导读:本文包含了无析出带论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Mg-Gd-Nd合金,电子显微结构,晶界无析出带,空位损耗
无析出带论文文献综述
谢中柱,孙威,付建强,张泽[1]（2007）在《Mg-Gd-Nd合金中晶界无析出带的电子显微镜研究》一文中研究指出本文研究了高频感应炉熔炼的Mg-Gd-Nd合金在200℃等温时效过程中晶界无析出带(PFZ)的形成和生长。通过透射电镜观察并结合能谱分析发现,晶界PFZ形成初期受空位损耗控制。随着时效时间的延长,晶界析出相粗化,晶界PFZ的宽度增加,PFZ的成长逐渐转变为受溶质损耗影响。当PFZ中稀土溶质原子浓度近似达到200℃合金中该元素的平衡含量时,PFZ宽度最终达到其极限值,约为275nm。(本文来源于《电子显微学报》期刊2007年06期）
董尚利,崔约贤,茅建富,来忠红,杨德庄[2]（1994）在《SiCw／Al－Li复合材料中界面无析出带的TEM观察》一文中研究指出ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料中界面无析出带的ＴＥＭ观察董尚利，崔约贤，茅建富，来忠红，杨德庄（哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨１５０００１）本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术，研究了压铸法制备的１５Ｖｏｌ％ＳｉＣｗ／Ａｌ－２．１８ｗｔ...(本文来源于《电子显微学报》期刊1994年06期）
董尚利,崔约贤,茅建富,来忠红,杨德庄[3]（1994）在《SiCw/Al-Li复合材料中界面无析出带的TEM观察》一文中研究指出本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术,研究了压铸法制备的15Vol%SiCw/Al-2．18wt．%Li -2．10wt．%Cu-0．80wt．%Mg-0．13wt．%Zr 复合材料在不同时效条件下(530℃固溶处理0．5hr,190℃时效5hr、30hr、50hr、75hr)的界面无沉淀析出带(PFZ),并对其可能的形成原因进行了讨论。δ′相(Al_3Li)是铝锂合金中的主要强化相,具有 LI_2型的超点阵结构,与基体保持应变很小的共格关系,其(本文来源于《第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）》期刊1994-10-01）
李仁顺,王佐义[4]（1994）在《2091Al－Li合金晶界无析出带的形成及其对应力腐蚀的影响》一文中研究指出用慢应变速率拉伸试验研究不同冷却介质淬火并时效的２０９１合金的应力腐蚀敏感性．用透射电镜观察合金的微观组织．结果表明，晶界无析出带（ＰＦＺ）随淬火速度的提高而变窄；而时效过程中，随着晶界沉淀相的形核和长大，ＰＦＺ逐渐宽化．这说明，时效初期，ＰＦＺ是由空位贫化机制形成的；而伴随时效过程的进行，ＰＦＺ又以溶质贫化机制产生宽化．ＰＦＺ宽度越大，合金应力腐蚀敏感性越大．(本文来源于《金属学报》期刊1994年10期）
无析出带论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料中界面无析出带的ＴＥＭ观察董尚利，崔约贤，茅建富，来忠红，杨德庄（哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨１５０００１）本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术，研究了压铸法制备的１５Ｖｏｌ％ＳｉＣｗ／Ａｌ－２．１８ｗｔ...
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
无析出带论文参考文献
[1].谢中柱,孙威,付建强,张泽.Mg-Gd-Nd合金中晶界无析出带的电子显微镜研究[J].电子显微学报.2007
[2].董尚利,崔约贤,茅建富,来忠红,杨德庄.SiCw／Al－Li复合材料中界面无析出带的TEM观察[J].电子显微学报.1994
[3].董尚利,崔约贤,茅建富,来忠红,杨德庄.SiCw/Al-Li复合材料中界面无析出带的TEM观察[C].第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）.1994
[4].李仁顺,王佐义.2091Al－Li合金晶界无析出带的形成及其对应力腐蚀的影响[J].金属学报.1994
标签：Mg-Gd-Nd合金; 电子显微结构; 晶界无析出带; 空位损耗;