脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究

脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究

论文摘要

陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验,通过对陶瓷击穿过程的分析和对比,研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示,不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7μs之内,典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成;第二阶段对应于晶界击穿;第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示,晶粒击穿过程的持续时间最长,晶界次之,气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下,样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。

论文目录

  • 1 实验方法
  • 2 结果与讨论
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 祝志祥,张强,朱思宇,卢成嘉,刘艺,杨佳,吴超峰,曹林洪,王轲,高志鹏,朱承治

    关键词: 陶瓷,多晶材料,击穿过程,脉冲电压

    来源: 无机材料学报 2019年07期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工

    单位: 全球能源互联网研究院有限公司电工新材料研究所先进输电技术国家重点实验室,西南科技大学材料科学与工程学院,中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,清华大学材料科学与工程学院,国网浙江省电力有限公司

    基金: 国家电网公司科技项目(52110417000S)~~

    分类号: TQ174.75

    页码: 715-720

    总页数: 6

    文件大小: 434K

    下载量: 115

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