导读:本文包含了阻挡层论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:甲醇,大马士革,薄膜,燃料电池,磁控溅射,热稳定性,湿法。
阻挡层论文文献综述
张辉辉,刘玉岭,王辰伟,曾能源,王聪[1]（2019）在《复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用》一文中研究指出分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛光(CMP),研究复合络合剂对材料去除速率、碟形坑和蚀坑的影响。结果表明,单独使用FA/OⅡ型螯合剂配置抛光液时,随着螯合剂的增加,Cu去除速率明显增加,而TEOS去除速率趋于减小;单独使用CAK配置抛光液时,随着CAK的增加,Cu去除速率缓慢增加,而TEOS去除速率明显增加;使用FA/OⅡ型螯合剂和CAK复合配置(质量分数分别为20%和3%)阻挡层抛光液,可以得到较高的Cu和TEOS去除速率,Cu和TEOS去除速率选择比为1∶1.8,碟形坑和蚀坑深度分别从69.8 nm和45.5 nm修正为25.6 nm和16.7 nm,铜表面粗糙度由原来的7.11 nm降至1.27 nm。该阻挡层抛光液稳定时间为72 h,其稳定性满足工业化要求。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
胡耀文,高江东,全知觉,张建立,潘拴[2]（2019）在《电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响》一文中研究指出为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制叁甲基铝(TMAl)流量,分别获得EBL-1含有Al组分约20%、50%、80%的硅衬底GaN基黄光LED;随后使用半导体仿真软件Silvaco Atlas对这3种样品的实际测试内量子效率曲线进行拟合。结果表明,EBL-1中Al组分对内量子效率的影响主要体现在两方面:一是EBL-1的Al组分越高越有利于空穴从V形坑侧壁注入到多量子阱有源区;二是EBL-1中过高的Al组分会降低p型GaN晶体质量,导致空穴浓度下降;综合表现为Al组分约50%的EBL-1在这种双层电子阻挡层的设计下最有利于提高硅衬底GaN基黄光LED的内量子效率。(本文来源于《发光学报》期刊2019年09期）
黄庆丰[3]（2019）在《金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响》一文中研究指出在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm工艺平台一样的单一刻蚀方法,必须采用以干法刻蚀为主、湿法刻蚀为副,干、湿相结合的方式进行刻蚀。因OTP的数据保持性能与干法刻蚀后有源区表面剩余SAB的量有关,所以SAB干法刻蚀非常关键。实验表明,只要干法刻蚀后有源区表面剩余SAB厚度控制在180 A,工艺窗口±50 A,OTP Cell有源区表面可免遭不可逆的等离子体损伤,而剩下的SAB也能通过湿法刻蚀去除干净且有较大的工艺窗口。OTP因此具备较好的数据保持性能,晶圆由此实现高良率。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年08期）
吴晓燕,谭维,罗才武,张晓文,李密[4]（2019）在《以MnFe_2O_4为阻挡层的Ni-YSZ阳极支撑SOFC的效能》一文中研究指出为提高镍-氧化钇稳定氧化锆(Ni-YSZ)阳极支撑的固体氧化物燃料电池(SOFC)以含碳气为燃料时的抗积碳性能,采用丝网印刷法在Ni-YSZ阳极表面印制阻挡层,阻挡层的材料为高温煅烧制备的铁酸锰(MnFe_2O_4)粉体。在750℃下以模拟污泥微波热解生物质气为燃料,测试含阻挡层的电池的电化学效能和抗积碳性能,并利用扫描电镜对测试前、后的阳极进行表征。研究结果表明:MnFe_2O_4阻挡层与Ni-YSZ阳极的结合性较好;在Ni-YSZ阳极上添加MnFe_2O_4阻挡层后,电池的放电性能有所降低,但是电池在以模拟生物质气为燃料时的抗积碳性能大幅提高,且在浆料中添加16%(质量分数)的石墨制备的阻挡层效果最佳。本研究对Ni-YSZ阳极以生物质气为燃料时的抗积碳能力的改进与发展具有积极意义。(本文来源于《材料导报》期刊2019年12期）
李荣斌,李旻旭,蒋春霞,李炳毅,李倩倩[5]（2019）在《AlCrTaTiZrMo高熵合金氮化物扩散阻挡层的制备与表征》一文中研究指出目的制备15 nm的(AlCrTaTiZrMo)N六元高熵合金氮化物薄膜,并对其扩散阻挡性能进行表征。方法使用直流磁控溅射设备在单晶硅上沉积(Al Cr Ta Ti Zr Mo)N高熵合金氮化物薄膜,然后在薄膜上沉积150 nm的Cu,形成Cu/(AlCrTaTiZrMo)N/Si结构。在600℃下,对该结构进行不同时间的退火处理,使用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪(FPP)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究薄膜成分及退火时间对薄膜组织结构、表面形貌、方块电阻的影响,研究其扩散阻挡性。结果高熵合金氮化物薄膜与基体Si和Cu的结合性较好。沉积态高熵合金氮化物薄膜为非晶结构,表面光滑平整,方块电阻阻值较低。在600℃下经1h退火后,薄膜仍为非晶结构,表面发生粗化。随着退火时间增加,5h退火后,结构中出现少量纳米晶,大部分仍为非晶,表面粗糙度增加。退火7 h后,结构没有发生变化,仍为非晶包裹纳米晶结构,Cu表面生成部分岛状物,方块电阻阻值仍然较低,且无Cu-Si化合物生成,证明(AlCrTaTiZrMo)N高熵合金氮化物薄膜在长时间退火处理后,仍能保持良好的铜扩散阻挡性。结论 15nm的(AlCrTaTiZrMo)N高熵合金氮化物薄膜在600℃下退火7h后,其非晶包裹纳米晶的结构能有效阻挡Cu的扩散,表现出了优异的热稳定性与扩散阻挡性。(本文来源于《表面技术》期刊2019年06期）
邹建雄,林黎蔚,焦国华,鲁远甫,刘波[6]（2019）在《铜互连微结构中无籽晶RuMoC扩散阻挡层的稳定性（英文）》一文中研究指出采用磁控共溅射Ru和MoC靶,通过调节掺入MoC的含量获得非晶态RuM oC薄膜,研究了非晶RuM oC薄膜的热稳定性。HRTEM和XRD结果表明,在500℃下RuM oC薄膜依旧保持非晶结构;XPS分析结果表明,在该温度下,Ru-C键依旧保持完好,是RuM oC薄膜良好热稳定的关键。此外,研究了非晶RuM oC薄膜在大马士革铜互连线微结构中的热稳定性。HRTEM结果表明,RuM oC薄膜表面可直接电镀铜,TEM原位EDS结果表明,非晶RuM oC薄膜在500℃下依旧成功阻挡了Cu原子扩散。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年06期）
薛瑞[7]（2019）在《微型直接甲醇燃料电池高浓度传质阻挡层技术研究》一文中研究指出随着微电源的快速发展和市场需求的不断增加,基于微机电系统(microelectro mechanical system,MEMS)技术的微型直接甲醇燃料电池(micro direct methanol fuel cell,μDMFC),依靠其广阔的应用前景而成为研究热点。与其他类型的燃料电池相比,DMFC具有能量密度高、燃料来源丰富、成本低、易于储存和携带、安全性高等特点。被动式微型直接甲醇燃料电池,随着甲醇溶液使用浓度的提高,电池的能量利用率是随之上升的。但是高浓度通常伴有甲醇渗透等问题,一般使用稀释的甲醇溶液(<10 wt%)作为燃料,尽量减少甲醇通过质子交换膜的渗透通量。使用稀释的甲醇溶液时,燃料电池的比能量密度明显降低,因此寻找一种适合被动式微型直接甲醇燃料电池在高浓度情况下的改进方案是十分必要的。本文完成了高浓度条件下被动式微型直接甲醇燃料电池阳极甲醇传质阻挡层的理论分析与实验验证,基于电池内部组分传输机制和电化学反应机理提出建立了添加阳极甲醇传质阻挡层的DMFC全电池模型,将集流板、扩散层以及传质阻挡层作为一个整体,并与常规结构电池模型在高浓度下进行仿真对比。此模型综合考虑电池内部的物质传输、电子和质子传输、热量传输以及电化学反应动力学,可以准确分析添加传质阻挡层之后的电池性能变化以及甲醇渗透、CO_2气体分布等影响性能的关键因素,并可以对电池组成结构进行优化。仿真结果表明阳极高浓度10.0 M甲醇在经过传质阻挡层缓冲之后浓度下降明显,到达催化层时为可正常工作且甲醇渗透影响小的2.0 M低浓度,高浓度下甲醇渗透造成的阴极过电位对电池性能的影响较常规结构电池模型小得多,通过对传质阻挡层的建模仿真得到不同孔隙率阻挡层对DMFC各种性能指标的影响,为后续实验提供理论依据。通过实验制备了不锈钢烧结毡作为阳极集流板-扩散层的阳极复合结构,优化电池结构的同时降低了甲醇渗透,电池极化数据表明此阳极复合结构显着提高了高甲醇浓度下电池的性能。使用SSFF(stainless steel fiber felt,SSFF)作为阳极扩散层和流场板,替代了在常规结构的膜电极组装中不可缺少的碳纸基阳极扩散层,简化了被动式DMFC燃料电池单元的结构。并且不锈钢毡的细密孔隙可以使阳极二氧化碳方便排气,防止气体堵塞气孔引起的反应物不足而造成性能损失。此复合结构优化了电池组成的同时为后续传质阻挡层的制备做了的铺垫。针对不同应用情况制定了不同的传质阻挡层制备方案。传质阻挡层的设计具有特殊的甲醇传质缓冲通道,可以提高催化层表面的氧气浓度、压强,从而有效改善电池性能和甲醇渗透现象。利用石墨烯-不锈钢毡(reduced graphene oxide-stainless steel fiber felt,rGO-SSFF)复合结构传质阻挡层的电池在7.0 M浓度下达到最大功率密度20.8 mW cm~(-2),而常规结构电池在3.0 M时达到最大值20.4 mW cm~(-2),在保持了稳定工作输出的前提下,提高了阳极的甲醇使用浓度从而提高被动式DMFC的能量密度。并针对不同应用情况采用不同复合方法进行讨论,在此基础上引入电沉积rGO-SSFF复合结构。由rGO-SSFF电沉积组装的μDMFCF在传质阻挡层较薄的情况下使用。最后设计了一种高性能的具有阴极返水层的被动式μDMFC电池。分析了阴极返水结构、材料的厚度、孔隙率以及憎水性等参数对高浓度下被动式DMFC性能的影响,改进之后的电池水传输系数低于正常电池的1/3,这表明rGO-SSFF可以减少从阳极到阴极渗透的水通量,避免水淹现象。rGO-SSFF作为阴极扩散层和集流板的被动式DMFC单电池,可以提高阴极氧的传质效率,使阴极还原反应速度更快,其峰值功率密度比常规结构电池放电时间增加了20%。本文针对阴极水的传质同样做阻挡层的添加,在不影响阴极氧气传输的前提下,提高阴极一侧的水压,最终实现电池内部返水的效果,进一步增加高浓度下DMFC的使用浓度。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-03-01）
李胜利[8]（2019）在《基于石墨烯扩散阻挡层的SAC305微焊点界面演变行为》一文中研究指出随着微电子行业无铅化进程的推进,Sn-Ag-Cu(SAC)系无铅钎料获得越来越多的认可。由于传统Sn-Pb钎料不能满足行业的要求,无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu(SAC305)的出现取代了Sn-Pb钎料并且应用于实际中。尽管SAC305无钎钎料具有良好的可焊性和力学性能,但是钎料与基板之间所形成界面金属间化合物(IMC)的粗化极大的降低了微焊点的可靠性。为了抑制界面IMC在焊接与时效过程中的过度生长,本文以熔炼的方式将Ni元素添加到SAC305钎料中,并使其在普通铜板(Cu)、高温处理铜板(H-Cu)和石墨烯铜板(G-Cu)叁种基板上进行润湿铺展形成微焊点。对无铅焊点的界面IMC层演变规律和体钎料的力学性能进行研究分析,为其进一步的实际运用提供充分的理论依据。分析了SAC305-Ni钎料在Cu、H-Cu和G-Cu叁种基板上焊点的可焊性。探讨了钎料合金中Ni元素的含量对微焊点润湿性的影响;并且分析了微焊点在不同焊接基板上的可焊性。结果表明:随着钎料合金中Ni元素的增加,微焊点在Cu、H-Cu和G-Cu基板上的铺展面积均表现出先升高后降低的趋势;SAC305-Ni微焊点在G-Cu基板上的铺展面积明显高于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu。通过焊点体钎料微观组织的演变行为分析了钎料中Ni元素以及焊接基板种类对其产生的影响。在G-Cu基板上焊点体钎料中,β-Sn的晶粒尺寸小于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点体钎料中β-Sn的晶粒尺寸,这一现象表明G-Cu基板表面上的石墨烯镀层对焊点体钎料的微观组织也产生了细化的作用。这种影响在Ni添加后更加突出。随着钎料中Ni含量的增加,SAC305-Ni/G-Cu焊点体钎料中的β-Sn数量急剧上升,共晶组织的面积减小。研究了钎料合金中Ni元素的添加对焊点界面IMC形貌的影响以及界面处IMC层在不同焊接基板的演变行为。钎料中Ni元素的添加导致界面IMC由Cu_6Sn_5转变为(Cu,Ni)_6Sn_5,并且(Cu,Ni)_6Sn_5的晶粒尺寸小于Cu_6Sn_5的晶粒尺寸。随着钎料合金中Ni含量的增加,SAC305-Ni焊点在Cu、H-Cu和G-Cu基板上的界面IMC层厚度呈先减小后增加的变化趋势。相比于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点,SAC305-Ni/G-Cu焊点界面IMC层的厚度最小。从微焊点体钎料的纳米硬度研究出发,分析了钎料合金Ni元素的添加和基板种类分别对微焊点体钎料硬度的影响。结果表明:钎料合金中Ni元素的添加对SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点体钎料的硬度影响很小。但是对于G-Cu基板上焊点体钎料的硬度而言,其值随Ni含量的增加而下降。此外,在SAC305-Ni/G-Cu焊点体钎料的硬度要小于SAC305-Ni在Cu和H-Cu基板上焊点体钎料的硬度。在等温时效的条件下,对微焊点界面IMC层和体钎料微观组织的演变进行了研究。探讨了焊点体钎料微观组织的演变对硬度产生的影响。SAC305-Ni钎料在Cu、H-Cu和G-Cu基板上焊点界面IMC层的总厚度随着时效时间的增加而增加。在时效过程中SAC305-Ni在叁种基板上焊点体钎料的微观组织都呈现出相同的变化规律,即β-Sn数量增加并且分布均匀,共晶组织的面积减小。由于在时效过程中界面处IMC的生长开始向体钎料中进行扩散,使体钎料中IMC相的数量明显增加,导致叁种基板上焊点体钎料的硬度得到提高。SAC305-Ni在G-Cu基板上焊点体钎料的硬度低于SAC305-Ni在Cu和H-Cu基板上焊点体钎料的硬度。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
张文静,张芹,杨亮,江莹,常春[9]（2019）在《基于Spiro-OMeTAD电子阻挡层的量子点发光二极管电荷平衡改善》一文中研究指出针对量子点发光二极管空穴传输层和电子传输层的迁移率差异而导致的电荷不平衡问题,将具有最低未占分子轨道高能级的有机聚合物Spiro-OMeTAD薄膜放置在空穴传输层与量子点发光层之间,阻挡过剩电子由量子点发光层向空穴传输层的传输,促进器件的电荷平衡,制备出一种高效的新型绿色量子点发光二极管。结果表明:相比于传统器件,新型绿色量子点发光二极管器件的外部量子效率提升了87%,达到11.87%,亮度提升了106%,达到53055cd/m~2;阻挡过剩电子的传输可以显着改善器件中的电荷不平衡现象。(本文来源于《光学学报》期刊2019年05期）
林虹宇,谢浩,王洋,陆宏波,孙艳[10]（2019）在《基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真》一文中研究指出在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度),并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40nm、掺杂浓度为2×10~(18) cm~(-3)时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60nm、掺杂浓度为4×10~(17) cm~(-3)时,器件的开关比最大。(本文来源于《光学学报》期刊2019年05期）
阻挡层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制叁甲基铝(TMAl)流量,分别获得EBL-1含有Al组分约20%、50%、80%的硅衬底GaN基黄光LED;随后使用半导体仿真软件Silvaco Atlas对这3种样品的实际测试内量子效率曲线进行拟合。结果表明,EBL-1中Al组分对内量子效率的影响主要体现在两方面:一是EBL-1的Al组分越高越有利于空穴从V形坑侧壁注入到多量子阱有源区;二是EBL-1中过高的Al组分会降低p型GaN晶体质量,导致空穴浓度下降;综合表现为Al组分约50%的EBL-1在这种双层电子阻挡层的设计下最有利于提高硅衬底GaN基黄光LED的内量子效率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
阻挡层论文参考文献
[1].张辉辉,刘玉岭,王辰伟,曾能源,王聪.复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用[J].半导体技术.2019
[2].胡耀文,高江东,全知觉,张建立,潘拴.电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响[J].发光学报.2019
[3].黄庆丰.金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响[J].集成电路应用.2019
[4].吴晓燕,谭维,罗才武,张晓文,李密.以MnFe_2O_4为阻挡层的Ni-YSZ阳极支撑SOFC的效能[J].材料导报.2019
[5].李荣斌,李旻旭,蒋春霞,李炳毅,李倩倩.AlCrTaTiZrMo高熵合金氮化物扩散阻挡层的制备与表征[J].表面技术.2019
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[7].薛瑞.微型直接甲醇燃料电池高浓度传质阻挡层技术研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[8].李胜利.基于石墨烯扩散阻挡层的SAC305微焊点界面演变行为[D].哈尔滨理工大学.2019
[9].张文静,张芹,杨亮,江莹,常春.基于Spiro-OMeTAD电子阻挡层的量子点发光二极管电荷平衡改善[J].光学学报.2019
[10].林虹宇,谢浩,王洋,陆宏波,孙艳.基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真[J].光学学报.2019
论文知识图
