导读:本文包含了非晶硅薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,太阳能电池,微结构,磁控溅射,激光,表面,参数。
非晶硅薄膜论文文献综述
杨秀钰,陈诺夫,张航,陶泉丽,徐甲然[1]（2019）在《对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结》一文中研究指出本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(pc-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。(本文来源于《材料导报》期刊2019年20期）
李勇,秦应雄[2]（2019）在《1064 nm MOPA激光器非晶硅薄膜太阳能电池清边工艺研究》一文中研究指出利用1 064 nm MOPA光纤激光器对非晶硅薄膜太阳能电池制备工序中的激光清边工序进行了实验研究,探讨了激光器脉冲宽度、填充线间距、扫描速度等工艺参数对加工效果的影响。在脉冲宽度100 ns,重复频率80 kHz,填充线间距35μm,输出功率比100%,扫描速度3 500 mm/s,光斑交迭比w_x=0.83,w_y=0.88的参数下,获得了清边区表面理想,电阻值>1 000 MΩ的良好清边效果。(本文来源于《应用激光》期刊2019年02期）
尹广玥,游利兵,陈星,邵景珍,陈亮[3]（2019）在《准分子激光线形光束晶化非晶硅薄膜》一文中研究指出准分子激光线形光束在多晶硅薄膜的工业生产中有重要应用。基于自行研制的激光退火设备输出的线形XeCl准分子激光对等离子体增强化学气相沉积制备的大尺寸非晶硅薄膜进行退火处理。研究了线形光束的能量密度、辐照数量对薄膜晶化程度的影响,讨论了制备的大尺寸多晶硅薄膜的晶化体积分数及均匀性。实验结果表明,薄膜晶化的阈值为194 mJ·cm~(-2);薄膜的晶化体积分数随能量密度先线性增大,再缓慢减小,线性增长因子约为0.3,当能量密度为432 mJ·cm~(-2)时,晶化程度最优;当辐照数量超过20次时,薄膜的晶化体积分数维持稳定;当光斑搭接率为93.7%时,制备的大尺寸多晶硅薄膜右侧区域的晶化体积分数为92.26%,相对标准差为1.56%,略好于左侧区域。该工作为线形光束晶化非晶硅薄膜的研究及准分子激光线形光束退火设备的国产化及提供了参考。(本文来源于《量子电子学报》期刊2019年02期）
叶常茂,卢利清[4]（2018）在《静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究》一文中研究指出利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小。(本文来源于《科技视界》期刊2018年20期）
刘晶晶,姚尧,朱月岭,戴伟,肖少庆[5]（2018）在《基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究》一文中研究指出采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷(SiH_4)和氢气(H_2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果。并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌。结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能。最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 m V。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年06期）
唐鹿,薛飞,郭鹏,罗哲,李旺[6]（2018）在《氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响》一文中研究指出采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显着提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm~2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。(本文来源于《发光学报》期刊2018年06期）
罗耀榕[7]（2018）在《氢化非晶硅薄膜微观结构特征形成的分子动力学模拟研究》一文中研究指出非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池因其低生产成本和高光电转换效率而具有非常大的应用前景。氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是该电池中的钝化层,它的结构与性能对异质结太阳能电池的转换效率起着决定性作用。当前的实验研究主要关注沉积工艺与薄膜性能之间的关联,对于薄膜微观结构的演变缺乏深入的研究与分析,致使非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池发展缓慢。本文采用分子动力学方法模拟研究了沉积参数和后处理对氢化非晶硅薄膜微观结构的影响,为现有实验研究补充工艺与结构的关联,得到了如下结果:(1)对晶硅衬底取向的影响研究发现:不同取向硅衬底上得到的a-Si:H薄膜结构均为非晶,但薄膜中原子排列的致密性和有序度由高到低的顺序为:(111)面>(110)面>(001)面。不同厚度a-Si:H薄膜的质量密度分析结果显示,硅衬底取向对a-Si:H薄膜结构的影响仅限于界面以上的几个原子层,之后衬底取向对薄膜结构的影响被明显削弱。(2)对入射角的影响研究发现:在低入射角(0°、15°、30°)情况下a-Si:H薄膜的成膜模式为层状生长模式;在高入射角(60°、75°)情况下,a-Si:H薄膜的成膜方式为柱状或岛状生长模式。随着入射角的降低,薄膜表面形貌得到改善,同时薄膜中孔洞结构和悬挂键含量均降低。原子扩散结果表明,入射角对原子扩散起着至关重要的作用:高入射角下的扩散能力比低入射角下的要大。随着入射角的增大,阴影效应显着增强,对薄膜成膜模式、微观结构及其演变、原子扩散的影响也得到增强。Voronoi多面体分析表明,随着入射角降低,第一近邻原子结构排列趋向于四面体结构分布,第二近邻原子结构排列趋于紧密。(3)对沉积基团的影响研究发现:a-Si:H薄膜沉积生长过程中,沉积基团的吸附率与基团本身同氢原子结合形成气相的难易程度密切相关,其由难到易的顺序为:Si_2H_4基团>SiH基团>SiH_2基团>SiH_3基团,基团越易形成气相,其吸附率越低。以SiH_3作为沉积基团得到的a-Si:H/c-Si薄膜,H含量最高,SiH含量最高,悬挂键和浮键含量最低,界面区域H含量最高。(4)对a-Si:H/c-Si薄膜进行退火处理的研究发现:退火过程使a-Si:H薄膜结构更加紧凑和有序,第一近邻原子结构排列趋向于四面体结构分布,第二近邻原子结构排列趋于紧密。退火温度升高,薄膜表面越光滑,同时悬挂键含量、SiH含量和H含量均下降。界面区域内H含量随退火温度升高先增加后减小,在500 K有极大值。低退火温度下,短程氢扩散导致界面H含量增加;高退火温度下,长程氢扩散以及氢溢出导致界面H含量降低。(5)对a-Si:H/c-Si薄膜进行氢处理的研究发现:氢处理过程降低了a-Si:H薄膜结构的致密性和有序度。同时,氢处理可以改善薄膜表面形貌,氢入射动能越大,薄膜表面越光滑。Post-H含量、H含量和Si H含量随氢原子入射动能增大先增加后下降,动能的分界点为2.09 eV。此外,以低于此分界点动能的氢去处理薄膜,悬挂键含量无明显变化;反之则会导致悬挂键含量明显增加,薄膜质量下降。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-05-25）
李小龙,黄鹏,张慧娟,李栋,田雪雁[8]（2018）在《非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响》一文中研究指出目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜(Amorphous Silicon Film)。利用高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA),完成非晶硅到多晶硅的转变。通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析,后续完成薄膜晶体管后利用I-V测试机台对器件特性进行测试。结果随着非晶硅薄膜厚度的增加,准分子激光晶化的最优能量密度(Optimal Energy Density,OED)以及工艺窗口(OED Margin)均增加,当膜层厚度大于等于47 nm时,OED Margin均为25 mJ/cm~2。当膜厚为47 nm时,多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64,也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射率为4.5时,形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45,远优于折射率为4.38时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折射率为4.5的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT(PMOS)迁移率为120.6 cm~2/(V?s),阈值电压为-1.4 V,关态电流为53 pA;折射率为4.38时的迁移率为112.4 cm~2/(V?s),阈值电压为-2.0 V,关态电流为71 pA。结论当非晶硅膜厚为47 nm时,准分子激光晶化的OED Margin以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优的水平。另外,提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。(本文来源于《表面技术》期刊2018年04期）
钟全[9]（2018）在《非晶硅薄膜太阳能电池激光刻线工艺研究及设备优化》一文中研究指出面对目前全球性的能源危机和环境污染问题,人类不断的在寻找可再生能源来替代传统能源,太阳能是最理想的清洁能源。因此,研究和开发低廉、高效的太阳能电池成为当务之急。非晶硅薄膜太阳能电池因其弱光效应好、光吸收系数大、生产成本低、适于大面积生产等优点,已成为太阳能电池家族中的重要一员。非晶硅薄膜太阳能电池的一项重要工艺是激光刻线工艺,激光刻线工艺直接影响着太阳能电池的转换效率。本文首先对激光刻线工艺进行了研究探讨,分析激光刻线产生的寄生电阻对电池功率的影响;优化了激光刻线工艺参数并获得了最佳激光刻线工艺参数;重点研究了负极边小电池对电池功率的影响并进行了优化;最后通过工艺和设备优化减小了太阳能电池的死区面积。主要工作总结如下:1.寄生电阻对太阳电池转换效率的影响:太阳能电池的输出功率、填充因子和转换效率随串联电阻增大而降低,随并联电阻增大而升高。进而分析了激光刻线对太阳能电池串联电阻和并联电阻的影响。2.探索了一次激光P1、二次激光P2、叁次激光P3、以及激光扫边P4的最优激光工艺参数。并进行了工艺验证:最大功率达到73W,转换效率9.7%以及填充因子0.728。3.提出了P1刻绝缘线的工艺来替代P2上料前人工粘贴掩膜胶带工艺,并进行了工艺验证和比较,两种工艺下电池功率差异不大,P1刻绝缘线工艺的电池功率略微比掩膜工艺高。导入P1刻掩膜工艺使生产成本降低。4.研究了负极边小电池对电池功率的影响:负极边小电池会降低电池的整体功率。导入了新工艺:P2、P3负极边最后一条激光刻线不刻,使负极边小电池无效。并进行了工艺验证:电池功率提升了1.2W以上,P2、P3的生产节拍也提升了3~4s。5.优化死区面积提升了电池功率,通过工艺优化减小P1线宽以及设备优化减小P1-P2和P1-P3刻线线距,使死区面积共减少了30μm。并进行工艺验证:电池功率提升了0.26W,电池组件平均功率超过了74.5W,转化效率超过了10%。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-04-10）
龚敏刚,黄海宾,田罡煜,高超,孙喜莲[10]（2017）在《本征非晶硅薄膜钝化晶体表面特性的DLTS分析》一文中研究指出以SiH_4和H_2作为气源,采用热丝化学气相沉积法制备a-Si:H薄膜钝化c-Si表面,采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果的影响,采用C-V法和深能级瞬态谱法对钝化后硅片表面的缺陷态进行测试。实验结果表明,在频率为200 kHz时,表面复合速率为54 cm/s的硅片的表面缺陷态密度为1.02×10~(11) eV-1·cm~(-2),固定电荷密度为6.12×10~(11) cm~(-2);本征a-Si:H对硅片表面的钝化效果是由该薄膜在硅片表面引入的氢对应的键终止以及由其引入的固定电荷形成的场钝化效应共同决定的;本征a-Si:H钝化后硅片表面的深能级缺陷特征是电子陷阱,激活能、俘获截面以及缺陷浓度分别为-0.235eV、1.8×10~(-18) cm~2、4.07×10~(13) cm~(-3)。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2017年12期）
非晶硅薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用1 064 nm MOPA光纤激光器对非晶硅薄膜太阳能电池制备工序中的激光清边工序进行了实验研究,探讨了激光器脉冲宽度、填充线间距、扫描速度等工艺参数对加工效果的影响。在脉冲宽度100 ns,重复频率80 kHz,填充线间距35μm,输出功率比100%,扫描速度3 500 mm/s,光斑交迭比w_x=0.83,w_y=0.88的参数下,获得了清边区表面理想,电阻值>1 000 MΩ的良好清边效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非晶硅薄膜论文参考文献
[1].杨秀钰,陈诺夫,张航,陶泉丽,徐甲然.对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结[J].材料导报.2019
[2].李勇,秦应雄.1064nmMOPA激光器非晶硅薄膜太阳能电池清边工艺研究[J].应用激光.2019
[3].尹广玥,游利兵,陈星,邵景珍,陈亮.准分子激光线形光束晶化非晶硅薄膜[J].量子电子学报.2019
[4].叶常茂,卢利清.静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究[J].科技视界.2018
[5].刘晶晶,姚尧,朱月岭,戴伟,肖少庆.基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究[J].人工晶体学报.2018
[6].唐鹿,薛飞,郭鹏,罗哲,李旺.氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响[J].发光学报.2018
[7].罗耀榕.氢化非晶硅薄膜微观结构特征形成的分子动力学模拟研究[D].南昌大学.2018
[8].李小龙,黄鹏,张慧娟,李栋,田雪雁.非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响[J].表面技术.2018
[9].钟全.非晶硅薄膜太阳能电池激光刻线工艺研究及设备优化[D].电子科技大学.2018
[10].龚敏刚,黄海宾,田罡煜,高超,孙喜莲.本征非晶硅薄膜钝化晶体表面特性的DLTS分析[J].激光与光电子学进展.2017
论文知识图
