GaN体单晶的氨热生长及应力调控

论文摘要

采用氨热法在碱性条件下生长了Ga N体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量Ga N晶体的E2（high）声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,（002）和（102）的X射线摇摆曲线FWHM分别为48 arcsec和54 arcsec,显微拉曼光谱表明经过工艺优化后的晶体应力显著降低,应力的来源主要为生长过程中杂质的引入。

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类型: 期刊论文

作者: 燕子翔,李腾坤,苏旭军,高晓冬,任国强,徐科

关键词: 晶体,氨热法,应力调控

来源: 人工晶体学报 2019年09期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 化学,无线电电子学

单位: 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

基金: 国家自然科学基金(61574162,61604169)

分类号: O78;O614.371;TN304

DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.09.005

页码: 1599-1603

总页数: 5

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标签：晶体论文;  氨热法论文;  应力调控论文;