导读:本文包含了超导薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:超导,薄膜,溶液,化学,波导,高温,微结构。
超导薄膜论文文献综述
魏鑫健[1]（2019）在《Pr_2CuO_(4±δ)超导薄膜的制备及超导电性的离子液体调控》一文中研究指出本论文主要内容包括探索Pr_2CuO_(4±δ)超导薄膜的制备方法,并系统研究了不同氧含量Pr_2CuO_(4±δ)薄膜的电输运性质,以及利用离子液体调控技术研究了Pr_2CuO_(4±δ)和FeSe薄膜中的超导电性。得到的主要结果可分以下几点:1.利用高分子辅助沉积法在SrTiO_3[001]衬底上制备出高质量、单一取向Pr_2CuO_(4±δ)超导薄膜。在制备过程中,通过控制退火条件调节薄膜中的氧含量,可以得到不同超导临界转变温度(T_c)的样品,T_c最高可达25 K。2.系统研究了不同氧含量Pr_2CuO_(4±δ)超导薄膜的电输运性质。欠退火样品,低温霍尔电阻率为负且随磁场呈线性关系,表明载流子属性为电子;由于短程反铁磁序的存在,低温电阻上翘且磁电阻为负值;随着退火强度增加样品中的氧含量逐渐减少,反铁磁行为逐渐被压制,T_c逐渐增加。最佳退火样品(T_c最高),霍尔系数随着温度的降低由负变正,且霍尔电阻率与磁场呈非线性关系,表明此时电子型与空穴型载流子共存。同时,全温区的磁电阻为正值。随着退火持续增强,样品中的氧含量进一步降低,T_c变小,霍尔电阻率为正且随磁场的变化呈线性关系,表明空穴型载流子在输运过程中占主导地位。以上Pr_2CuO_(4±δ)的电输运性质随着氧含量变化与Pr_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)随Ce掺杂浓度变化的行为高度一致,这揭示退火去氧形成电子掺杂是铜氧化物RE_2CuO_(4±δ)(RE=La,Pr,Nd,Eu,Sm,Gd)具有超导电性的起因。另外,我们以霍尔系数为参量来标定Pr_2CuO_(4±δ)和Pr_(2-x)Ce_xCuO_4超导体T_c的变化,发现最高T_c总是发生在霍尔系数为零附近,为进一步研究高温超导机理提供重要的信息。3.开展超导和非超导Pr_2CuO_(4±δ)薄膜的离子液体调控实验。正偏压调控(即Pr_2CuO_(4±δ)薄膜作为阴极)诱导电子掺杂,无论超导或非超导样品的电阻都减小。在非超导样品中我们成功实现绝缘态-超导态转变,在超导样品中实现超导态-非超导金属态转变。该转变过程可逆,亦即撤去偏压,样品回到初始状态。针对非超导Pr_2CuO_(4±δ)样品进行负偏压调控实验(Pr_2CuO_(4±δ)薄膜作为阳极),当偏压从0 V加至-3 V,样品的电阻和霍尔电阻率(负值)几乎没有变化。当偏压加至-4 V时,电阻突然增加,同时霍尔电阻率突然减小,表明Pr_2CuO_(4±δ)样品中的载流子浓度降低。当撤去-4 V偏压后,我们发现该样品获得了超导电性,且在30 K时霍尔系数由负变为正。很明显在-4 V调控时,样品发生了电化学反应,导致样品在撤去偏压后呈现出非易失的超导电性。由于负向调控是去除电子或掺入空穴的过程,因此电化学反应诱导电子掺杂不是非易失超导电性的起因。根据原位XRD实验和高分辨扫描透射电镜的实验结果,我们推测负向调控修复了铜氧面的氧空位,进而诱导出非易失超导电性。这项工作为如何实现高温超导电性提供了新的范例。4.利用离子液体调控技术研究FeSe薄膜的超导电性,并详细地探讨在调控过程中电输运性质的变化。得出以下结论:通过离子液体调控,厚度为200 nm FeSe薄膜的T_c被提升至40 K以上;FeSe超导电性被触发的起始偏压一般要在4 V以上,随着调控时间的增加,T_c逐渐增加,同时超导转变宽度变窄;可被调至的最高T_(c max)主要取决于初始薄膜的无序度,无序度越高T_(c max)越小。另外,我们发现FeSe超导电性的调控分为两个阶段:第一阶段,正常态性质不变,T_c逐渐增加;第二阶段,T_c几乎没有变化,但正常态性质发生剧烈变化。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
葛欢[2]（2019）在《高质量超导薄膜生长及量子器件制备》一文中研究指出自1911年Onnes发现超导现象以来,人们对于超导电现象的本质和规律的探索从未停止。近年来随着低温技术的蓬勃发展,超导技术的实际应用成为了可能。在这些应用中,超导量子器件作为实现量子计算的有力竞争者受到了越来越多的关注。这其中,高质量的超导薄膜和器件的制备是决定量子比特性能的关键一步。本论文对高质量超导薄膜的生长,超导量子器件的制备及性能进行了系统的研究。结论主要有以下几个方面:通过优化本底真空,溅射气压,溅射时Ar和N_2比例,溅射功率等生长参数,我们获得了一系列不同厚度的高质量的超导薄膜。300 nm厚的NbTiN膜T_c达到15.5 K,表面粗糙度0.2 nm,超导转变宽度0.03 K。极低的表面粗糙度和极窄的转变宽度表明薄膜良好的均匀性,为超导隧道结等量子器件的制备提供了很好的基础。室温溅射生长在高阻Si衬底上的5 nm超薄NbTiN膜,T_c达到7.63 K,为单光子探测等器件的制备奠定良好的基础。为了研究薄膜的热稳定性,提高薄膜的超导特性,我们分别在纯氮气氛围和氮氢混合气体氛围下对NbTiN薄膜进行快速热退火处理。实验表明,在两种气体下进行快速热退火处理可以提高其超导转变温度。在氮氢混合气体中热退火处理效果更好。在85%N_2和15%H_2混合气体中,经过450℃快速热退火10 min的10 nm厚的NbTiN薄膜超导转变温度从9.6 K增加到10.3 K。利用激光直写,电感耦合等离子体刻蚀等技术,制备了高品质因子的超导共面波导谐振腔器件。通过比较不同衬底处理工艺,改变显影曝光参数,以及比较不同衬底刻蚀深度等制备参数,研究了影响超导谐振腔本征品质因子的主要原因。实验发现,衬底与薄膜界面存在的二能级系统对谐振腔的品质因子的影响巨大。在沉积薄膜前对Si衬底的表面进行钝化,去气处理将极大提高薄膜的品质因子。目前经过衬底表面处理以及衬底深度刻蚀等技术,我们制备的超导Nb膜共面波导谐振腔本征品质因子,在20 mK,近单光子水平下可以达到100万,最高达到150万量级。超导NbTiN薄膜共面波导谐振腔品质因子可以达到30万量级,对其性能的提高还在进一步的研究当中。应用磁控溅射的超导Nb膜在Si衬底上制备了结阵型约瑟夫森参量放大器,探索了在Si衬底上制备约瑟夫森器件的工艺流程及注意事项。应用Nb膜在Si衬底上制备超导量子比特,相比于Al膜在蓝宝石衬底上制备器件,由于无需单独制备一层金薄膜作为套刻定位,简化了量子比特的制备工艺。结阵型约瑟夫森参量放大器通过叉指电容替代平板电容,通过几个SQUID的串联获得大的电感,从而实现参量放大,简化了参量放大器的制备工艺。目前Si衬底上SQUID串联结的制备工艺基本成熟,对其性能进行了初步测试。应用湿法刻蚀技术尝试制备一种平面约瑟夫森隧道结。首先在衬底上生长一定厚度的InGaZnO无定形绝缘薄膜,通过微加工技术和湿法刻蚀方法,刻蚀获得内凹的台阶,在台阶两侧镀超导薄膜,通过控制台阶高度,薄膜厚度,内凹深度等方法在台阶处获得纳米量级的缝隙,可以在缝隙内填入待研究的纳米颗粒等对其隧穿性质进行研究。高质量的超导薄膜和量子器件是实现量子计算的关键和基础。本论文深入研究了影响薄膜质量和器件性能的各个参数,探讨影响器件指标的关键步骤和主要因素。通过优化镀膜参数,改进制备工艺,获得了高质量的超导薄膜和超导量子器件,为高质量量子比特器件的制备奠定了良好的基础(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
王丹[3]（2019）在《YBCO超导薄膜裂纹尖端电流分布奇异性的实验研究》一文中研究指出与传统材料相比,高温超导材料因具有高的临界转变温度、无阻载流和完全抗磁等特点在交通运输、医疗、通讯、能源等领域具有重要的应用前景。对于薄膜类高温超导材料,制成的滤波器、量子干涉器等被广泛应用到信息、军事、科学研究等前沿领域,成为世界各国争相抢占的新技术高地。其中最具代表性的YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)高温超导体转变温度90K左右,在高磁场下具有非常优异的载流密度,进而成为20T左右高场磁体制备的首选材料。但是这种材料为氧化物陶瓷,制备过程中不可避免会产生一些微裂纹、孔洞等缺陷,影响该材料临界电流大小的同时,改变了其所承受的电磁力分布,因此,超导材料裂纹尖端临界电流的分布特征成为弄清其在电磁场中力学行为的基础性问题之一。近年来,兰州大学通过理论建模预测出超导材料裂纹尖端临界电流的分布具有奇异性,且奇异性的阶数为“-1”。为了对这一理论结果进行预测,兰州大学采用在YBCO超导块材制造人工裂纹,通过测试裂纹周围磁场分布的方式反推出裂纹尖端临界电流分布的奇异性特征,并给出奇异性的阶数为“-1.37”。尽管该结果证实了裂纹尖端电流分布的奇异性,但是其阶数与理论预测差别较大,主要原因在于超导块材厚度较大,人工开设的裂纹宽度超过1mm,且裂纹周围仅布置有限个磁场探头使得测量的精度不高。本文利用磁光显微技术对YBCO薄膜微米量级的裂纹附近磁场分布进行实验测量,并通过二维傅里叶变换反演得到裂纹附近的电流密度分布,验证了裂纹尖端电流密度的奇异性的基础上,获得了更加接近“-1”次的奇异性结果,证明了早期理论预测的可靠性。本论文主要开展的工作如下:首先,组建了极低温磁光实验平台,实现了基于法拉第效应YBCO薄膜裂纹附近磁场分布的全场测量,通过二维傅里叶变换给出了电流密度的分布特征。在计算过程中:利用汉宁窗口低通滤波器消除实验过程中由CCD相机产生的高频噪声,提高了实验数据的准确度;接着提出了一种磁场灰度自适应标定方法,解决了非均匀照明的问题,扩大了实验的可用视场范围;之后通过将电流密度计算结果与模拟值进行对比,证实了计算程序的可靠性。此外,利用双波长彩色磁光法得到了裂纹周围磁场增大的过程中裂纹周围磁场与外加磁场方向一致,并不会产生反向磁通分布的结论。提出了预偏角的方法,增大了磁光观测法对小磁场测量的灵敏度。其次,基于自行搭建的实验平台,获取了YBCO薄膜裂纹附近的磁光图像,并利用编写好的程序计算出了裂纹附近的磁场和电流密度分布。通过对电流密度的分析,发现YBCO薄膜裂纹尖端附近电流密度的对数值,与该点到裂纹尖端的距离对数值成斜率接近“-1”的一次函数关系,从而上证实了电流密度具有奇异性且其阶数为“-1”的理论预测的正确性。此外,还发现裂纹尖端附近不同方向的电流密度也呈现“-1”次的奇异性。最后,开展了不同温度和不同磁场条件下,YBCO薄膜裂纹附近的磁光观测实验。得到了裂纹附近的磁场和电流密度分布,结果显示在不同温度和磁场下,裂纹尖端电流密度依然具有“-1”次奇异性。以上这些结果表明,超导材料裂纹尖端电流密度的奇异性及奇异性阶数为“-1”的结论不随外界各种条件的改变而发生变化。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-05-01）
惠贞贞,王彦平,叶祥桔,汪徐春,郭雨[4]（2019）在《δ-Nb-Ti-N超导薄膜溶液法制备与超导性能研究》一文中研究指出采用化学溶液沉积法在Si衬底上生长立方结构的δ-Nb-Ti-N薄膜和δ-NbN薄膜,系统研究了掺杂前后薄膜颗粒度/晶粒度、微应力、N含量、载流子浓度及迁移率对超导转变温度、正常态电阻率和上临界场等的影响。得到如下结果:Ti组分的掺杂,使δ-Nb-Ti-N薄膜的晶格常数增大,晶粒尺寸减小,正常态电阻率升高,载流子浓度增大,超导转变温度T_C升高,根据BCS理论和GL方程进行综合分析,B_(C2)(0)由T_C、N和晶粒尺寸共同影响,总的结果为Ti组分的掺杂使B_(C2)(0)升高。(本文来源于《蚌埠学院学报》期刊2019年02期）
惠贞贞,唐婧,郑胜彪,汪徐春,叶龙强[5]（2019）在《溶液法制备NbN超导薄膜及性能研究》一文中研究指出目的:构建NbN薄膜生长-微结构-超导性能之间的关联性。方法:采用化学溶液沉积法制备性能优异的NbN薄膜,利用X射线衍射仪和场发射扫描电镜(FE-SEM)对薄膜样品的微结构进行表征,并通过物理性质测量系统(PPMS)对薄膜样品的超导性能进行测量分析。结果:发现在Si衬底上可以制备出超薄(11 nm)δ-NbN薄膜。随着薄膜厚度的增加,薄膜的晶格常数先增大后减小,薄膜厚度为51 nm时晶格常数最大,且晶粒尺寸逐渐增大,正常态电阻率ρ_N逐渐减小,超导转变温度(T_c)先升高后降低,载流子浓度和上临界场B_(C2)(0)先增加后减小。结论:对于不同厚度的NbN超导薄膜,ρ_N由载流子浓度、晶粒尺寸和晶界散射共同影响,但晶粒尺寸大小和晶界散射起主要作用;T_c主要受N含量和载流子浓度变化的影响,N含量越多,载流子浓度越大,T_c越高;B_(C2)(0)是由T_c、ρ_N和晶粒尺寸共同影响。(本文来源于《安徽科技学院学报》期刊2019年02期）
王鑫,李桦,董正超,仲崇贵[6]（2019）在《二维应变作用下超导薄膜LiFeAs的磁性和电子性质》一文中研究指出基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了二维应变作用下LiFeAs超导薄膜的磁性结构、电子能带和态密度变化,分析了应变对其超导电性的作用.结果显示,对体系施加1%—6%的二维平面张、压应变均不改变其基态条形反铁磁性结构,费米面附近的电子态密度主要来自于Fe-3d轨道电子以及少量的As-4p电子.研究发现,与无应变情形相比,当施加压应变时,体系中Fe离子的反平行的电子自旋局域磁矩减小,薄膜反铁磁性受到抑制,费米面上电子态密度增加,超导电性来自于以反铁磁超交换耦合作用为媒介的空穴型费米面和电子型费米面间嵌套的Cooper电子对.而在张应变作用时,局域反铁磁性增强,费米面上电子态密度减小,金属性减弱,特别是张应变时费米面上空穴型能带消失, Cooper电子对出现概率显着降低,将抑制超导相变.(本文来源于《物理学报》期刊2019年02期）
权雪玲,储静远,赵跃[7]（2018）在《采用无氟MOD法在织构金属基带上生长YBCO超导薄膜的研究》一文中研究指出由于高的使用温度,优良的载流能力以及强的电机械性能,潜在的价格优势,基于YBCO超导薄膜的第二代高温超导带材在电力系统和磁体领域有良好的应用前景。无氟金属有机盐沉积技术具备设备成本低、晶体生长速率快、环境友好等特点,近年来成为了研究制备YBCO超导薄膜技术路线的热点。本文采用FF-MOD技术在Ce O2/IBAD-MgO/Y2O3/Al2O3/Hastelloy C276金属基带上制备200 nm厚的YBCO薄膜,并系统地研究了高温成相过程中Ba CO3、YBCO以及YBCO分解相的显微结构及其对超导电性的影响。结果表明,生成的YBCO相晶体呈随机取向,在热处理的过程中逐渐再结晶成为具有双轴织构的YBCO,这与单晶结果相一致。另外,影响YBCO外延形核和生长的关键是控制烧结温度和烧结气氛中的氧分压,抑制Ba CO3形成,避免YBCO部分分解。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年11期）
吴慰,张琼,苏轼,赵培[8]（2018）在《激光化学气相沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜》一文中研究指出采用激光化学气相沉积法在(100)取向Al_2O_3衬底上制备了第二代高温超导YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)薄膜,研究了前驱体Y(DPM)3、Ba(DPM)2、Cu(DPM)2的蒸发温度对YBCO薄膜成分的影响规律。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、背散射电子显微镜对薄膜进行了表征。结果表明:制备的YBCO薄膜样品成分中含有以下化合物:YBCO、CuYO_2、Cu_2O、Cu_4O_3、Y_2O_3、CuO、CuBaO_2、BaY2O_4、Ba_2Cu_3O_x。在激光功率为130 W,沉积温度为1 123 K,腔体压强为1 kPa,前驱体蒸发温度分别为TY=453 K、TBa=603 K和TCu=453 K的条件下制得成分较单一的c-轴取向YBCO薄膜。同时结果表明载流气Ar气的流速对薄膜成分存在一定影响。(本文来源于《武汉工程大学学报》期刊2018年05期）
[9]（2018）在《第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会》一文中研究指出为进一步推动我国超导薄膜和超导电子器件及相关领域的研究和学术交流,中国电子学会超导电子学分会定于2018年10月15日至18日在江西省井冈山市召开"第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会"。本届研讨会拟就当今国际超导电子学研究前沿领域进行深入讨论和交流。会议有关事项通知如下:一、会议主题1、超导薄膜及其他材料;2、超导传感器探测器及其应用;3、超导无源器件及其应用;4、新型超导量子器件与电路;(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2018年04期）
丁晓杰,张梅,王曦雯,王生旺,左涛[10]（2018）在《一种超导薄膜滤波器频率精确修正方法》一文中研究指出针对某型超导薄膜滤波器制作完成后的频率偏离现象,借助激光对超导薄膜滤波器线条进行修剪,以修正超导滤波器的频率。结合仿真计算,滤波器修正后频率与设计值一致;其它指标仍能满足设计要求。借助激光修正超导薄膜滤波器频率,将显着降低对设计和工艺制作的高精度要求,可实现更高的成品率。(本文来源于《低温与超导》期刊2018年07期）
超导薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
自1911年Onnes发现超导现象以来,人们对于超导电现象的本质和规律的探索从未停止。近年来随着低温技术的蓬勃发展,超导技术的实际应用成为了可能。在这些应用中,超导量子器件作为实现量子计算的有力竞争者受到了越来越多的关注。这其中,高质量的超导薄膜和器件的制备是决定量子比特性能的关键一步。本论文对高质量超导薄膜的生长,超导量子器件的制备及性能进行了系统的研究。结论主要有以下几个方面:通过优化本底真空,溅射气压,溅射时Ar和N_2比例,溅射功率等生长参数,我们获得了一系列不同厚度的高质量的超导薄膜。300 nm厚的NbTiN膜T_c达到15.5 K,表面粗糙度0.2 nm,超导转变宽度0.03 K。极低的表面粗糙度和极窄的转变宽度表明薄膜良好的均匀性,为超导隧道结等量子器件的制备提供了很好的基础。室温溅射生长在高阻Si衬底上的5 nm超薄NbTiN膜,T_c达到7.63 K,为单光子探测等器件的制备奠定良好的基础。为了研究薄膜的热稳定性,提高薄膜的超导特性,我们分别在纯氮气氛围和氮氢混合气体氛围下对NbTiN薄膜进行快速热退火处理。实验表明,在两种气体下进行快速热退火处理可以提高其超导转变温度。在氮氢混合气体中热退火处理效果更好。在85%N_2和15%H_2混合气体中,经过450℃快速热退火10 min的10 nm厚的NbTiN薄膜超导转变温度从9.6 K增加到10.3 K。利用激光直写,电感耦合等离子体刻蚀等技术,制备了高品质因子的超导共面波导谐振腔器件。通过比较不同衬底处理工艺,改变显影曝光参数,以及比较不同衬底刻蚀深度等制备参数,研究了影响超导谐振腔本征品质因子的主要原因。实验发现,衬底与薄膜界面存在的二能级系统对谐振腔的品质因子的影响巨大。在沉积薄膜前对Si衬底的表面进行钝化,去气处理将极大提高薄膜的品质因子。目前经过衬底表面处理以及衬底深度刻蚀等技术,我们制备的超导Nb膜共面波导谐振腔本征品质因子,在20 mK,近单光子水平下可以达到100万,最高达到150万量级。超导NbTiN薄膜共面波导谐振腔品质因子可以达到30万量级,对其性能的提高还在进一步的研究当中。应用磁控溅射的超导Nb膜在Si衬底上制备了结阵型约瑟夫森参量放大器,探索了在Si衬底上制备约瑟夫森器件的工艺流程及注意事项。应用Nb膜在Si衬底上制备超导量子比特,相比于Al膜在蓝宝石衬底上制备器件,由于无需单独制备一层金薄膜作为套刻定位,简化了量子比特的制备工艺。结阵型约瑟夫森参量放大器通过叉指电容替代平板电容,通过几个SQUID的串联获得大的电感,从而实现参量放大,简化了参量放大器的制备工艺。目前Si衬底上SQUID串联结的制备工艺基本成熟,对其性能进行了初步测试。应用湿法刻蚀技术尝试制备一种平面约瑟夫森隧道结。首先在衬底上生长一定厚度的InGaZnO无定形绝缘薄膜,通过微加工技术和湿法刻蚀方法,刻蚀获得内凹的台阶,在台阶两侧镀超导薄膜,通过控制台阶高度,薄膜厚度,内凹深度等方法在台阶处获得纳米量级的缝隙,可以在缝隙内填入待研究的纳米颗粒等对其隧穿性质进行研究。高质量的超导薄膜和量子器件是实现量子计算的关键和基础。本论文深入研究了影响薄膜质量和器件性能的各个参数,探讨影响器件指标的关键步骤和主要因素。通过优化镀膜参数,改进制备工艺,获得了高质量的超导薄膜和超导量子器件,为高质量量子比特器件的制备奠定了良好的基础
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超导薄膜论文参考文献
[1].魏鑫健.Pr_2CuO_(4±δ)超导薄膜的制备及超导电性的离子液体调控[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[2].葛欢.高质量超导薄膜生长及量子器件制备[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[3].王丹.YBCO超导薄膜裂纹尖端电流分布奇异性的实验研究[D].兰州大学.2019
[4].惠贞贞,王彦平,叶祥桔,汪徐春,郭雨.δ-Nb-Ti-N超导薄膜溶液法制备与超导性能研究[J].蚌埠学院学报.2019
[5].惠贞贞,唐婧,郑胜彪,汪徐春,叶龙强.溶液法制备NbN超导薄膜及性能研究[J].安徽科技学院学报.2019
[6].王鑫,李桦,董正超,仲崇贵.二维应变作用下超导薄膜LiFeAs的磁性和电子性质[J].物理学报.2019
[7].权雪玲,储静远,赵跃.采用无氟MOD法在织构金属基带上生长YBCO超导薄膜的研究[J].人工晶体学报.2018
[8].吴慰,张琼,苏轼,赵培.激光化学气相沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜[J].武汉工程大学学报.2018
[9]..第十五届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会[J].太赫兹科学与电子信息学报.2018
[10].丁晓杰,张梅,王曦雯,王生旺,左涛.一种超导薄膜滤波器频率精确修正方法[J].低温与超导.2018
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