垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究

论文摘要

为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波长具有线性对应关系。设计了腔模位置在890. 5 nm的VCSEL外延片结构,经工艺制备得到了85℃高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的VCSEL芯片。实验结果表明,通过调控腔模位置可得到目标波长激光输出的VCSEL芯片,该研究为研制其他波段稳定波长激光输出的垂直腔面发射激光器奠定了基础。

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类型: 期刊论文

作者: 梁静,贾慧民,苏瑞巩,唐吉龙,房丹,冯海通,张宝顺,魏志鹏

关键词: 垂直腔面发射半导体激光器,腔模位置,输出波长,光学厚度,反射带宽

来源: 兵工学报 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 长春理工大学理学院高功率半导体激光器国家重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

基金: 国家重点研发计划项目(2017YFB0402800),国家自然科学基金项目(61504010,61504022),吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20160519007JH),吉林省科技厅重大科技招标专项项目(20160203015GX)

分类号: TN248.4

页码: 2482-2487

总页数: 6

文件大小: 314K

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