论文摘要
二维半导体材料MoS2由于其广泛的应用领域和独特的物理性质,已经吸引了越来越多研究人员的兴趣[1]。本文采用显微拉曼散射技术在低温（4K）-磁场（9T）条件下研究了化学气相沉积（CVD）方法制备的单层和少层MoS2的磁光耦合性质。我们发现拉曼光谱在变化磁场的过程中发生明显变化。尤其是相对于位于380 cm-1附近的E2g1模式,位于405 cm-1的A1g模式的强度随着改变施加磁场强度发生显著的变化。当磁场强度为4.5T时,A1g模式与E2g1模式的强度比值达到最大。这一现象归因于磁场导致的拉曼散射截面的对称性破缺[2]。此外,我们发现强度比值出现的磁场并不随MoS2的层数变化。这说明磁光耦合属于MoS2的本征物理性质,并没有层厚依赖性。我们的结果证明拉曼散射是研究二维材料中磁光耦合性质的有效技术手段。
论文目录
文章来源
类型: 国内会议
作者: 杨洋,田士兵,黄元,朱恪
关键词: 低温磁场拉曼光谱,少层,对称性破缺
来源: 第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20） 2019-11-03
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 中国科学院物理研究所
分类号: TN304;O437.3
DOI: 10.26914/c.cnkihy.2019.001533
页码: 49
总页数: 1
文件大小: 726k
下载量: 37
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标签：低温磁场拉曼光谱论文; 少层论文; 对称性破缺论文;