导读:本文包含了电阻耦合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多电极激励模式,电容耦合电阻层析成像,图像重建,空隙率测量
电阻耦合论文文献综述
徐子健[1]（2019）在《基于多电极激励模式的电容耦合电阻层析成像系统研究》一文中研究指出电阻层析成像技术具有结构简单、成本低、可视化和非侵入等特点,是目前电学层析成像技术的研究热点之一。电容耦合电阻层析成像技术(CCERT)将电阻层析成像(ERT)技术与电容耦合非接触电导检测(C4D)技术相结合,实现了非接触式测量,该技术能有效避免因传感器电极与被测液体直接接触而带来的电化学腐蚀、电极极化等问题。现有的CCERT系统采用的是单电极激励模式,在其他电学层析成像领域,多电极激励模式已被证实可以提高激励信号的强度、增加独立检测电信号的个数,进而提高系统性能。因此多电极激励模式在CCERT系统中有广阔的工业应用前景,研究其在CCERT系统上的表现是十分有必要的。本文针对该问题,首次对基于多电极激励模式的CCERT系统进行了研究,成功实现了系统样机的在线运行,并利用系统样机进行数据采集实验,对多电极激励模式在图像重建和空隙率测量中的效果进行了初步研究。本文的主要工作和创新点如下:(1)仿真研究了基于多电极激励模式的CCERT系统,证实了其可行性。然后,将多电极激励模式应用到CCERT系统中,完成了整个系统的硬件电路调试和上/下位机软件编写,成功实现了系统样机的在线运行。(2)对系统样机的数据采集速度、数据重复性和图像重建结果进行了测试,测试结果表明,该系统与单电极激励模式相比,数据采集速度达到了要求,数据重复性和一致性都有较大提高,其中二电极激励方案具有更好的成像效果,为该技术的深入研究打下了较好的基础。(3)利用该系统样机,使用最小二乘方法进行了空隙率的测量,实验结果表明,多电极激励模式在层流的空隙率测量中有较大优势,有很大的发展潜力。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-06-01）
卫鹏,周前,汪成根,刘建坤,朱鑫要[2]（2018）在《特高压交直流耦合系统换相失败期间考虑制动电阻抑制功率振荡方法研究》一文中研究指出随着特高压交直流系统的耦合程度不断提高,如何抑制特高压直流发生换相失败引起的特高压交流联络线功率振荡是交直流混联电网控制当前迫切需要解决的问题。文中提出了一种在发生换相失败期间采用整流侧投入制动电阻的方法抑制功率振荡的方法,在RTDS中搭建了锦苏直流和长南荆特高压交流及周边等值交流电网,采用与锦苏直流输电工程在控制保护功能和故障下的暂态响应等方面特性一致的特高压直流控保真型装置与RTDS构成闭环仿真平台,对不同制动电阻和不同直流功率下抑制功率振荡效果影响进行了仿真分析,验证了制动电阻投退逻辑。结果表明,提出的制动电阻的控制逻辑能够有效抑制特高压交直流耦合系统换相失败期间联络线上功率振荡,同时缩短故障恢复时间。(本文来源于《高压电器》期刊2018年10期）
李必春[3]（2018）在《不拆解直流耦合电容器均压电阻对电容元件测量的影响分析》一文中研究指出在高压耦合电容器的生产过程中,需要测量介损异常的产品每只元件的电容量和tanδ值。为提高测试效率,对带有均压电阻的耦合电容器在不拆解均压电阻情况下如何保证测量准确性的问题进行分析。以该类耦合电容器元件为研究对象,通过建立测量单只元件模型,确定均压电阻对电容量和tanδ测量值的函数关系,分析均压电阻值对tanδ值的影响,并在实际的直流耦合电容器上进行了模拟试验,证明了分析正确性,为测量该类电容器元件的电容量和tanδ值提供依据。(本文来源于《广西电力》期刊2018年04期）
李凯锋[4]（2018）在《基于电容耦合电阻层析成像技术的气液两相流参数检测研究》一文中研究指出气液两相流在石油、化工等领域中广泛存在,具有非常重要的研究与应用价值。流型和空隙率是气液两相流区别于普通单相流体所特有的两个重要参数,对于流型和空隙率的准确测量具有重要的工业应用价值。电容耦合电阻层析成像(CCERT)技术是将电容耦合非接触电导检测(C4D)技术与传统ERT技术相结合提出的新型层析成像技术,以其非接触、结构简单、成本低廉和鲁棒性好等优点受到了研究人员的广泛关注。但目前的CCERT技术一般要首先对被测管道截面进行图像重建,再根据重建的图像进行流型辨识和空隙率测量等工作,其精度和实时性受图像重建算法的影响较大,存在不足之处。针对以上问题,本文在现有工作的基础上,首先根据工业化仪表的要求设计并制作了工业化CCERT系统,然后结合数据挖掘算法,直接对工业化CCERT系统采集到的被测管道截面的电阻值数据进行分析和处理,从而实现流型辨识和空隙率测量。本文的主要工作和创新点如下:(1)设计并制作了工业化CCERT系统样机,实现了系统的数据采集和成像功能。结合工业化仪表对稳定性和安全性的要求,将系统的电源模块和数据采集与处理模块分别独立进行设计。(2)提出了一种非接触式气液两相流流型辨识方法。分别利用K-Means和KNN算法对经过PCA降维后的实验数据进行分析处理,实现了气液两相流流型的静态和动态辨识。实验结果表明,两种方法对于气液两相流流型的静态和动态辨识均具有较高的准确度,其中KNN算法的综合效果优于K-Means算法。实验结果进一步验证了所提出的流型辨识方法的有效性。(3)在流型辨识的基础上,分别使用岭回归和偏最小二乘回归方法建立了不同流型下的空隙率测量模型,实现了气液两相流空隙率的静态和动态测量。实验结果表明,使用两种方法所建立的空隙率测量模型对于泡状流、层状流和环状流叁种典型流型的静态和动态空隙率测量均具有较高的准确度。其中偏最小二乘回归方法在气液两相流空隙率测量方面的综合效果优于岭回归方法。实验结果进一步验证了所提出的空隙率测量方法的有效性。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-01-18）
纪磊,耿培云,王兰[5]（2017）在《基于集总电阻加载吸波器的紧耦合超宽带天线》一文中研究指出基于集总型电阻频率选择表面吸波器,设计一款超宽带紧耦合天线阵列。在天线阵列与地板之间加入两层结构集总型电阻频率选择表面吸波器,改变天线与地板之间的传输特性,有效抑制天线短路零点出现,扩展天线带宽;同时利用天线间强耦合效应,减小天线单元结构尺寸。使用集总电阻和金属环构成的吸波器代替常规阻抗型频率选择表面结构,降低天线阵列设计与加工难度,同时可有效改善天线阻抗匹配。仿真实验表明,通过调节集总频率选择表面吸波器物理结构、加载电阻阻值和天线间耦合电容值等参数,当天线单元驻波比小于3时,可实现带宽范围达12.6:1(1.5~19 GHz)的超宽带性能;并在2.2~18.3 GHz范围内具有驻波比小于2的良好匹配性能。(本文来源于《微波学报》期刊2017年06期）
王晓骁,张帅[6]（2016）在《基于电阻型频率选择表面的超宽带紧耦合相控阵天线》一文中研究指出由于需要克服阵列单元之间的互耦效应和阵列栅瓣效应,传统的相控阵天线在尺寸上受到不同程度的限制,从而导致相控阵的带宽难以进一步拓宽。紧耦合相控阵天线基于单元间的耦合效应进行设计的,其通过合理利用阵列单元之间的耦合,能够有效减小天线单元的物理尺寸,进而拓宽了阵列带宽和阵列扫描角域;同时,将其与电阻型频率选择表面相结合,能够消除由反射板在对应频点因反相迭加而产生的驻波峰值,带宽能够得到进一步的展宽。从仿真结果中可以看出,文中所设计的天线单元在驻波比小于3时工作频段能够覆盖0.5~5GHz。(本文来源于《微波学报》期刊2016年S1期）
张凯[7]（2017）在《基于电容耦合电阻层析成像技术的鼓泡床相含率测量研究》一文中研究指出电阻层析成像技术由于其结构简单、成本低廉和鲁棒性好等特点,已经成为了多相流领域的研究热点。电容耦合电阻层析成像技术(CCERT)是一种结合了电容耦合非接触电导测量技术和电阻层析成像技术的新型层析成像技术,实现了对被测对象的非接触式测量,避免了电化学腐蚀等一系列问题,具有广阔的应用前景。本文在现有的工作基础上,研制电容耦合电阻层析成像系统,利用静态实验建立了基于该系统的气液两相流相含率测量模型,并在实验室鼓泡床上进行动态气液两相流相含率测量以及实时动态成像,实现对鼓泡床内多相流流动情况的监测。在此基础上,建立基于声发射技术的气相相含率测量模型,与CCERT技术相结合,实现了气液固叁相流体系下的各相相含率测量。本文的主要工作和创新点如下:(1)研制并调试CCERT系统样机,编写上位机软件,实现其数据采集以及成像功能。将该系统应用于气液鼓泡床中,在不同气体流量下进行在线成像,实现了该系统在鼓泡床上的动态成像。(2)建立了 CCERT系统的相含率测量模型,并完成动态相含率测量实验。在静态实验中,利用主成分回归与偏最小二乘回归两种方法对CCERT系统采集到的数据进行回归,建立CCERT系统的相含率测量模型并比较两种方法所建立模型的效果。利用已经建立好的相含率测量模型,在鼓泡床中进行动态相含率的测量实验。实验结果进一步验证了所建立的CCERT系统相含率测量模型的有效性。(3)提出一种非接触式气液固叁相流相含率测量方法,并在鼓泡床上完成动态实验。本文首先对声发射系统采集到的声信号进行分析与处理,验证声发射技术测量相含率的理论可行性,然后通过偏最小二乘回归方法建立声发射技术的相含率测量模型。结合CCERT技术和声发射技术的相含率测量模型,在气液固叁相鼓泡床中进行实验,测量叁相流的各相相含率。实验结果验证了 CCERT与声发射方法相结合测量叁相流各相相含率是可行的,实现了对叁相相含率的非接触检测。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-01-20）
杨潇,王文先,闫志峰,王志斌,张心保[8]（2017）在《TTS443电阻点焊多场耦合数值模拟及显微组织研究》一文中研究指出建立了热-电-力叁场直接耦合的电阻点焊有限元分析模型,实现了对焊接过程中热-电-力叁场的变化同时进行计算。模型充分考虑到了材料的热物理性能、接触界面热-电-力叁场交互作用的影响。焊核尺寸的数值计算结果与试验结果吻合良好,相对误差小于10%。并在此基础上,研究了焊接热输入对TTS443铁素体不锈钢焊接接头的显微组织的影响。研究结果表明,随着焊接热输入的增加,焊核尺寸增大,焊核长大速率降低;实现对焊接接头热影响区晶粒尺寸的准确预测;微米级TiN颗粒并不能有效阻碍TTS443焊接热影响区的晶粒长大。(本文来源于《太原理工大学学报》期刊2017年01期）
王晓骁,张帅[9]（2016）在《基于电阻型频率选择表面的超宽带紧耦合相控阵天线》一文中研究指出由于需要克服阵列单元之间的互耦效应和阵列栅瓣效应,传统的相控阵天线在尺寸上受到不同程度的限制,从而导致相控阵的带宽难以进一步拓宽。紧耦合相控阵天线基于单元间的耦合效应进行设计的,其通过合理利用阵列单元之间的耦合,能够有效减小天线单元的物理尺寸,进而拓宽了阵列带宽和阵列扫描角域;同时,将其与电阻型频率选择表面相结合,能够消除由反射板在对应频点因反相迭加而产生的驻波峰值,带宽能够得到进一步的展宽。从仿真结果中可以看出,文中所设计的天线单元在驻波比小于3时工作频段能够覆盖0.5~5GHz。(本文来源于《2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议论文集》期刊2016-08-17）
冯蕾[10]（2016）在《多铁异质结中的磁电耦合和电阻转换效应》一文中研究指出随着自旋电子学／电子学过去数十年的迅猛发展,人们对器件的小型化、器件的读写速度以及其读写能耗都有了更高的要求。然而,现有的技术与材料已经到达其尺寸和性能的极限,并开始制约电子器件科学的发展。‘因此探索能够满足生产生活更高要求的新材料进而变革电子器件领域变得尤为迫切和重要。具有多功能的、可进行多参量调控的多铁材料受到了科学家们的广泛关注。多铁材料以其铁电极化和磁极化共存、磁电间可相互耦合调控而有望在多功能电子器件革新上发挥巨大的作用。然而,目前室温单相的多铁性材料匮乏且磁电耦合效应弱,可以进行人工设计的复合多铁性材料——多铁异质结由于其在材料选择和磁电耦合效应方面都有着巨大的优势而引起了广泛地关注。目前尽管在多铁异质结磁电耦合方面已经取得了一定的研究进展,但其中仍然存在大量的、与实际生产应用密切相关的问题,比如如何在室温甚至高温条件下实现强烈的磁电耦合效应、异质结中的磁性层对异质结整体在磁场下的介电铁电性的影响有多大,如何成功地将畴壁工程和宏观电输运性质紧密联系在一起实现更多的电阻状态等等。针对上述问题,本论文主要研究了磁性电极材料对多铁异质结中的磁电耦合效应和介电／磁介电效应的影响：探讨了多铁异质结中界面效应和铁电畴壁同时参与的叁阻态阻变效应的起源,为多重态存储器件的原型设计提供了一定的思路。整篇论文分为六个章节,每一章的主要内容可概括如下：在第一章中,综述了单相多铁材料的多铁性起源以及复合多铁材料的优势,重点介绍了磁介电效应和多铁异质结中磁电耦合效应以及相关研究进展,最后简单介绍了多铁性异质结相关的电阻转换效应并对其中的机理进行了阐述。在第二章中,为了研究磁性电极电阻对外延的BiFeO3/La0.625Ca0.375MnO3 (BFO/LCMO)异质结铁电性的影响,我们利用不同的电极配置系统地测量了BFO/LCMO异质结的铁电性,发现表观矫顽电压随着LCMO电阻线性增加。通过建立分压模型,去除了来自于LCMO层的分压的非本征效应,进而得到了异质结本身的矫顽电压Vac0,同时我们发现当温度高于150 K时,Vac0同样的对磁场有明显的响应,显示出本征磁电耦合效应。实验结果证明,对于铁电／铁磁复合薄膜来说,当研究异质结本身的铁电性时,铁磁层的分压作用不可忽视；同时提供了一种有效的、定量的方式来分析LCMO层在多层异质结薄膜上的分压贡献,这对研究铁电／铁磁异质结的本征磁电耦合效应以及相关器件设计很有帮助。在第叁章中,为了研究磁性电极电阻对外延BFO/LCMO异质结介电性的影响,我们利用不同的电极配置,系统地测量了Au/BFO/LCMO异质结的介电性能,发现随着LCMO底电极电阻的增加,Au/BFO/LCMO多铁异质结电容的实部有明显的降低,且体系弛豫行为所对应的频率均向高频移动。通过分析异质结介电损耗随温度的依赖关系,发现参与介电测量的底电极LCMO所占比例越多,异质结的磁介电效应也越大,但损耗tan δ的值也越大。通过研究不同电极配置下异质结电容虚部随频率的变化规律,发现对于任意的电极配置,异质结的介电弛豫行为主要可等效地反映出Mn3+和Mn4+之间的电子跃迁或转移过程。上述发现对研究铁电／铁磁异质结的磁介电效应是很有帮助的,同时可以对相关器件设计有一定的指导作用在第四章中,我们通过电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)判断出所生长的BFO薄膜中不存在Bi元素的缺失,这对分析半导体性质的BiFeO3的半导体类型以及在Au/BiFe03/La0.6Sr0.4Mn03 (Au/BFO/LSMO)多铁异质结中界面肖特基势垒的方向起到关键性作用；利用扫描透射电子显微镜(STEM)对异质结上下界面的晶体结构进行了细致的表征,在BFO/LSMO界面处发现了存在明显离子互扩散区域的中间过渡层,在Au/BFO界面处观察到了"dead layer ".上述发现为后续分析异质结阻变行为起源奠定了坚实的实验基础。在第五章中,我们研究了Au/BFO/LSMO多铁异质结中电磁调控的可重复、区分度较高的叁阻态行为。通过改变铁电极化的方向,异质结的电阻可以在叁种稳定非易失的电阻状态之间切换且不需要电形成过程。这种非易失的电阻转换行为可以被归结以下叁个方面的共同作用：Au/BFO界面处的肖特基势垒高度的变化、BFO/LSMO的界面电阻大小的变化以及BFO铁电畴壁密度相关的电阻改变。使用异质结矫顽电压附近的脉冲电压极化样品后所观察到的具有最高电导率的第叁态在室温下表现出明显负磁阻效应,通过宏观电测量证明了BFO铁电畴壁在室温下的负磁阻效应。以上的发现对我们深入理解多铁异质结中的界面效应以及铁电畴壁的铁磁性对非易失电阻转换效应的影响,使得将自旋电子学引入阻变存储器件成为可能。在第六章中,我们在不同单晶衬底上生长了Co薄膜,研究了其中磁各项异性,发现对于所研究的几种单晶衬底上的Co薄膜而言,均满足易磁化轴方向上的电阻大于难磁化轴方向上的电阻这一规律。但是,各项异性磁阻对外加磁场和方向的依赖关系有待进一步的研究和探索。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2016-05-01）
电阻耦合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着特高压交直流系统的耦合程度不断提高,如何抑制特高压直流发生换相失败引起的特高压交流联络线功率振荡是交直流混联电网控制当前迫切需要解决的问题。文中提出了一种在发生换相失败期间采用整流侧投入制动电阻的方法抑制功率振荡的方法,在RTDS中搭建了锦苏直流和长南荆特高压交流及周边等值交流电网,采用与锦苏直流输电工程在控制保护功能和故障下的暂态响应等方面特性一致的特高压直流控保真型装置与RTDS构成闭环仿真平台,对不同制动电阻和不同直流功率下抑制功率振荡效果影响进行了仿真分析,验证了制动电阻投退逻辑。结果表明,提出的制动电阻的控制逻辑能够有效抑制特高压交直流耦合系统换相失败期间联络线上功率振荡,同时缩短故障恢复时间。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电阻耦合论文参考文献
[1].徐子健.基于多电极激励模式的电容耦合电阻层析成像系统研究[D].浙江大学.2019
[2].卫鹏,周前,汪成根,刘建坤,朱鑫要.特高压交直流耦合系统换相失败期间考虑制动电阻抑制功率振荡方法研究[J].高压电器.2018
[3].李必春.不拆解直流耦合电容器均压电阻对电容元件测量的影响分析[J].广西电力.2018
[4].李凯锋.基于电容耦合电阻层析成像技术的气液两相流参数检测研究[D].浙江大学.2018
[5].纪磊,耿培云,王兰.基于集总电阻加载吸波器的紧耦合超宽带天线[J].微波学报.2017
[6].王晓骁,张帅.基于电阻型频率选择表面的超宽带紧耦合相控阵天线[J].微波学报.2016
[7].张凯.基于电容耦合电阻层析成像技术的鼓泡床相含率测量研究[D].浙江大学.2017
[8].杨潇,王文先,闫志峰,王志斌,张心保.TTS443电阻点焊多场耦合数值模拟及显微组织研究[J].太原理工大学学报.2017
[9].王晓骁,张帅.基于电阻型频率选择表面的超宽带紧耦合相控阵天线[C].2016年全国军事微波、太赫兹、电磁兼容技术学术会议论文集.2016
[10].冯蕾.多铁异质结中的磁电耦合和电阻转换效应[D].中国科学技术大学.2016
标签：多电极激励模式; 电容耦合电阻层析成像; 图像重建; 空隙率测量;