Pr3+离子单掺LiLuF4单晶的坩埚下降法生长及光谱性能研究（英文）

论文摘要

本文应用坩埚下降法技术在全密封铂金坩埚条件下生长了不同Pr3+离子掺杂浓度的高质量LiLuF4单晶.测定了单晶体从420 nm至500 nm的激发光谱.在446 nm光激发下,观察到单晶体480 nm（3P0→3H4）蓝色发射带、522 nm（3P1→3H5）绿色发射及605nm（1D2→3H4）的红色发射,其对应的平均寿命分别为38.5、37.3和36.8μs.其荧光寿命明显大于Pr3+掺杂的氧化物单晶.同时研究了激发波长和掺杂浓度对发射强度以及色度坐标的影响.获得最佳的Pr3+浓度为～0.5 mol%,并分析了环境温度从298 K到443 K变化对荧光强度的影响.结果表明随着温度的增加,荧光强度逐步变弱,其中3p0→3H4（480 nm）能级跃迁受温度影响最大,其次是3p1→3H5和1D2→3H4.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 方立志,周雄,夏海平,胡建旭,章践立,陈宝玖

关键词: 离子,单晶,光学性能

来源: Chinese Journal of Chemical Physics 2019年06期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 化学,有机化工

单位: 宁波大学光电子功能材料重点实验室,大连海事大学物理系

基金: supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51772159),the Natural Science Foundation of Zhejiang Province(No.LZ17E020001),K.C.Wong Magna Fund in Ningbo University

分类号: O782;TQ422

页码: 661-666

总页数: 6

文件大小: 1752K

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