导读:本文包含了内吸除论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:硅片,中子,清洁,热稳定性,沉淀物,热力学,区内。
内吸除论文文献综述
张红娣,郝秋艳,张建峰,张建强,李养贤[1]（2004）在《重掺硅衬底片的内吸除效应》一文中研究指出本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应。发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同。且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散。在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2004年05期）
张维连,徐岳生,李养贤[2]（1991）在《中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应》一文中研究指出中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。(本文来源于《电子科学学刊》期刊1991年05期）
张维连,徐岳生,李养贤[3]（1990）在《NTDCZSi内吸除技术的研究》一文中研究指出利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi IG效应机理.(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1990年01期）
张维连,李养贤[4]（1989）在《中子嬗变掺杂直拉硅单晶内吸除效应机理的探讨》一文中研究指出中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)作内吸除处理时(IG 处理),清洁区(DZ)和吸杂区(GZ)的形成机理与直拉硅(CZSi)不同,它们的形成是辐照缺陷与硅中间隙氧相互作用的结果.DZ 的宽度主要取决于IG 退火时辐照空位在样品表面附近深度内过剩的宽度,GZ 则是氧以体内辐照间隙型缺陷团为核心非均匀成核形成的.氧的外扩散和体内过饱和沉淀加速了 DZ 和 GZ 的完成.(本文来源于《河北工学院学报》期刊1989年01期）
L,Jastrzebski,张成方[5]（1987）在《双极、CMOS和CCD(高,中,低温)工艺中内吸除的比较》一文中研究指出比较了典型双极、CMOS和CCD工艺中的内吸除。由于这叁种工艺涉及到不同的处理温度、沾污程度和对硅片翘曲的敏感程度,直接的比较相当困难。此外,双极、CMOS和CCD电路的性能对结晶学缺陷的敏感程度也各不相同。因此,我们的比较是在一个相对的基础上进行的,重点在于沉淀的氧,沉淀分布和形貌以及提供最佳吸除行为的氧沉淀动力学的优化程度。为了成功地用内吸除来改善双极、CMOS和CCD电路的成品率,需要在每条工艺线和各个电路类型的基础上对这些参数进行优化。任何将氧沉淀数量增加至高于最佳值的企图都将导致成品率下降。引起成品率降低的原因有:缺陷形貌的变化(偏离最佳吸除),残余表面缺陷数量的增加和硅片的机械强度降低(边缘位错的产生、翘曲)。(本文来源于《微电子学》期刊1987年06期）
王静贤,李正荣[6]（1987）在《内吸除技术在MSI和LSI中的应用》一文中研究指出本文主要介绍,经适当的热处理,使硅片内部具有吸除表面层的杂质和缺陷的技术及吸除效果的检验方法.同时也简要地介绍了吸除技术在集成电路中的应用.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊1987年05期）
L,Jastrzebski,赖宗声[7]（1985）在《双极工艺中的内吸除技术对电路性能影响和与氧沉淀动力学关系》一文中研究指出本文研究了I~2L和线性双极电路内吸除工艺对电路性能的影响。这种吸除技术是在工艺过程中通过控制氧在硅片中的沉淀而引入的。已测量出这种影响会使电路的漏电流减少,并反映到成品率提高。业已发现吸除效率是沉淀氧含量和沉淀物形貌的强函数关系。还发现这些因素影响了硅片的机械强度(翘曲度)。对于相对较低的沉淀氧含量(约10ppm),已得到所需要的沉淀物形貌,从而得到最佳的吸除和提高成品率。沉淀氧含量的增加会降低吸除效率,同时也会减小硅片的机械强度。本研究表明除了已知因素(例如纯净硅片中填隙氧浓度、双极工艺过程中氧沉淀动力学)外还受其它一些因素(如氧沉淀核化中心浓度等)的强烈影响。它们控制着氧沉淀速率和沉淀物的形貌。因为这些中心的浓度与晶体生长条件有关,所以我们发现:由不同厂家提供的硅片中,沉淀动力学是不同的。这就可能导致不寻常的后果。例如我们发现在有初始氧浓度为40ppm的硅片中沉淀氧含量比另外厂家所提供的硅片初始氧浓度28ppm或31ppm的硅片中沉淀氧含量更低。我们相信我们的结论清楚地证明:优化后的内部吸除工艺可用来提高双极型工艺线上的成品率。(本文来源于《微电子学》期刊1985年06期）
内吸除论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
内吸除论文参考文献
[1].张红娣,郝秋艳,张建峰,张建强,李养贤.重掺硅衬底片的内吸除效应[J].人工晶体学报.2004
[2].张维连,徐岳生,李养贤.中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应[J].电子科学学刊.1991
[3].张维连,徐岳生,李养贤.NTDCZSi内吸除技术的研究[J].固体电子学研究与进展.1990
[4].张维连,李养贤.中子嬗变掺杂直拉硅单晶内吸除效应机理的探讨[J].河北工学院学报.1989
[5].L,Jastrzebski,张成方.双极、CMOS和CCD(高,中,低温)工艺中内吸除的比较[J].微电子学.1987
[6].王静贤,李正荣.内吸除技术在MSI和LSI中的应用[J].微电子学与计算机.1987
[7].L,Jastrzebski,赖宗声.双极工艺中的内吸除技术对电路性能影响和与氧沉淀动力学关系[J].微电子学.1985
论文知识图
