导读:本文包含了蚀坑形貌论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:形貌,晶体,单晶体,腐蚀剂,缺陷,电火花,脉冲。
蚀坑形貌论文文献综述
王彤,蒋婷,吕先崇,许小村[1]（2017）在《单脉冲气中电火花线切割电蚀坑形貌仿真分析》一文中研究指出为研究气中电火花线切割加工机制,建立Cr12Mo V模具钢温度场的数学模型。基于ABAQUS软件对单脉冲放电过程中Cr12Mo V模具钢的温度场进行仿真分析,得出Cr12Mo V模具钢的温度场分布规律,测量出不同峰值电流和脉冲宽度下工件表面电蚀坑的半径和深度并进行了修正,进而计算出电蚀坑的体积。获得了单脉冲放电后工件表面电蚀坑半径、深度、体积以及深径比随峰值电流与脉冲宽度的变化规律,进而预测出电火花线切割加工效率与工件的表面质量。(本文来源于《机床与液压》期刊2017年23期）
王莹,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇[2]（2010）在《硒铟镓银单晶体(112)面蚀坑形貌观察》一文中研究指出研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进行研磨、机械抛光,使其表面平整无划痕;再将晶片用新腐蚀液,浓HNO3(65%～68%)∶浓HCl(35%～38%)=1∶2.5(体积比),在室温下腐蚀5min,同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察,发现清晰的蚀坑形貌,形状近似为正叁角形,并对(112)面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2010年S1期）
邓江辉,赵北君,朱世富,何知宇,郭楠[3]（2010）在《CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察》一文中研究指出采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs2晶片。报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO3∶H2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰叁角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面叁角形蚀坑的形成原因。(本文来源于《材料工程》期刊2010年01期）
王莹,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇[4]（2009）在《硒铟镓银晶体(112)面蚀坑形貌观察》一文中研究指出硒铟镓银(AgGa1-xInxSe2)晶体属于黄铜矿结构,42m点群,是一种性能优异的中红外非线性光学晶体。AgGa1-xInxSe2晶体的显着特点是其机械性能、热学性能以及双折射等都可随x的改变而变化。然而晶体中的缺陷将直接影响晶体的性质和应用,因此对其缺陷的研究十分必要,是晶体生长、器件制备研究的一个重要组成部分,通常晶体缺陷研究的重要手段之一是对其进行腐蚀形貌观察分析。(本文来源于《第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集》期刊2009-11-06）
杨胜伟,朱世富,赵北君,陈宝军,袁泽锐[5]（2009）在《硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究》一文中研究指出本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为叁角锥形。初步解释了蚀坑的形成原因。AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出叁角锥形蚀坑形貌。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2009年04期）
陈俊,朱世富,赵北君,高德友,魏昭荣[6]（2004）在《CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察》一文中研究指出利用CdZnTe晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面。采用自行研制的HHKA腐蚀液对叁个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104-105/cm2数量级。结果表明生长晶体的质量较好。(本文来源于《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ》期刊2004-09-01）
高德友,赵北君,朱世富,王瑞林,魏昭荣[7]（2004）在《碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察》一文中研究指出本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为叁角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2004年02期）
蚀坑形貌论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进行研磨、机械抛光,使其表面平整无划痕;再将晶片用新腐蚀液,浓HNO3(65%～68%)∶浓HCl(35%～38%)=1∶2.5(体积比),在室温下腐蚀5min,同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察,发现清晰的蚀坑形貌,形状近似为正叁角形,并对(112)面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
蚀坑形貌论文参考文献
[1].王彤,蒋婷,吕先崇,许小村.单脉冲气中电火花线切割电蚀坑形貌仿真分析[J].机床与液压.2017
[2].王莹,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇.硒铟镓银单晶体(112)面蚀坑形貌观察[J].人工晶体学报.2010
[3].邓江辉,赵北君,朱世富,何知宇,郭楠.CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察[J].材料工程.2010
[4].王莹,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇.硒铟镓银晶体(112)面蚀坑形貌观察[C].第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2009
[5].杨胜伟,朱世富,赵北君,陈宝军,袁泽锐.硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究[J].人工晶体学报.2009
[6].陈俊,朱世富,赵北君,高德友,魏昭荣.CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察[C].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004
[7].高德友,赵北君,朱世富,王瑞林,魏昭荣.碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察[J].人工晶体学报.2004
论文知识图
