论文摘要
本文以4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐为原料,制备聚酰亚胺（Polyimide,PI）薄膜。并将其与笼型倍半硅氧烷（Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS）,通过原位分散聚合法制备了具有低介电常数POSS/PI复合薄膜。研究了POSS填充量对POSS/PI复合材料介电、热稳定性及力学性能的影响。结果表明:掺入POSS的含量为0.5wt%时,POSS/PI复合材料的介电常数与介电损耗明显降低,热分解温度变化不大,拉伸强度略有降低。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 庞天亮,范超,鞠冬宝,李嘉文,周宏
关键词: 聚酰亚胺,聚倍半硅氧烷,复合材料,介电性能
来源: 化学工程师 2019年07期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院
基金: 哈尔滨理工大学大学生创新实验项目(201810214193),黑龙江省自然科学基金E2015058资助
分类号: TB33
DOI: 10.16247/j.cnki.23-1171/tq.20190704
页码: 4-6+16
总页数: 4
文件大小: 144K
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