导读:本文包含了移相掩模论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:相位,光刻,物镜,冲突,光学,深紫,技术。
移相掩模论文文献综述
杨中月,付兴昌,宋洁晶,孙希国[1]（2010）在《采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅》一文中研究指出介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2010年06期）
战崇华[2]（2009）在《基于移相掩模标记的光刻机投影物镜波像差检测方法研究》一文中研究指出光刻机是芯片制造的重要装备之一,其核心是一套高精度的投影成像系统,这套系统的波像差是影响光刻机成像质量、光刻分辨率和套刻精度的重要因素,是光刻机最主要的检测指标之一。为达到实际生产过程对投影物镜系统波像差提出的苛刻要求,需定期对光刻机投影物镜系统的波像差进行检测和校正,因此,各种原位和在线检测方法应运而生。移相掩模(Phase-Shift Mask,PSM)是一种通过在掩模基底上附加移相器,使掩模出射波面间产生相对相移的掩模标记。自其问世以来,就有人研究利用其实现系统波像差检测。目前,基于移相掩模的波像差检测技术正在成为光刻机投影物镜系统波像差检测技术的重要分支之一。本文对基于相位轮移相掩模标记的波像差检测方法进行了详细研究,主要完成了以下工作:(1)研究了基于相位轮移相掩模标记的光刻机投影物镜系统波像差检测原理,确定了光刻机投影物镜系统的波像差检测流程。(2)为了提高光刻仿真计算速度,利用二次响应面模型对光刻机投影物镜系统成像特性进行了拟合,得到了光刻机投影物镜系统成像特性的简化模型。在光刻机投影物镜系统成像特性的拟合过程中,应用D-优化设计理论对拟合方案进行了优化,利用Prolith软件建立了仿真图像库,通过最小二乘方法对仿真图像库的拟合,得出光刻机投影物镜系统成像特性的简化模型。与Prolith软件相比,该简化模型在保证所需仿真精度的同时,计算速度显着提高,可满足波像差优化求解的要求。(3)研究了光刻机投影物镜系统Zernike系数的求解方法,提出了遗传算法和序列二次规划法相结合的Zernike系数优化求解算法。该算法利用遗传算法求解的全局搜索特性,得到Zernike系数的粗略解,然后,利用序列二次规划法快速收敛性,求得Zernike系数的精确解,从而完成优化求解过程。实验证明该粗精结合的优化求解算法具有准确而高效的特性。(4)通过Prolith光刻仿真软件对文中提出的光刻机投影物镜波像差检测方法进行了仿真验证,证明了该方法的有效性和可行性。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-01）
袁琼雁,王向朝,邱自成[3]（2008）在《基于移相掩模优化的光刻机投影物镜偶像差检测技术》一文中研究指出投影物镜是步进扫描投影光刻机最重要的光学系统。投影物镜的波像差会导致光刻成像质量的恶化和光刻工艺容限的减小。随着光刻特征尺寸的不断缩小,尤其是各种分辨率增强技术的使用,投影物镜偶像差造成的成像质量恶化问题越来越突出。偶像差主要包括球差和像散,球差主要引起掩模图形成像的最佳焦面偏移,像散主要引起相互垂直的线条成像的最佳焦面偏离,从而造成(本文来源于《第十二届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）》期刊2008-07-20）
黄惠萍[4]（2008）在《交替移相掩模技术的版图优化方法研究》一文中研究指出随着集成电路的不断发展,电路特征尺寸不断缩小。在电路尺寸达到纳米量级的今天,设计与工艺的独立性被打破,引发了一系列可制造性设计问题与相关研究。交替移相掩模是一种通过对掩模版进行相位偏移而提高光刻分辨率的先进工艺技术,用来解决深亚波长光刻下由于衍射效应引起的图形失真问题。交替移相掩模技术的版图优化是可制造性设计领域的计算机辅助设计技术,用于对版图进行相应技术的修改。本文提出了一种交替移相掩模版图优化软件原型FDPSM(Fudan Phase ShiftMask),以及在FDPSM中应用的交替移相掩模技术版图优化的相关数据结构和算法,实现暗场条件下的相位冲突检测和相位分配。本文提出了一种基于叁连通分支分解的相位分配算法TCDBPA(Triconnected-Component-Decomposition Based Phase Assignment)。由于版图庞大的数据量,已有的相位分配算法难以处理全芯片级的交替移相掩模问题。TCDBPA应用分而治之的思想,将相位冲突图分解成各个叁连通分支,然后在传统算法基础上结合叁连通分支的性质对各个分支进行求解,最后合理地合并各个解集并进行最终相位分配。由于有效地降低了问题规模,因此能够提高求解速度,从而该算法可以应用于规模巨大的全芯片级的移相掩模版图优化中。本文还提出了一种改进的动态优先搜索树数据结构,应用于冲突检测中以查询版图图形之间的冲突情况,加快相位冲突图的构建时间。相比于传统的动态优先搜索树,本文数据结构逻辑简单清晰,在数据量庞大、需要频繁进行数据插入与删除、而且查询的解个数较少的应用中优势突出,特别适用于集成电路物理设计方面的应用。(本文来源于《复旦大学》期刊2008-05-15）
陆晶,陈宝钦,刘明,龙世兵,李泠[5]（2005）在《100 nm分辨率交替式移相掩模设计》一文中研究指出讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层迭加曝光的方案,并针对分层迭加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层迭加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2005年02期）
高根生,史峥,陈晔,严晓浪[6]（2004）在《一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具》一文中研究指出介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .实验结果证实了该工具的有效性(本文来源于《半导体学报》期刊2004年05期）
陆晶,陈宝钦,刘明,王云翔,龙世兵[7]（2003）在《100nm分辨率的移相掩模技术》一文中研究指出介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。(本文来源于《微细加工技术》期刊2003年04期）
韩安云,王育中,王维军,张,倩,田振文[8]（2002）在《用于T形栅光刻的新型移相掩模技术》一文中研究指出根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2002年05期）
贾海强,张玉清,张慕义,李岚[9]（1999）在《移相掩模应用技术》一文中研究指出一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。(本文来源于《半导体技术》期刊1999年02期）
孙再吉[10]（1998）在《用移相掩模法形成0.15μm GaAs FET细栅》一文中研究指出据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET。MODFET使用了MBE生长的外延片．MODFET的截面结构和截面照片如图所示。附图MODFET的截(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1998年03期）
移相掩模论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
光刻机是芯片制造的重要装备之一,其核心是一套高精度的投影成像系统,这套系统的波像差是影响光刻机成像质量、光刻分辨率和套刻精度的重要因素,是光刻机最主要的检测指标之一。为达到实际生产过程对投影物镜系统波像差提出的苛刻要求,需定期对光刻机投影物镜系统的波像差进行检测和校正,因此,各种原位和在线检测方法应运而生。移相掩模(Phase-Shift Mask,PSM)是一种通过在掩模基底上附加移相器,使掩模出射波面间产生相对相移的掩模标记。自其问世以来,就有人研究利用其实现系统波像差检测。目前,基于移相掩模的波像差检测技术正在成为光刻机投影物镜系统波像差检测技术的重要分支之一。本文对基于相位轮移相掩模标记的波像差检测方法进行了详细研究,主要完成了以下工作:(1)研究了基于相位轮移相掩模标记的光刻机投影物镜系统波像差检测原理,确定了光刻机投影物镜系统的波像差检测流程。(2)为了提高光刻仿真计算速度,利用二次响应面模型对光刻机投影物镜系统成像特性进行了拟合,得到了光刻机投影物镜系统成像特性的简化模型。在光刻机投影物镜系统成像特性的拟合过程中,应用D-优化设计理论对拟合方案进行了优化,利用Prolith软件建立了仿真图像库,通过最小二乘方法对仿真图像库的拟合,得出光刻机投影物镜系统成像特性的简化模型。与Prolith软件相比,该简化模型在保证所需仿真精度的同时,计算速度显着提高,可满足波像差优化求解的要求。(3)研究了光刻机投影物镜系统Zernike系数的求解方法,提出了遗传算法和序列二次规划法相结合的Zernike系数优化求解算法。该算法利用遗传算法求解的全局搜索特性,得到Zernike系数的粗略解,然后,利用序列二次规划法快速收敛性,求得Zernike系数的精确解,从而完成优化求解过程。实验证明该粗精结合的优化求解算法具有准确而高效的特性。(4)通过Prolith光刻仿真软件对文中提出的光刻机投影物镜波像差检测方法进行了仿真验证,证明了该方法的有效性和可行性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
移相掩模论文参考文献
[1].杨中月,付兴昌,宋洁晶,孙希国.采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅[J].微纳电子技术.2010
[2].战崇华.基于移相掩模标记的光刻机投影物镜波像差检测方法研究[D].华中科技大学.2009
[3].袁琼雁,王向朝,邱自成.基于移相掩模优化的光刻机投影物镜偶像差检测技术[C].第十二届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）.2008
[4].黄惠萍.交替移相掩模技术的版图优化方法研究[D].复旦大学.2008
[5].陆晶,陈宝钦,刘明,龙世兵,李泠.100nm分辨率交替式移相掩模设计[J].固体电子学研究与进展.2005
[6].高根生,史峥,陈晔,严晓浪.一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具[J].半导体学报.2004
[7].陆晶,陈宝钦,刘明,王云翔,龙世兵.100nm分辨率的移相掩模技术[J].微细加工技术.2003
[8].韩安云,王育中,王维军,张,倩,田振文.用于T形栅光刻的新型移相掩模技术[J].微纳电子技术.2002
[9].贾海强,张玉清,张慕义,李岚.移相掩模应用技术[J].半导体技术.1999
[10].孙再吉.用移相掩模法形成0.15μmGaAsFET细栅[J].固体电子学研究与进展.1998
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