导读:本文包含了光致电离截面论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:截面,杂质,原子,电离,量子,价电子,理光。
光致电离截面论文文献综述
蓝文鸿,吴英,杜永琪,刘泽坤,李臻[1]（2019）在《正电子致电离截面实验中束流强度的在线测量》一文中研究指出本文采用HPGe探测器实时收集了正电子碰撞厚Ti靶伴随产生的湮灭光子,并结合HPGe探测器对放置在碰撞点处~(22)Na标准源产生的511 keV湮灭光子的探测效率刻度值,得到了8～9.5 keV正电子引起Ti原子内壳层电离截面实验中正电子束流强度的实时测量结果。结果表明,在实验测量的38 h内,基于~(22)Na标准源慢正电子束流装置产生的正电子束流强度不稳定,随时间的变化有着不同程度的衰减,且存在小幅度波动现象。因此,低能正电子致原子内壳层电离截面实验中应采用在线法获取慢正电子束流强度。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年01期）
郑雷,崔明启,赵屹东,朱杰,朱佩平[2]（2003）在《同步辐射软X射线能区Ar原子光致电离截面的研究》一文中研究指出利用北京同步辐射装置 3W1B光束线产生的单色光作为光源 ,流气式无窗低压强双电离室作为气体容器 ,选择氩气作为实验气体 ,使用合适的公式和软件 ,实验测定了能量从 180到 2 70eV范围内若干压强点处光致电离截面与能量的关系曲线 .发现在氩原子的L吸收边附近光致电离截面与压强有关 :压强越低 ,截面越大 .实验结果与理论结果进行了对比 ,结果表明 ,在 15 0— 2 0 5eV能量范围 ,理论与实验符合良好 ,但是在氩原子的L吸收边附近由于束线分辨率的原因 ,理论与实验有一定偏差 .(本文来源于《高能物理与核物理》期刊2003年06期）
刘建军,苏会,关荣华,杨国琛[3]（2003）在《GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)》一文中研究指出通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性 ,计算了 Ga As/ Ga1 - x Alx As量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面 .结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响 ,并且对于相同尺寸的量子线 ,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大 .与他人的结果比较发现 ,所选波函数改进了体系的束缚能 ,并使光致电离截面减小 ,这使得结果更为合理(本文来源于《半导体学报》期刊2003年06期）
苏会[4]（2002）在《量子阱线中类氢杂质的束缚能标度及光致电离截面》一文中研究指出自80年代以来，低维半导体材料中杂质态的各种性质引起人们的广泛关注，杂质对于材料中的电子输运及光学性质都有重要影响。在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质束缚能的影响、外加电场或磁场的作用及杂质的光致电离效应。 本文在前人工作的基础上，详细研究了矩形截面GaAs／Ga_(1-x)Al_xAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质，采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离截面。在选取变分波函数时考虑到了电子运动在量子线的限制方向与非限制方向的相关性，从而使得在宽阱时波函数和束缚能的精确度得到改进，全文主要由两部分组成。 在第一部分，利用变分法计算了无限深GaAs矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值。计算结果表明：的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值，而不必考虑截面的形状和尺寸；体系的维里定理值并不等于常数，而是随杂质有效玻尔半径的变化而变化，在阱宽较小和较大时，维里定理值都趋于同一值2。其原因是在理想的一维、二维、叁维结构中，对于杂质体系只存在电子和施主离子间的平方反比库仑力，而没有量子阱宽的限制。 在第二部分，首先讨论了有限深GaAs／Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中杂质态的束缚能，其中考虑到了阱垒中电子有效质量及材料中介电常数的失配性。由我们选取的变分波函数得到的束缚能比不考虑相关性的结果要大，尤其是在宽阱的情况。其原因是除了考虑了阱垒中电子有 川北帅他人学顾十研究生学位论义 苏会 效质量及介电常数的失配性外，更重要的是在宽阶时不能忽略限制方 向与非限制方向的相关性因素．然后在此基础上，我们采用所选的波 函数和得到的束缚能进一步计算了类氢杂质体系的光致电高截面．考 虑了两种不同惰况：①辐射光沿阶线的轴线偏振 k方向X②辐射 光平行于轴截面偏振（设为二方向〕山偶极跃迁的选择定则使得体系 从初态跃迁到末态分别为电于的第一于带和第二子带，二名的光电离0 截面随光于能量的变化截然不同．对于每一种情况都与前人的结果做 了比较，同时还与无限深势垒的情况做了比较． 最后对所得结果进行了详细的讨论，山于我们选取的波函数考虑 到限制方向与非限制方向的相关性因素，从而提高了杂质的束缚能（在 宽阶时尤为明显X 即提高了所谓的阈能（E｝，导致了光电离截面值 的减小．(本文来源于《河北师范大学》期刊2002-04-01）
郭康贤,陈传誉[5]（1999）在《量子线中施主杂质的光致电离截面》一文中研究指出本文就几种不同的线宽计算了准一维ＧａＡｓ量子线中施主杂质的光致电离截面，同时也研究了磁场对光谱的影响(本文来源于《广州师院学报(自然科学版)》期刊1999年02期）
郭毓飞,赵伊君,张志杰[6]（1988）在《碱金属基态原子光致电离截面的理论研究》一文中研究指出用X_α法和Slater过渡态理论计算了碱金属元素Na、K、Rb、Cs基态原子的光致电离截面;讨论了价电子对原子实的极化对光致电离截面的影响。计算结果同实验值及别的理论值比较表明、用Slater过渡态理论加原子实的极化能够得到比较好的结果.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊1988年03期）
王平,赵伊君,张志杰[7]（1986）在《钠、钾原子光致电离截面的计算》一文中研究指出用X_α方法按照冻结实和过渡态两种不同的处理计算了纳和钾原子的光致电离截面。与实验结果比较表明,X_α方法是工程上大量计算原子光致电离截面的省时可靠的方法。我们发现Slater提出的半个电子电离,半个电子留在束缚轨道上的过渡态方法在光致电离截面的计算中并不完全适用。(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊1986年02期）
光致电离截面论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用北京同步辐射装置 3W1B光束线产生的单色光作为光源 ,流气式无窗低压强双电离室作为气体容器 ,选择氩气作为实验气体 ,使用合适的公式和软件 ,实验测定了能量从 180到 2 70eV范围内若干压强点处光致电离截面与能量的关系曲线 .发现在氩原子的L吸收边附近光致电离截面与压强有关 :压强越低 ,截面越大 .实验结果与理论结果进行了对比 ,结果表明 ,在 15 0— 2 0 5eV能量范围 ,理论与实验符合良好 ,但是在氩原子的L吸收边附近由于束线分辨率的原因 ,理论与实验有一定偏差 .
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光致电离截面论文参考文献
[1].蓝文鸿,吴英,杜永琪,刘泽坤,李臻.正电子致电离截面实验中束流强度的在线测量[J].原子能科学技术.2019
[2].郑雷,崔明启,赵屹东,朱杰,朱佩平.同步辐射软X射线能区Ar原子光致电离截面的研究[J].高能物理与核物理.2003
[3].刘建军,苏会,关荣华,杨国琛.GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)[J].半导体学报.2003
[4].苏会.量子阱线中类氢杂质的束缚能标度及光致电离截面[D].河北师范大学.2002
[5].郭康贤,陈传誉.量子线中施主杂质的光致电离截面[J].广州师院学报(自然科学版).1999
[6].郭毓飞,赵伊君,张志杰.碱金属基态原子光致电离截面的理论研究[J].原子与分子物理学报.1988
[7].王平,赵伊君,张志杰.钠、钾原子光致电离截面的计算[J].原子与分子物理学报.1986
论文知识图
