论文摘要
碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO2）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力。在传统的SiC MOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率。利用该模型讨论了SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间。随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周郁明,穆世路,蒋保国,王兵,陈兆权
关键词: 载流子迁移率,电流应力,界面态电荷,泄漏电流,碳化硅
来源: 电子科技大学学报 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室
基金: 国家自然科学基金(11575003)
分类号: TN386
页码: 947-953
总页数: 7
文件大小: 1674K
下载量: 139
相关论文文献
- [1].基于第一性原理的碳化硅界面态机制研究进展[J]. 智能电网 2016(05)
- [2].CCD栅复合介质厚度对界面态的影响[J]. 半导体光电 2008(06)
- [3].电荷泵技术在CMOS工艺中的应用研究[J]. 微电子学 2012(05)
- [4].用电容和电导测量法研究SiNx/nc-Si/SiNx双势垒结构界面特性[J]. 韩山师范学院学报 2011(03)
- [5].p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响[J]. 物理学报 2011(08)
- [6].利用高频C-V特性评价CMOS工艺[J]. 半导体技术 2010(04)
- [7].类石墨烯复杂晶胞光子晶体中的确定性界面态[J]. 物理学报 2017(22)
- [8].原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究[J]. 固体电子学研究与进展 2016(02)
- [9].氢气在金属合金制程中对MOSFET界面态的影响[J]. 科技视界 2014(09)
- [10].一维光子晶体异质结的界面态研究[J]. 首都师范大学学报(自然科学版) 2019(05)
- [11].碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究[J]. 智能电网 2015(02)
- [12].种子层对TiO_2纳米棒阵列取向生长及界面态的影响[J]. 高等学校化学学报 2011(04)
- [13].MOS结构电容高频C-V特性的应用[J]. 半导体技术 2010(01)
- [14].硅片表面粗糙度对界面态的影响[J]. 电子科技 2013(09)
- [15].面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究[J]. 中国科学:物理学 力学 天文学 2016(10)
- [16].硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型[J]. 科技创新导报 2009(03)
- [17].SiO/SiO_2超晶格结构界面发光的研究[J]. 光谱学与光谱分析 2009(05)
- [18].Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷[J]. 功能材料与器件学报 2008(05)
- [19].1200V碳化硅MOSFET设计[J]. 固体电子学研究与进展 2016(06)
- [20].氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为[J]. 太赫兹科学与电子信息学报 2017(04)
- [21].N_2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究[J]. 电子器件 2011(01)
- [22].激光辐照加工的硅氧化结构的受激发光(英文)[J]. 贵州科学 2008(01)
- [23].1700V碳化硅MOSFET设计[J]. 固体电子学研究与进展 2014(06)
- [24].界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究[J]. 西华大学学报(自然科学版) 2014(01)
- [25].原子层沉积Al_2O_3/n-GaN MOS结构的电容特性[J]. 物理学报 2013(19)
- [26].基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)[J]. 半导体技术 2008(11)