导读:本文包含了异质结双极晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体管,异质,等效电路,发射极,效应,模型,粒子。
异质结双极晶体管论文文献综述
吴永辉,魏洪涛,刘军,崔雍,樊渝[1]（2019）在《InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性》一文中研究指出InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的"正交鉴相"在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
张傲,高建军[2]（2019）在《基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型的研究》一文中研究指出本文对基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型进行了研究。简化了HBT等效电路模型的网络参数计算方法,提出的π型等效电路模型包含有两个受控源并且和商用电路模拟软件相兼容。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2019-05-19）
张傲,张译心,王博冉,高建军[3]（2018）在《110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）》一文中研究指出介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年06期）
张傲,王博冉,张译心,高建军[4]（2018）在《110GHz异质结双极双极晶体管小信号模型参数提取》一文中研究指出本文介绍了一种可以用于110GHz的HBT小信号模型模型参数提取方法,该方法将直接提取和优化技术向结合。寄生元件由开路和短路测试结构获得,而寄生电阻利用优化技术获得。实验结果表明在2-110GHz频率范围内S参数吻合很好。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
刘默寒,陆妩,马武英,王信,郭旗[5]（2015）在《偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响》一文中研究指出本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累积剂量达到1.1×104 Gy(Si)时,发射结反向偏置条件下60Coγ射线辐照对SiGe HBTs造成的损伤最大,零偏次之,正偏损伤最小;经过一定时间的退火后,零偏恢复程度最小,而正偏和反偏时的恢复趋势以及程度相同。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数随累积总剂量以及退火时间的变化关系,讨论了引起电参数失效的潜在机理。(本文来源于《核技术》期刊2015年06期）
李培,郭红霞,郭旗,文林,崔江维[6]（2015）在《锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真》一文中研究指出本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对Si Ge HBT电荷收集机理的影响.结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极-衬底结具有较大的反偏能力,加固后Si Ge HBT伪集电极通过扩散机理,大量收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后Si Ge HBT的单粒子效应敏感区域缩小,有效的提高了Si Ge HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为Si Ge HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.(本文来源于《物理学报》期刊2015年11期）
张晋新,贺朝会,郭红霞,唐杜,熊涔[7]（2014）在《不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的叁维数值仿真研究》一文中研究指出针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件叁维计算机模拟工具,建立单粒子效应叁维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.(本文来源于《物理学报》期刊2014年24期）
刘静,武瑜,高勇[8]（2014）在《沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究》一文中研究指出提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构.详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究.新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性.结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中.对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度.沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低.(本文来源于《物理学报》期刊2014年14期）
刘静,郭飞,高勇[9]（2014）在《超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化》一文中研究指出提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管(SiGeC HBT)新结构.详细分析了新结构中SiGeC基区和超结结构的引入对器件性能的影响,并对其电流输运机制进行研究.基于SiGeC/Si异质结技术,新结构器件的高频特性优良;同时超结结构的存在,在集电区内部水平方向和垂直方向都建立了电场,二维方向上的电场分布相互作用大大提高了新结构器件的耐压能力.结果表明:超结SiGeC HBT与普通结构SiGeC HBT相比,击穿电压提高了48.8%;更重要的是SiGeC HBT器件中超结结构的引入,不会改变器件高电流增益、高频率特性的优点;新结构器件与相同结构参数的Si双极晶体管相比,电流增益提高了10.7倍,截止频率和最高震荡频率也得到了大幅度改善,很好地实现了高电流增益、高频率特性和高击穿电压叁者之间的折中.对超结区域的柱区层数和宽度进行优化设计,随着柱区层数的增多,击穿电压显着增大,电流增益有所提高,截止频率和最高震荡频率减低,但幅度很小.综合考虑认为超结区域采用pnpn四层结构是合理的.(本文来源于《物理学报》期刊2014年04期）
孙亚宾,付军,许军,王玉东,周卫[10]（2013）在《不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究》一文中研究指出对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),在不同辐照剂量率下进行60Coγ射线的辐照效应与退火特性的研究.测量结果表明,两种辐照剂量率下,随着辐照总剂量增加,晶体管基极电流增大,共发射极电流放大倍数降低,且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关,低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重.在经过与低剂量率辐照等时的退火后,高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低,即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS).本文对相关的物理机理进行了探讨分析.(本文来源于《物理学报》期刊2013年19期）
异质结双极晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文对基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型进行了研究。简化了HBT等效电路模型的网络参数计算方法,提出的π型等效电路模型包含有两个受控源并且和商用电路模拟软件相兼容。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
异质结双极晶体管论文参考文献
[1].吴永辉,魏洪涛,刘军,崔雍,樊渝.InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性[J].半导体技术.2019
[2].张傲,高建军.基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型的研究[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2019
[3].张傲,张译心,王博冉,高建军.110GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[4].张傲,王博冉,张译心,高建军.110GHz异质结双极双极晶体管小信号模型参数提取[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[5].刘默寒,陆妩,马武英,王信,郭旗.偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响[J].核技术.2015
[6].李培,郭红霞,郭旗,文林,崔江维.锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真[J].物理学报.2015
[7].张晋新,贺朝会,郭红霞,唐杜,熊涔.不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的叁维数值仿真研究[J].物理学报.2014
[8].刘静,武瑜,高勇.沟槽型发射极SiGe异质结双极晶体管新结构研究[J].物理学报.2014
[9].刘静,郭飞,高勇.超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化[J].物理学报.2014
[10].孙亚宾,付军,许军,王玉东,周卫.不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究[J].物理学报.2013
论文知识图
