导读:本文包含了反应离子刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:抛光,聚酰亚胺,光刻胶,反应离子刻蚀
反应离子刻蚀论文文献综述
杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云[1]（2019）在《聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光》一文中研究指出为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年02期）
张婷,郭永刚,屈小勇,陈璐,王举亮[2]（2017）在《多晶硅的反应离子刻蚀(RIE)制绒绒面研究》一文中研究指出实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射Si Nx膜沉积困难。所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年10期）
赵金茹,蒋大伟,陈杰[3]（2017）在《反应离子刻蚀硅槽工艺研究》一文中研究指出在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法。该方法能够制作出深度6μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发。(本文来源于《电子与封装》期刊2017年09期）
蔡兴广[4]（2017）在《反应离子刻蚀机自动控制系统设计》一文中研究指出当今在移动互联网、云计算、大数据、物联网等新兴应用领域的带动下,全球半导体产业呈现持续增长的势头。随着半导体工艺中新材料、新结构的提出及特征尺寸的精细化要求也同时让半导体设备制造面临着新的技术挑战。半导体设备成本较大,给我国的半导体工业化进程造成了一部分成本压力,其中面向科学研究的应用型半导体设备也在朝着小型化和嵌入式化方向靠近。反应离子刻蚀设备是极大规模集成电路制造的几大关键设备之一,反应离子刻蚀设备在科学研究中发挥着不可或缺的作用。反应离子刻蚀原理是,当在平板电极之间施加10~100MHz的高频电压时会产生数百微米厚的离子层,在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成反应蚀刻。本文基于刻蚀原理,进行了反应离子刻蚀机的搭建工作,完成了设备电气控制电路及控制软件的编写,进行了反应离子刻蚀的相关实验。同时也实践研究了基于嵌入式的低成本控制系统在小型反应离子刻蚀机当中的应用。本文基于反应离子刻蚀机理,前期进行了设备控制系统的搭建工作。基于数据采集板卡及工控机完成了信号采集及模块通讯工作,基于LabVIEW软件编写了设备控制程序,并整合部分自动工艺流程,搭建完成设备系统。基于实践应用的设备系统,本文进一步采用基于STM32F107芯片的工控板,整合电源配电、信号采集及模块通讯于一体,完成了一体化机柜的设计。并整合设备核心模块,完成了设备电气控制部分的硬件搭建工作。基于μC/OS-II实时操作系统进行模块通讯及控制软件的编写。形成了触摸控制交互、多任务操作、实时通讯、低成本的设备特色,并检验其系统性能,进行了实际应用。(本文来源于《燕山大学》期刊2017-05-01）
常梦洁,刘俊,王花,李会录[5]（2017）在《应用反应离子刻蚀技术的静电纺纳米纤维阵列制备》一文中研究指出为开发一种简便、高效制备功能纳米纤维阵列的方法,结合静电纺丝和反应离子刻蚀技术制备了有序纳米纤维阵列。研究了纤维膜厚度、掩膜尺寸对形成纤维阵列微结构的影响,初步考察了纤维阵列作为细胞培养基底的生物相容性。研究结果表明:以铜网为掩膜,用氧等离子体刻蚀聚苯乙烯纳米纤维膜,制备了有序的纳米纤维阵列;纤维阵列的结构和尺寸可调,当刻蚀经30 min和120 min静电纺丝制备的纤维膜时,分别形成了二维有序网格阵列和叁维鸟巢结构;在形成的叁维纤维结构上培养成纤维细胞(NIH3T3)发现,细胞在叁维纤维基底上容易贴壁、生长,纤维阵列具有高的生物相容性。(本文来源于《纺织学报》期刊2017年04期）
李浩,付志兵,王红斌,易勇,黄维[6]（2017）在《反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列》一文中研究指出采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在SiO_2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年01期）
董圣为,邱克强,付绍军[7]（2016）在《反应离子束刻蚀石英同质掩模制作小阶梯光栅》一文中研究指出离子束刻蚀作为真空技术的一种重要应用,已广泛运用于现代微电子器件和微光学器件的制作工艺中。本文结合反应离子束刻蚀与全息光刻技术,针对线密度较低的小阶梯光栅,倾斜刻蚀石英同质掩模,制作了叁种在紫外光和可见光波段透射闪耀的小阶梯光栅。第一种光栅线密度为360lp/mm,闪耀角16.8°,在325nm波长的透射衍射效率为74%;第二种和第叁种光栅线密度均为400lp/mm,闪耀角为34.7°和43°,其在632.8nm波长的透射衍射效率分别为63%和57%。结果表明,使用CHF_3作为刻蚀气体的反应离子束刻蚀石英同质掩模,所制作的小阶梯光栅在其工作波段透射闪耀的衍射效率为理论值的75%以上,为全息离子束制作低线密度大闪耀角的光栅提供参考。(本文来源于《真空》期刊2016年06期）
金磊,李玉芳,沈鸿烈,蒋晔,杨汪扬[8]（2017）在《反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究》一文中研究指出结合SiO_2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅,利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层,优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al_2O_3薄膜,并对样品进行快速热退火处理。结果表明,采用低浓度的NaOH溶液可以完全去除损伤层,在保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑;经450℃快速热退火后少子寿命达到29.34μs,表面复合速率为306cm·s-1,在可见光范围内平均反射率降至7.12%。(本文来源于《光学学报》期刊2017年02期）
刘学勤,董安平[9]（2016）在《硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究》一文中研究指出评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。(本文来源于《电子与封装》期刊2016年09期）
郭立建,韩军,邢艳辉,王凯,赵康康[10]（2016）在《反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响》一文中研究指出通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(SF6和O2)流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤(凹陷坑和锥形坑)。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0~50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年05期）
反应离子刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射Si Nx膜沉积困难。所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应离子刻蚀论文参考文献
[1].杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云.聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光[J].光学精密工程.2019
[2].张婷,郭永刚,屈小勇,陈璐,王举亮.多晶硅的反应离子刻蚀(RIE)制绒绒面研究[J].人工晶体学报.2017
[3].赵金茹,蒋大伟,陈杰.反应离子刻蚀硅槽工艺研究[J].电子与封装.2017
[4].蔡兴广.反应离子刻蚀机自动控制系统设计[D].燕山大学.2017
[5].常梦洁,刘俊,王花,李会录.应用反应离子刻蚀技术的静电纺纳米纤维阵列制备[J].纺织学报.2017
[6].李浩,付志兵,王红斌,易勇,黄维.反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列[J].人工晶体学报.2017
[7].董圣为,邱克强,付绍军.反应离子束刻蚀石英同质掩模制作小阶梯光栅[J].真空.2016
[8].金磊,李玉芳,沈鸿烈,蒋晔,杨汪扬.反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究[J].光学学报.2017
[9].刘学勤,董安平.硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究[J].电子与封装.2016
[10].郭立建,韩军,邢艳辉,王凯,赵康康.反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响[J].半导体技术.2016