导读:本文包含了寄生电感论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:增强型氮化镓(GaN)HEMT,开关行为,寄生电感,双脉冲测试
寄生电感论文文献综述
彭子和,秦海鸿,修强,张英,荀倩[1]（2019）在《寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响》一文中研究指出寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年04期）
于少林,张兴,王佳宁[2]（2018）在《关键物理结构对逆变器迭层母排寄生电感的影响》一文中研究指出该文系统化地研究关键物理结构对迭层母排电感的影响,主体包括母排的叁维物理尺寸、安装孔和端子。通过叁维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关系,并对现有的一些结论进行修正。同时提出对母排电感影响的核心因素,并提出优化设计方案。(本文来源于《太阳能学报》期刊2018年11期）
黄华震,柯俊吉,孙鹏,赵志斌[3]（2018）在《寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响》一文中研究指出电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡。搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响。基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻,由此消除了电感引入的寄生电阻对实验结果的影响。然后分别对漏极电感L_d、源极电感L_s和栅极电感L_g不匹配与并联电流分配的关系进行实验研究,实验结果表明:L_d不匹配对并联器件的瞬态电流上升过程没有影响,但会在两个器件间造成环流,且在环流衰减的过渡阶段和稳态阶段L_d对电流分配具有不同的影响规律,L_s不匹配使得电感较小的器件瞬态电流过冲增大,而L_g对器件并联电流没有影响。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年11期）
胡振球,彭再武,黄炫方,尹志刚,黄宜山[4]（2018）在《基于双脉冲试验的双IGBT模块母线回路寄生电感快速计算方法》一文中研究指出双IGBT模块上承受的过电压会导致系统可以控制的电流幅值减小,系统的过压保护值下降,从而限制控制策略的实施。该过电压的大小受整个回路寄生电感的影响,为了在设计之初控制该参数,需要对整个回路上各部件及其联接方式形成的电感值都提出要求。文章提出一种双IGBT模块母线回路寄生电感快速计算方法,其利用双脉冲试验关断波形进行寄生电感参数计算,只需少量数据即可完成母线回路寄生电感的估算,进而对各部件提出电感值要求。通过计算结果对比可知,该方法与采用开通波形计算方法相比,具有符合项目正向设计原则、计算速度快等特点。(本文来源于《控制与信息技术》期刊2018年05期）
伍理勋,韩洋,陆海峰,陈磊[5]（2018）在《寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制》一文中研究指出SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景。但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多。本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响,对基于SiC器件的变换电路PCB设计给予一定的指导,并给出了抑制SiC MOSFET开关振荡的建议。(本文来源于《汽车电器》期刊2018年07期）
袁文迁,赵志斌,焦超群,莫申扬,唐新灵[6]（2018）在《基于开通波形的IGBT开关特性测试平台寄生电感提取方法》一文中研究指出IGBT动态测试平台的寄生电感影响IGBT器件的开关参数以及开关损耗,因此,提取动态测试平台回路的寄生电感对于准确获得IGBT器件的开关参数具有重要意义。传统的寄生电感提取方法忽略了回路寄生电阻的影响,给寄生电感的提取带来误差。为了提高寄生电感提取的准确性,提出了采用IGBT开通波形来计算动态特性测试平台寄生电感的方法,通过对开通电流上升过程的分析,建立了包含回路寄生电阻的等效电路模型及电路方程。仿真结果表明该方法的计算误差低于传统计算方法。为验证该方法的正确性,搭建了IGBT动态特性测试平台,实验结果表明,该方法实现了寄生电感参数的提取,为提供准确的IGBT器件开关参数奠定了基础。(本文来源于《华北电力大学学报(自然科学版)》期刊2018年03期）
袁文迁[7]（2018）在《压接型IGBT开关特性测试平台的设计及寄生电感提取》一文中研究指出压接型IGBT的芯片和电极之间采用压力接触代替引线键合,消除了键合线脱落和焊层退化等失效问题,压接型IGBT结构设计使得可以在集电极侧和发射极侧进行双面冷却,热阻值较焊接式IGBT大幅降低,提高了器件的可靠性。压接型IGBT器件具备独特的失效短路模式,系统中可以增加备份的器件来承担失效器件的电压,而失效的器件则等同于短路并流过负载电流,这将避免了因个别器件失效导致系统停机维修,提高了系统的可靠性,使得压接型IGBT器件在柔性直流输电系统等应用场合具备显着优势。本文针对3300V压接型IGBT器件,设计完成了压接型IGBT压力夹具,包括绝缘材料的选取、压力分散装置的设计、接触面加工精度选取以及碟簧的选取等。提出了一种环面分散压力的压力分散装置设计方案,利用仿真软件对该方案进行了验证。仿真结果表明,相比于传统的压力分散装置,该方案使得器件集电极平面的压力分布更为均匀,同时降低了压力分散装置的体积和重量。利用压力测量胶片对器件集电极平面的压力分布进行了实际测量,结果表明压力夹具实现了将压力均匀施加到器件集电极平面。设计完成了压接型IGBT开关特性测试平台,测试电路采用双脉冲测试方法。完成了直流母线电容和负载电感参数设计,电容充电路回路设计,电压电流测量仪器的选择和校准,以及驱动控制电路的设计等。利用测试平台实现了压接型IGBT开关特性的测试,测试电压达到了 1800V,电流达到了 1500A。实现了不同电压电流等级下的开关特性测试,分析了测试回路寄生电感对开关过程的影响。IGBT开关测试平台的寄生电感影响IGBT器件的开关参数以及开关损耗,因此,提取测试平台回路的寄生电感对于准确获得IGBT器件的开关参数具有重要意义。传统的寄生电感提取方法忽略了回路寄生电阻的影响,给寄生电感的提取带来误差。为了提高寄生电感提取的准确性,本文提出了采用IGBT开通波形来计算测试平台寄生电感的方法,通过对开通电流上升过程的分析,建立了包含回路寄生电阻的等效电路模型及电路方程。仿真结果表明该方法的计算误差低于传统计算方法。利用该方法实现了测试回路寄生电感参数的提取,为提供准确的IGBT器件开关参数奠定了基础。(本文来源于《北京交通大学》期刊2018-03-01）
崔富刚[8]（2017）在《分析计算同轴电缆的寄生电感时应注意的问题》一文中研究指出在分析计算导体的寄生电感时,应考虑导体的横截面积,同时应注意磁通匝链数这一重要概念,否则计算结果将产生错误。(本文来源于《计量与测试技术》期刊2017年08期）
秦海鸿,朱梓悦,戴卫力,徐克峰,付大丰[9]（2017）在《寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响》一文中研究指出随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅(SiC)器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势。本文采用理论定性分析与实验定量研究相结合的方法,考虑相关寄生电感,对SiC MOSFET基本开关电路建立数学模型,确立影响开关特性的主要因素,然后通过SiC器件高速电路双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对SiC器件开关性能的影响进行系统研究,揭示寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响规律。在此基础之上,根据SiC高速开关电路实际布局的限制,在布局紧凑程度或回路走线总长度相对不变的情况下,对各部分寄生电感的匹配关系进行研究,归纳出SiC器件开关过程受寄生参数影响的特性规律,从而指导SiC基高速开关电路的优化布局设计。(本文来源于《南京航空航天大学学报》期刊2017年04期）
柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎[10]（2017）在《寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响》一文中研究指出相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年03期）
寄生电感论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
该文系统化地研究关键物理结构对迭层母排电感的影响,主体包括母排的叁维物理尺寸、安装孔和端子。通过叁维有限元法电磁仿真,全方位分析上述关键因素对电感的影响,并在研究中探讨内在的电磁机理,凝练出寄生电感与关键结构的简单数学关系,并对现有的一些结论进行修正。同时提出对母排电感影响的核心因素,并提出优化设计方案。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
寄生电感论文参考文献
[1].彭子和,秦海鸿,修强,张英,荀倩.寄生电感对低压增强型GaNHEMT开关行为的影响[J].半导体技术.2019
[2].于少林,张兴,王佳宁.关键物理结构对逆变器迭层母排寄生电感的影响[J].太阳能学报.2018
[3].黄华震,柯俊吉,孙鹏,赵志斌.寄生电感不匹配对SiCMOSFET并联电流分配的影响[J].半导体技术.2018
[4].胡振球,彭再武,黄炫方,尹志刚,黄宜山.基于双脉冲试验的双IGBT模块母线回路寄生电感快速计算方法[J].控制与信息技术.2018
[5].伍理勋,韩洋,陆海峰,陈磊.寄生电感对SiCMOSFET开关振荡的影响及其抑制[J].汽车电器.2018
[6].袁文迁,赵志斌,焦超群,莫申扬,唐新灵.基于开通波形的IGBT开关特性测试平台寄生电感提取方法[J].华北电力大学学报(自然科学版).2018
[7].袁文迁.压接型IGBT开关特性测试平台的设计及寄生电感提取[D].北京交通大学.2018
[8].崔富刚.分析计算同轴电缆的寄生电感时应注意的问题[J].计量与测试技术.2017
[9].秦海鸿,朱梓悦,戴卫力,徐克峰,付大丰.寄生电感对SiCMOSFET开关特性的影响[J].南京航空航天大学学报.2017
[10].柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎.寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响[J].半导体技术.2017
标签：增强型氮化镓(GaN)HEMT; 开关行为; 寄生电感; 双脉冲测试;