导读:本文包含了半绝缘多晶硅膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电场,速率,浓度,流量,条件,多晶硅,论文。
半绝缘多晶硅膜论文文献综述
周光能[1]（1985）在《掺氧半绝缘多晶硅膜的研制和在高反压晶体管中的钝化应用》一文中研究指出在常压下,用所建立的CVD系统——射频感应加热卧式反应室及N_2-SiH_4-N_2O气体系统,制备出掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS )膜.利用俄歇能谱分析、透射电子显微镜等技术实验研究了膜的元素组分、晶粒尺寸、折射率、淀积达率以及与制备条件的关系;用掺氧SIPOS和低温淀积的用SiO_2双层介质取代热生长SiO_2,应用于高反压晶体管钝化,显着提高了击穿电压BV(ceo),并且改善了穿透电流I(ceo).(本文来源于《半导体技术》期刊1985年06期）
王毅[2]（1979）在《半绝缘多晶硅膜在MOSIC中的应用》一文中研究指出本文研究了用掺氧原子的半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作MOSIC、特别是无阻挡沟道结构的C/MOSIC的表面钝化层。SIPOS膜是用一氧化二氮和硅烷于氮气氛中进行化学汽相反应在硅衬底表面上淀积而成的。SIPOS膜是半绝缘的,而实质上是电中性的。用3000ASIPOS和6000ASiO_2膜组成的双层系统代替无沟道阻挡结构的C/MOSIC中的厚二氧化硅层,并呈现极好的场钝化性能,即:漏-源漏泄电流小、漏击穿电压高、寄生阈值电压高。而且,用SIPOS膜钝化的硅表面在严格的偏压温度应力下显示出高的稳定性。结果表明:用SIPOS膜钝化的C/MOSIC不需要有沟道阻挡扩散区,并能在高电压下工作,从而导致较大的集成密度和较好的可靠性。(本文来源于《微电子学》期刊1979年01期）
半绝缘多晶硅膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文研究了用掺氧原子的半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作MOSIC、特别是无阻挡沟道结构的C/MOSIC的表面钝化层。SIPOS膜是用一氧化二氮和硅烷于氮气氛中进行化学汽相反应在硅衬底表面上淀积而成的。SIPOS膜是半绝缘的,而实质上是电中性的。用3000ASIPOS和6000ASiO_2膜组成的双层系统代替无沟道阻挡结构的C/MOSIC中的厚二氧化硅层,并呈现极好的场钝化性能,即:漏-源漏泄电流小、漏击穿电压高、寄生阈值电压高。而且,用SIPOS膜钝化的硅表面在严格的偏压温度应力下显示出高的稳定性。结果表明:用SIPOS膜钝化的C/MOSIC不需要有沟道阻挡扩散区,并能在高电压下工作,从而导致较大的集成密度和较好的可靠性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半绝缘多晶硅膜论文参考文献
[1].周光能.掺氧半绝缘多晶硅膜的研制和在高反压晶体管中的钝化应用[J].半导体技术.1985
[2].王毅.半绝缘多晶硅膜在MOSIC中的应用[J].微电子学.1979