体材料来取代硅基太阳能电池以提高太阳能发电效率,从70年代开始,氧化亚铜作为一种直接带隙的半导体材料逐渐受到注意,其无毒、制备成本低、自然界储备丰富,尤其20%的理论光电转换效率,不仅在理论上还是实际生产上都是制备太阳能光伏器件的绝佳选择。磁控溅射法、热氧化法、电化学沉积法、高温烧结等方法都可以制备出化学成分稳定的氧化亚铜薄膜,其中磁控溅射法制备具有薄膜成分均匀致密,实验参数易调控,制备工艺简单等优势,越来越多的研究者开始研究并优化其制备工艺和改善薄膜质量。但现阶段制约氧化亚铜太阳能薄膜电池应用的最大因素是其较低的异质结器件光电转换效率,如何有效控制薄膜的成分、生长取向,提高光电性能,进而提高光伏器件的光电转换效率是氧化亚铜太阳能电池应用的关键因素。本论文采用射频反应磁控溅射的方法制备得到P型氧化亚铜薄膜,并对沉积态薄膜进行了退火、掺杂等工艺处理,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、光吸收率测试、霍尔效应测试等分析方法对薄膜成分、晶体结构、表面形貌、光学性能、电学性能进行了分析,主要结果如下:1、采用射频反应磁控溅射系统,利用纯铜靶和氧气反应溅射制备P型氧化亚铜薄膜,通过控制溅射过程中沉积温度、氧气占比、靶材溅射功率得到最符合化学计量比的氧化亚铜薄膜,实验确定了120W靶材溅射功率、7.5%的氧气占比是最符合P型氧化亚铜薄膜制备条件的,薄膜呈(111)面择优生长,实验研究了温度对薄膜生长的影响,表明增加温度会降低薄膜的生长速率使厚度变薄,薄膜的晶粒尺寸变大,但薄膜制备所需的氧气条件并未发生明显改变。本文得到的氧化亚铜薄膜确定是P型半导体,薄膜的光禁带宽带为2.15eV,接近氧化亚铜的理论光禁带宽度。2、在上述获得的P型氧化亚铜薄膜基础上,对薄膜进行600℃真空退火处理,来改善薄膜的结构和电学性能。实验表明:退火处理后,氧化亚铜薄膜由(111)面择优生长转为(200)面,薄膜更加致密,薄膜的晶粒尺寸长大,结晶减少,载流子迁移率由5cm2/VS增加到14cm2/VS。3、通过高温扩散和共溅射两种不同的掺杂模式,研究钠的掺杂对薄膜相组成、表面形貌、光电性能的影响。Na的引入使得薄膜(200)面择优生长消失;高温扩散法中Na元素分布与厚度有关,而共溅射法可以实现Na的均匀掺杂,共溅射法拥有更好的掺杂效果;NaF的引入可减少薄膜中的O空位,空穴载流子浓度随之升高;Na含量不断增加,薄膜的载流子浓度由1.78×1015cm-3增加到1.12×1017cm-3。薄膜的电阻率也不断降低,由673Ωcm降到了 114Ωcm。(本文来源于《山东大学》期刊2018-05-22）
邵洪洋[10]（2018）在《磁控溅射制备碳包覆金属纳米粒子及氧还原反应催化和摩擦性能研究》一文中研究指出碳包覆金属纳米粒子作为一种新型的功能复合材料,不仅可以保护内部金属粒子不发生物理和化学变化,还可以赋予材料新的性能,使其在催化、能量转换和存储、生物医学以及摩擦材料等领域有广泛的应用前景。因此,碳包覆金属纳米粒子的制备及其应用研究引起了广泛的关注。本文采用磁控溅射方法通过调控沉积温度使碳原子通过原位自组装过程生长成石墨壳从而获得碳包覆金属纳米粒子薄膜;研究了碳包覆金属纳米粒子的氧还原反应催化性能及催化机理;并探究了碳包覆金属纳米粒子的摩擦性能。在探索碳包覆金属纳米粒子的可控合成及氧还原反应催化性能优化方面,先调节Ar和N_2气体流量比制得N含量不同的氮掺杂碳薄膜(CN),随后调节Cu靶的溅射电流制备不同Cu含量的CuCN薄膜,然后对所制备薄膜催化剂进行氧还原反应催化性能表征并筛选和优化出获得高催化性能的制备工艺。最后调节沉积温度发现控制沉积温度可以实现碳包覆金属纳米粒子的可控合成,在沉积温度为650?C时形成了典型的少层N掺杂洋葱碳包覆Cu纳米粒子结构;而沉积温度增加到750?C时,N掺杂洋葱碳壳厚度增加。通过线性扫描伏安法测试发现沉积温度为650?C时CuCN-650?C催化剂具有最佳的氧还原催化活性,表现出接近商业Pt/C催化剂的开启电势、半波电势和电子转移数,以及优于商业Pt/C催化剂的稳定性及耐甲醇性。结合X射线光电子能谱及密度泛函理论计算,CuCN-650?C催化剂具有最高的吡啶N含量,且内部的Cu纳米粒子能转移电子给外部的N掺杂洋葱碳壳,增强氧还原过程中对O_2的吸附能。CuCN-650?C催化剂氧还原催化性能的提高主要是由于其高的吡啶N含量,增强的导电性及被包覆的Cu纳米粒子与N掺杂洋葱碳壳的协同效应。而Cu纳米粒子与N掺杂洋葱碳壳的协同效应会受到N掺杂石墨壳的厚度的限制。在成功制备N掺杂洋葱碳包覆Cu纳米粒子结构的基础上,我们优化溅射过程中的沉积参数制备了Ag@C、Cu@C和Co@C叁种核壳结构薄膜。叁种薄膜均具有洋葱碳包覆金属纳米粒子结构,且展现出了较低的摩擦系数和优异的摩擦性能。结合磨痕表面的Raman图谱可知,磨痕处生成了晶化程度更高的石墨摩擦膜。在摩擦过程中,由于薄膜中特殊的碳包覆金属纳米粒子与摩擦表面的不充分接触,以及生成的石墨摩擦膜的低剪切应力,有效的减少了表面的磨损情况。此外,叁种碳包覆金属纳米粒子薄膜在油介质环境下也都展现出了优异的摩擦性能。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-05-01）
反应磁控溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O_2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O_2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O_2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O_2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O_2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O_2薄膜是高质量的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应磁控溅射论文参考文献
[1].王槐乾,姜宏伟.磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜[J].真空.2019
[2].李霞,姚建可,邓伟,肖祥,贺鑫.p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO_2薄膜的工艺和性能研究[J].功能材料与器件学报.2019
[3].徐伟.反应磁控溅射沉积金属氧化物的不稳定性及反常生长行为[D].大连理工大学.2019
[4].王美涵,高博文,陈昀.在石英纤维丝上对向靶材直流反应磁控溅射沉积氧化铝薄膜[J].沈阳大学学报(自然科学版).2018
[5].张泽华,赵青南,刘翔,李渊,曾臻.膜厚对直流反应磁控溅射沉积NiO薄膜的结构与电致变色性能的影响[J].硅酸盐通报.2018
[6].侯帅.氧化镍薄膜的射频反应磁控溅射制备与电致变色性能行为[D].哈尔滨工业大学.2018
[7].邢士龙,闵光辉,庞涛.反应磁控溅射法制备ZnO/Al(O)/ZnO薄膜的光学和电学性能[J].机械工程材料.2018
[8].常鸿,许绍俊.射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究[J].电子元件与材料.2018
[9].周启航.反应磁控溅射制备氧化亚铜薄膜的结构调控及光电性能研究[D].山东大学.2018
[10].邵洪洋.磁控溅射制备碳包覆金属纳米粒子及氧还原反应催化和摩擦性能研究[D].吉林大学.2018
论文知识图
![反应磁控溅射中的迟滞回线[8]](http://image.cnki.net/GetImage.ashx?id=JSCL2007020060005&suffix=.jpg)
