导读:本文包含了光学与电学性能论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,光学,电学,性质,性能,晶格。
光学与电学性能论文文献综述
张柯[1]（2019）在《磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学与光学性能研究》一文中研究指出以Mn,Co,Ni过渡族金属为主的尖晶石结构材料(AB2O4)是一种具有电阻随温度上升而指数下降的材料,它具有较高的温度-电阻系数(TCR),工作温度范围和光谱的反应范围广,能够长期稳定工作等优点,老化性能好,被广泛应用于辐射热测量计,非致冷型红外探测仪和温度测量计等精确测量仪器上,近年来,为了适应极端条件下器件的使用,因此对器件的准确度以及灵敏度有了更高的要求,而可持续发展也对材料制备过程中的无污染,能耗小提出了更高的要求,并且器件的集成化对器件的尺寸提出了更新的要求。因此,相较于传统器件而言,灵敏度更高,尺寸更小的薄膜器件逐渐成为了 Mn-Co-Ni-O系薄膜器件的研究热点。具有良好的结晶性且物理性能比较稳定的过渡金属氧化物薄膜是制备出满足可靠性高,灵敏度高的薄膜器件的前提,在Mn基过渡金属氧化物系材料的制备方面,主要是以物理方法为主,由于高温固相合成法已经具备了较为成熟的工艺体系。因此本文以高温固相法合成Mg,Al掺杂Mn-Co-Ni-O系材料陶磁靶材作为基础,通过Mg,Al原子在尖晶石结构中的占位不同,来调控不同价态Mn离子的比例,以改变其电学性能及其光学性能。使用磁控溅射法溅射制备五元Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜,在传统的Mn-Co-Ni-O材料体系中掺杂Mg,Al原子,对磁控溅射Mn-Co-Ni-Mg-AI-O系薄膜的最佳生长温度进行了摸索,另外通过不同的气氛退火,对薄膜中氧缺陷进行了研究。并对所制备的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的物相结构,电学,光学性能进行了研究。本文的主要工作基本围绕以下叁个方面展开:(1)射频磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜采用射频磁控溅射方法在不同的生长温度下制备了 一系列的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜,通过XRD,XPS等手段对不同生长温度下制备的系列薄膜进行晶体结构及阳离子分布的半定量和定性分析,并找出最佳的生长条件,希望能对该材料器件的微型化制备提供有意义的参考。XRD结果表明,在100℃和150℃沉积的薄膜为(311)取向,在200℃和250℃沉积的尖晶石NTC薄膜中出现了(400)取向的衍射峰。随着(400)衍射峰的出现,薄膜热敏常数(B值)从2000 K增加到4000 K。通过对系列薄膜的XPS分析,发现薄膜中的主要变价离子为Mn离子,Co离子在薄膜材料中均是以+2价存在的,以此为依据,并结合了尖晶石结构中的离子占位规则,推算出各薄膜的组分,发现当薄膜溅射生长温度升高到200℃时,Mg2+开始倾向于占据尖晶石结构中的八面体位置。结合薄膜的热敏常数来看,表明Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的电学性能与材料生长取向和阳离子分布有很大的关系。(2)不同退火气氛下制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜采用直流磁控溅射法溅射Mn-Co-Ni-Mg-Al五元合金靶制备薄膜,通过在不同气氛下退火来研究薄膜中氧的缺陷对薄膜性能的影响,为了探究在薄膜中氧元素对薄膜性能的影响,我们特意采用了无氧的合金靶进行溅射制备薄膜,溅射所得薄膜在不同的退火气氛对薄膜中的氧缺陷进行了研究。研究了氧缺陷对薄膜结构、电性能的影响。(3)Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的光学性能分析使用椭偏光谱仪对在不同衬底温度下溅射所获得的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜进行测量,在得到一系列椭圆偏振光谱后通过泰克-洛伦兹模型拟合得到薄膜近红外-可见光区域的折射率与消光系数的变化,并进行对比分析。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2019-06-01）
邢士龙,闵光辉,庞涛[2]（2018）在《反应磁控溅射法制备ZnO/Al(O)/ZnO薄膜的光学和电学性能》一文中研究指出采用反应磁控溅射法,通过控制中间层沉积时的氧气流量,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基底上制备了ZnO/Al(O)/ZnO薄膜,研究了氧气流量对Al(O)薄膜的微观形貌、表面粗糙度,以及对ZnO/Al(O)/ZnO薄膜光学和电学性能的影响。结果表明:随着氧气流量的增加,铝在ZnO薄膜表面由叁维岛状生长转变为二维层片状生长,Al(O)薄膜表面粗糙度先增大后减小再增大,当氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)时最小;随着氧气流量的增加,ZnO/Al(O)/ZnO薄膜在较长波长范围内的透过率增大,方阻增大,霍尔迁移率和载流子浓度下降;综合考虑光学和电学性能,适宜的氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)。(本文来源于《机械工程材料》期刊2018年08期）
张逍博[3]（2018）在《Mn-(Co、Zn、Fe)-Ni系列热敏薄膜的制备以及光学、电学性能研究》一文中研究指出过渡金属氧化物由于其d轨道不完全填充,电子关联等复杂的内部电子相互作用导致了其丰富的物理特性,例如:金属绝缘体相变、高温超导现象、多铁性、铁磁性、巨磁电阻性等,多样的物理特性吸引了国内外科研学者的关注。以Mn为核心叁元或多元金属氧化物,作为过渡金属氧化物中的一大类,其实际应用也呈现多样化,例如:负温度系数热敏电阻传感器、光催化、汽车尾气探测器、湿度传感器等。同时伴随着其他基础科学的迅速发展,如计算机行业、信号传输信号处理等行业等,温度传感器行业也正向着微型化、薄膜化、智能化、低损耗、高效率、精准化的方向发展,因此对于Mn基热敏电阻薄膜式元器件的开发研究刻不容缓。本文通过化学溶液法和磁控溅射法制备Zn、Fe掺杂的Mn-Co-Ni-O金属氧化物薄膜,研究其掺杂浓度、溅射功率以及退火温度对于薄膜的光学、电学以及阳离子分布的影响。具体如下:(1)通过化学溶液法制备Mn_(1.56)Co_(0.96-x)Ni_(0.48)Fe_xO_4(x=0,0.15,0.2)系列薄膜,发现铁的掺杂不但能够不改变其相结构,而同时能够改善薄膜的微观形貌,使得薄膜的表面粗糙度降低,致密度提升,并首次通过椭圆偏振仪测试其在近红外区间的光吸收,发现薄膜在波长19 um处的强剩余吸收现象。(2)通过化学溶液沉积的方法在不同的退火温度条件下制备Mn_(1.5)Co_2Fe_(2.1)Zn_(0.4)O_8系列薄膜,退火温度在600℃到900℃的区间内,发现退火温度的提升有利于薄膜中的颗粒增大,改善其薄膜的致密性,但是当温度高于800℃时,过高的退火温度反而破坏了材料中的Mn~(3+)/Mn~(4+)和Fe~(2+)/Fe~(3+)离子对的平衡,产生过多的高价态离子,导致其电学性质变差。同时,我们针对其老化性能进行研究,发现在200℃条件下热处理500h,800℃退火的薄膜的电阻漂移仅仅只有1.02%。(3)通过磁控溅射的方法在不同的溅射功率条件下制备Mn_2Zn_(0.25)Ni_(0.75)O_4系列薄膜,控制其溅射功率,其他溅射条件一致。发现溅射功率的改变能够极大的影响着薄膜的表面形貌,在80W和200W功率下溅射的薄膜,前者由于功率太低导致薄膜的厚度过薄,导致其光吸收较弱,而后者却由于沉积速率过快,薄膜中的孔隙得不到有效填充,导致薄膜呈现多孔疏松结构,导致较差的电学稳定性。只有在120W功率条件下沉积的薄膜表面平滑结构致密,光学、电学性能优秀。同时我们通过XPS分析了其阳离子的分布情况,发现过低和过高的功率制备的薄膜,都导致薄膜中的阳离子倾向于高价态进行转变,导致其电学性质变差。(本文来源于《云南大学》期刊2018-05-01）
李旺,唐鹿,薛飞,罗哲,郭鹏[4]（2017）在《真空退火和氢退火对ZnO∶B薄膜电学和光学性能的影响》一文中研究指出在玻璃衬底上采用低压化学气相沉积法制备了B掺杂的ZnO薄膜,研究了真空气氛和氢气气氛下不同退火温度对ZnO∶B(BZO)薄膜电学性能和光学性能的影响。结果表明,两种不同退火气氛下进行退火处理,BZO薄膜性能发生相反的变化:真空气氛下退火时,BZO薄膜的导电能力随退火温度的提高而下降,但长波区的透光率却随之增加,这主要是由于真空退火后载流子浓度降低所致;而在氢气气氛下退火后,BZO薄膜载流子浓度基本保持不变,但Hall迁移率却显着提高,从而在保证透光率基本不变的前提下,使得BZO薄膜的导电能力得到显着提高,这可以为BZO薄膜光学和电学综合性能的协同优化提供一种有效方法。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年12期）
李强,谭兴毅,杨永明,任达华,李兴鳌[5]（2017）在《Cu、N空位对Cu_3N的电子结构、电学和光学性能影响的第一性原理研究》一文中研究指出本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了立方相Cu_3N晶体中含Cu、N空位体系的稳定性、电学、光学性能.研究结果表明含Cu空位和N空位体系的结构比较稳定,Cu空位和N空位降低了体系的导电性,但增加了体系的透射率;含Cu空位和N空位体系的禁带宽度均大于Cu_3N体系,说明实验中制备的Cu_3N有时表现为绝缘体的可能原因为体系中存在Cu空位或N空位.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2017年04期）
李旺,唐鹿,杜江萍,薛飞,辛增念[6]（2016）在《氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响》一文中研究指出采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。(本文来源于《发光学报》期刊2016年12期）
Jamal,Abdel,Hamid,Shaibo[7]（2016）在《LaBaCO_2O_(5+δ)外延薄膜的光学、电学与气敏性能研究》一文中研究指出钙钛矿型过渡金属氧化物因其丰富的磁学和电学性质已经成为众多学术研究的主题。LaBaCo2O5+δ (LBCO)是一种有趣的强关联电子氧化物,被认为有希望应用于一系列重要技术中, 如固体氧化物燃料电池、各种电池、表面催化剂、化学传感器以及与巨磁电阻和自旋电子学相关的功能薄膜器件等。在本博士论文中,主要利用脉冲激光沉积(PLD)方法制备的高度外延的LBCO薄膜,深入研究了LBCO薄膜的电学和气敏性能。此外,为了实现大规模工业应用,进一步探讨了利用磁控溅射方法制备高度外延的LBCO薄膜的优化工艺及改进方法,并研究了薄膜的光学性质。本工作的主要研究结果如下：(1)因为载流子类型、密度和迁移率等电输运系数对于制备金属-半导体接触和p-n结等常用的器件组元十分重要,我们利用霍尔测量技术表征了PLD方法外延生长在MgO(001)基片上的LBCO薄膜。为了研究缺氧对电输运性能的影响,LBCO薄膜在350℃,一个大气压的O2、N2、Ar和H2气氛中进行了退火处理。研究发现,LBCO薄膜的电输运行为及‘'p-to-n"的转变非常不寻常。因此,我们首次将载流子密度和迁移率作为电导率的函数画出,并通过与半导体混合导电理论的计算结果进行了比较,进而确定了真实的电输运参数。研究结果表明,在这些LBCO薄膜中,空穴和电子载流子的迁移率基本维持不变,分别为～0.85和～40 cm2/Vs,但p型载流子的密度与薄膜中的氧含量密切相关。尽管霍尔测量显示一些样品因缺氧表现为“n型”导电,但所给出的明确证据证明缺氧不会使LBCO材料从p型转变成n型。所观察到的n型导电被认定为霍尔测量原理方面的不足所引起的实验假象,而不是因缺氧导致的真正的p到n型的转变。此外,研究发现,电导率的温度微分系数比薄膜电导率自身对LBCO薄膜磁性随温度的变化更敏感。(2)由于电输运性质与LBCO薄膜经历的退火过程密切相关,我们进一步研究了PLD方法生长的LBCO薄膜在O2、N2、Ar和H2中350℃退火后的结构。研究发现,只有H2气氛退火的LBCO薄膜的结构是特殊的,因为在x射线衍射谱(XRD)中首次观察到了一个新的结构有序。通过计算有序和无序LBCO相的XRD谱,并考虑了其中氧空位的排列方式,这个新的结构序被认定为有序的LBCO相中形成的氧空位有序,从而证明了氧空位化学有序可以在低至350 ℃的温度下在H2气氛中的LBCO薄膜中形成。通过测定不同气氛退火后的LBCO薄膜中的应变,氧空位浓度被认为是薄膜中形成氧空位有序的重要原因之一(3)在LnBCO (Ln=镧系元素)薄膜响应O2/H2气体切换的研究中,一个特别有趣的现象是气体传感器在～400℃以下出现反常行为,即当气体从O2切换至H2以及从H2切换至O2时,传感器的电阻随时间不断变化,出现一个尖锐的极大值。为了研究这一奇特的现象,我们利用LPD方法制备的外延生长在MgO(001)基片上的LBCO薄膜制作了一个气体传感器,并在300至800℃的温度范围内研究了这个传感器在响应O2、4%H2+96%N2、N2和Ar方面的气敏性能。研究结果证明,这个气体传感器对H2具有极高的灵敏度,而O2/H2切换过程中表现的反常行为与02+H2混合气体中发生的LBCO催化的H-O反应有关。根据可靠的相关实验证据,LBCO催化的H-O反应被证明发生在LBCO薄膜表面,并提出了气体传感器在探测H2或者其它还原性气体时所表现出的高灵敏度与通过LBCO催化反应维持的持续向LBCO薄膜注入电子有关。这一物理模型对于设计和改进其它类型的气体传感器的灵敏度也具有重要价值。(4)基于低成本和大规模应用方面的考虑,探索了利用射频磁控溅射方法沉积外延的LBCO薄膜的优化生长工艺。研究结果显示：LBCO薄膜在MgO(001)基片上的外延生长窗口相当窄,与基片温度和沉积速率密切相关。在本工作中,在87 W、830 ℃及7 Pa的优化条件下,通过射频溅射～5 mm厚的LBCO陶瓷靶,成功实现了LBCO薄膜在MgO(001)基片上的外延生长,外延关系确定为LBCO(001)//MgO(001)和LBCO [100]//MgO[100]。在此基础上,发明了用高温退火方法修复因机械加工和抛光导致的MgO(001)基片的表面损伤以进一步改善LBCO薄膜的结晶度。利用在洁净大气环境中经1200、1350和1400℃退火3小时的MgO基片,首次利用射频磁控溅射方法制备出了具有单晶特征的高度外延的LBCO薄膜。(5)因为文献中难以查到LBCO材料相关的光学常数,所以,利用磁控溅射方法制备的外延生长在MgO(001)基片上的LBCO薄膜,首次详细研究了其光学性质。在紫外到红外的整个波段,LBCO薄膜介电函数的实部和虚部均为正值,而且吸收光谱也没有明显的带隙吸收特征。因此,LBCO薄膜所表现出的光学性质不同于典型的金属和典型的半导体,所以被指认为半金属性。在4.5到0.1 eV的能量范围内,吸收系数几乎从3.7×105线性降低至6.7×103cm-1, 并且在光子能量为～3.20 eV附近,存在一个允许的直接紫外跃迁。在245～1700 nm的光波范围内,通过吸收系数计算的LBCO薄膜的光电导率随着光子能量的增加从～150增大到～1500 S/cm, 远大于其直流电导率,说明LBCO薄膜在光探测和太阳能电池方面有潜在的应用。(本文来源于《大连理工大学》期刊2016-09-01）
罗雨涵,江向平,陈超,涂娜,陈云婧[8]（2016）在《Er~(3+)掺杂对Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5)Nb_2O_9压电陶瓷电学和光学性能的影响》一文中研究指出采用传统固相法制备Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9+x Er(NKBN–x Er,0≤x≤0.06)铋层状无铅压电陶瓷,研究了不同Er3+掺杂量对NKBN–x Er陶瓷显微结构、电学性能及上转换荧光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的铋层状结构;随着Er3+掺杂量x从0增加到0.06,样品的晶粒尺寸逐渐增大,Curie温度TC升高,适量的Er3+掺杂能提高陶瓷的压电性能;电导率与温度的关系在高温区域,热激活氧空位二级电离电子电导起主导作用;在980 nm激光激发下,所有样品在513~570和644~679 nm处可观察到绿光和红光发射峰,分别对应于Er3+的2H11/2→4I15/2、4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2能级跃迁。当x=0.02时,电学性能最佳:压电常数d33=22 p C/N,介电损耗tanδ=0.38%,品质因子Qm=2 324,且样品均具有良好的荧光性能,表明该组分陶瓷可作为高温应用光—电多功能材料。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2016年09期）
隋瑛锐,宋燕平,吴艳杰,杨景海[9]（2016）在《Cd含量对Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构、光学和电学性能的影响》一文中研究指出利用直流反应磁控溅射的方法和后退火技术在石英衬底上制备不同Cd含量的Zn_(1-x)Cd_xO(0≤x≤1)薄膜.利用XRD、XPS、TEM、Absorption及Hall等详细地对薄膜的结构、光学及电学性能进行了研究.研究发现:当x=0~0.2时,Zn_(1-x)Cd_xO薄膜为沿(002)方向择优生长的六角相结构;当x=0.5时,合金薄膜出现了六角相和立方相共存现象;当x≥0.8时,合金薄膜为沿(200)方向择优生长的立方相结构.结构为六角相时,合金薄膜的带隙从x=0时的3.25 e V减小到x=0.2时的2.75 e V;结构为立方相时,薄膜的带隙从x=0.8时的2.52 e V减小到x=1时的2.42 e V,带隙的变化很小.另外,霍尔测量结果表明,Cd含量对Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的电学性质影响很大.(本文来源于《吉林师范大学学报(自然科学版)》期刊2016年03期）
尹诗流[10]（2016）在《通过磁控溅射ZnO:Al薄膜中的缺陷调控薄膜的光学和电学性能及相关物理机制的研究》一文中研究指出ZnO基薄膜从被发现起便受到广泛关注。其宽带隙,高激子复合能,储量丰富以及价格低廉等特性令其有着广阔的应用前景。目前制约ZnO基薄膜应用的主要因素有:(1)如何控制缺陷以及(2)如何制备稳定的p型ZnO基薄膜。前者影响ZnO基薄膜的光学和电学性能,比如A1掺杂ZnO薄膜的载流子浓度和迁移率目前与ITO相比仍然有一定差距;而后者则影响着ZnO基同质结的制备,目前报道的结果都差强人意。突破这两个瓶颈势必会让ZnO基薄膜的应用领域迅速扩展。磁控溅射方法是适合工业化生产的先进薄膜制备技术。通过磁控溅射可以制备大面积的致密薄膜,且薄膜附着力高、可重复性好。但另一方面,磁控溅射方法在制备氧化物薄膜时,高能离子对薄膜的轰击会在薄膜中引入丰富的缺陷并影响薄膜的微结构。对于ZnO基半导体薄膜材料,薄膜的电学性质和光学性质与材料的缺陷和微结构密切相关。因此,调控ZnO基薄膜材料中的缺陷和微结构以获得高性能的ZnO基薄膜具有重要的科学研究意义和应用背景。本文的工作主要以透明导电膜和P型ZnO为背景,以Al掺杂和Al-N共掺杂ZnO为研究对象,以对ZnO薄膜中缺陷的调控为手段,研究了磁控溅射方法制备的ZnO基薄膜材料的光学和电学性质的关键影响因素及物理机制,主要取得了以下一些研究成果:1.系统研究了氢气退火对磁控溅射AZO薄膜中缺陷演化及光学和电学性能的影响。HRTEM测试结果显示在～300℃下退火后的薄膜晶格内部的部分位错与层错数量会明显增加,打乱薄膜(002)晶面的周期性而使其晶粒尺寸减小;在高于500℃的温度下退火可以有效移除部分位错和层错,但同时会导致大量的锌空位(VZn)缺陷的产生。AZO薄膜在～500℃下退火后其内部的与氧有关的缺陷(如氧填隙Oi,晶界吸附氧OGB等)被大幅移除,使其载流子浓度、迁移率以及可见光波段的透过率都明显上升。在高于550℃的温度下退火将会导致严重的氢气刻蚀效应,使得大量AlZn施主被VZn钝化。此外,我们还在对样品热分析结果中发现了一个反常的吸热过程,并在氢气气氛下实时电阻率测量中发现了电阻率随温度的反常上升现象。基于这两个现象,我们讨论了Oi与Al施主和部分位错在氢气退火时的相互作用机制。我们的结果表明,在～500℃下退火后的AZO薄膜电阻率低至4.48×10-4Ωcm,而可见光波段透过率超过90%,已经可以满足作为透明导电薄膜在某些领域的应用条件。2.发现了磁控溅射AZO薄膜中Oi诱导的有效掺杂效应。初始薄膜中的Oi浓度可以通过调节溅射时的氧分压有效控制。尽管Al施主会暂时被Oi钝化,借助后续的氢气退火可以将Oi移除从而重新激活AlZn施主。测试结果显示Oi浓度最高的初始薄膜在氢气退火后有着最高的载流子浓度。实验结果表明,基于Oi诱导的有效掺杂效应,Al的有效掺杂浓度提高了～10%。我们提出尽管初始薄膜中Oi会钝化Al施主,但同时它们也有利于原子Al在晶格中的分布,促进AlZn施主缺陷的形成,从而增加氢气退火后薄膜中Al的有效掺杂。这种Oi诱导的有效掺杂效应为提高半导体材料的载流子浓度提供了新的思路,理论上也适用于其他透明导电氧化物薄膜材料,比如ITO。3.研究了通过溅射过程中掺H削弱溅射时高能氧负离子轰击影响的可行性。结果证明,溅射过程中掺H可以有效抑制薄膜中与O相关缺陷(Oi,Vo,OGB)的产生,削弱不均匀分布的氧负离子轰击对于AZO薄膜的影响,改善薄膜的光学和电学性能的空间分布。4.开发了利用自由基辅助磁控溅射方法制备p型Al-N共掺杂ZnO薄膜的技术。通过独立的射频源将N2转化成活性更高的N自由基并精确地控制溅射参数,获得了迁移率高达3.11 cm2/Vs的p型Al-N共掺杂ZnO薄膜,且在大气状态下存放一个月后仍然能保持p型导电特性。这证明通过磁控溅射制备大面积的p型ZnO基薄膜是可行的。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2016-06-01）
光学与电学性能论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用反应磁控溅射法,通过控制中间层沉积时的氧气流量,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基底上制备了ZnO/Al(O)/ZnO薄膜,研究了氧气流量对Al(O)薄膜的微观形貌、表面粗糙度,以及对ZnO/Al(O)/ZnO薄膜光学和电学性能的影响。结果表明:随着氧气流量的增加,铝在ZnO薄膜表面由叁维岛状生长转变为二维层片状生长,Al(O)薄膜表面粗糙度先增大后减小再增大,当氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)时最小;随着氧气流量的增加,ZnO/Al(O)/ZnO薄膜在较长波长范围内的透过率增大,方阻增大,霍尔迁移率和载流子浓度下降;综合考虑光学和电学性能,适宜的氧气流量为6.7×10~(-3)cm~3·s~(-1)。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光学与电学性能论文参考文献
[1].张柯.磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学与光学性能研究[D].陕西师范大学.2019
[2].邢士龙,闵光辉,庞涛.反应磁控溅射法制备ZnO/Al(O)/ZnO薄膜的光学和电学性能[J].机械工程材料.2018
[3].张逍博.Mn-(Co、Zn、Fe)-Ni系列热敏薄膜的制备以及光学、电学性能研究[D].云南大学.2018
[4].李旺,唐鹿,薛飞,罗哲,郭鹏.真空退火和氢退火对ZnO∶B薄膜电学和光学性能的影响[J].人工晶体学报.2017
[5].李强,谭兴毅,杨永明,任达华,李兴鳌.Cu、N空位对Cu_3N的电子结构、电学和光学性能影响的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报.2017
[6].李旺,唐鹿,杜江萍,薛飞,辛增念.氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响[J].发光学报.2016
[7].Jamal,Abdel,Hamid,Shaibo.LaBaCO_2O_(5+δ)外延薄膜的光学、电学与气敏性能研究[D].大连理工大学.2016
[8].罗雨涵,江向平,陈超,涂娜,陈云婧.Er~(3+)掺杂对Na_(0.25)K_(0.25)Bi_(2.5)Nb_2O_9压电陶瓷电学和光学性能的影响[J].硅酸盐学报.2016
[9].隋瑛锐,宋燕平,吴艳杰,杨景海.Cd含量对Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构、光学和电学性能的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版).2016
[10].尹诗流.通过磁控溅射ZnO:Al薄膜中的缺陷调控薄膜的光学和电学性能及相关物理机制的研究[D].中国科学技术大学.2016
论文知识图
![树枝化的富勒烯共轭结构[43]](http://image.cnki.net/GetImage.ashx?id=HXJZ2007Z10160018&suffix=.jpg)
