论文摘要
采用磁控溅射法在玻璃基底上制备P-ITO薄膜,并在氮气气氛下进行不同条件的退火处理。以薄膜厚度、退火温度和退火时间为正交试验因子,通过正交试验讨论了这三个因子对薄膜方块电阻和透过率的影响。利用XRD、SEM和AFM对薄膜的微观结构进行表征。试验结果表明:薄膜厚度对方块电阻起决定性作用,退火温度和退火时间对薄膜透过率影响较大。退火处理对薄膜晶粒分布无显著影响,但增加了薄膜表面粗糙度。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 刘飞,张浩,朱昊,房伟华,王效坤,孟雷,朴祥秀
关键词: 薄膜,方块电阻,退火处理,透过率,磁控溅射
来源: 科技经济导刊 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 合肥京东方光电科技有限公司
分类号: TB306
页码: 39-40
总页数: 2
文件大小: 1973K
下载量: 105
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