导读:本文包含了激光烧蚀沉积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光,脉冲,纳米,薄膜,胞嘧啶,偏压,晶粒。
激光烧蚀沉积论文文献综述
宗煜[1]（2014）在《脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒空间分布的电流信号研究》一文中研究指出本工作利用了数字示波器对脉冲激光烧蚀过程进行监测。在靶前1.5cm处放置一中心带孔的挡板以用来获取沿靶前轴向运动的烧蚀产物，挡板后放置一电极板用来接收传输过来的烧蚀粒子，由于粒子带电，产生的电流被电路中的示波器采集。通过分析不同背景气体压强下的电流信号，结果证实了电流信号的各个峰所代表的意义。结果显示，极板与靶距离为2.5cm时，极板上所接收的纳米硅晶粒数目最多。在空间上随着偏离靶轴向角度的增加，纳米硅晶粒的数目越来越小。为了验证电流信号所得规律的正确性，设计了加入棒状电极引入了一个散射电场对烧蚀过程影响的实验。在距离靶前水平方向放置了半圆石英玻璃托，以用来放置衬底制备薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼散射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行了内部结构和形貌进行了表征。实验结果表明在散射电场的影响下纳米硅晶粒平均尺寸分布变宽。利用MATLAB对引入散射电场之后进行数值模拟分析，分析结果与实验结果规律一致。本工作通过新的检测手段对烧蚀过程进行检测，并提出了一种新的实验手段对其进行验证，为更好的控制纳米硅晶粒薄膜的平均尺寸提供了一定的依据。(本文来源于《河北大学》期刊2014-06-01）
王绍朋,冯国英,段涛,韩敬华[2]（2013）在《激光烧蚀硅过程中的元素沉积规律》一文中研究指出激光在半导体加工行业(特别是硅材料)具有广阔的应用前景。激光与硅作用过程极其复杂,本文主要研究了紫外激光脉冲对硅进行烧蚀的形貌特征以及环境气体的影响。研究表明,紫外激光烧蚀硅产生激光等离子体的电离效应对烧蚀特性起了决定性的影响:气化、电离物的产生为材料的去除提供了条件,同时激光等离子体冲击波会把相变材料有效排出,激光等离子体光谱的电离效应则把空气中的氧元素有效电离并沉积到烧蚀产物中。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2013年02期）
郝艳玲,张星,方炎[3]（2010）在《胞嘧啶在沉积激光烧蚀Ag纳米颗粒电极上的SERS分析》一文中研究指出用Nd:YAG激光器在二次去离子水中烧蚀银片,制备出了尺度分布均匀、并且具有很好的稳定性的"化学纯净"的Ag胶体系,并在电化学体系中将这种银胶沉积在粗糙的银电极表面,研究了胞嘧啶分子吸附在沉积Ag纳米颗粒电极表面随电极电位改变的表面增强拉曼光谱(SERS)。分析表明:(1)沉积银纳米颗粒的电极将金属电极与金属溶胶体系各自的优势很好的结合起来,形成了一种高效的SERS活性基底。(2)胞嘧啶在沉积银颗粒的电极表面以N3位竖直吸附,并且随着电位的负移,大多数SERS峰的位置发生了红移,表明胞嘧啶在电极表面吸附作用减弱。(本文来源于《光谱实验室》期刊2010年05期）
许宁,赖菊水,沈轶群,吴嘉达,孙剑[4]（2009）在《脉冲激光烧蚀沉积合成ZnSe纳米线及其光电特性研究》一文中研究指出ZnSe是一种宽带隙(2.7 eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,可广泛应用于蓝绿光波段发光器件、光电探测器件、光波导器件、太阳能电池等光电器件。大容量高密度光通讯和信息处理技术发展的必然要求光源、光电探测器件、Q开关等光学器件的小型化;近年来,构造一维纳米结构光电子材料相关技术获得了较多的关注和广泛的研究。一维ZnSe纳(本文来源于《第八届全国光学前沿问题讨论会论文集》期刊2009-11-08）
谭新玉,张端明,李智华,关丽,李莉[5]（2005）在《纳秒脉冲激光沉积薄膜过程中的烧蚀特性研究》一文中研究指出研究了高能短脉冲激光薄膜制备的整个烧蚀过程.首先建立了基于超热理论的烧蚀模型,然后利用较为符合实际的高斯分布表示脉冲激光输入能量密度,给出了考虑蒸发效应不同阶段的烧蚀状态方程.结合适当的边界条件,以Si靶材为例,利用有限差分法得到了靶材在各个阶段温度随时间和烧蚀深度的演化分布规律及表面蒸发速度与烧蚀深度在不同激光辐照强度下随时间的演化规律.结果表明,在脉冲激光辐照阶段,靶材表面的蒸发效应使得靶材表面温度上升显着放缓;在激光辐照强度接近相爆炸能量阈值时,蒸发速度与蒸发厚度的变化由于逆流现象将显着放缓.还得到了考虑了熔融弛豫时间及蒸发效应的固-液界面随时间的演化方程,这一结论较先前工作更具有普适性.(本文来源于《物理学报》期刊2005年08期）
闫常瑜,周阳,褚立志,武德起,王晓菲[6]（2005）在《氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响》一文中研究指出采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响.结果表明,当环境气压小于50Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大.指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关.(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊2005年01期）
王英龙,张荣梅,傅广生,彭英才,孙运涛[7]（2004）在《环境气压对脉冲激光烧蚀沉积纳米Si薄膜表面粗糙度的影响》一文中研究指出薄膜表面粗糙度是表征薄膜质量的重要指标 ,为了探求环境气压对脉冲激光烧蚀沉积纳米Si薄膜表面粗糙度的影响 ,采用XeCl脉冲准分子激光器 ,分别在惰性气体氦气和氩气的不同气压环境下烧蚀沉积了纳米Si薄膜 ,用TencorInstrumentsAlpha Step 2 0 0台阶仪对相应薄膜的表面粗糙度进行了测量。结果表明 ,薄膜表面粗糙度开始随着气压的增大而逐渐增加 ,在达到一最大值后便随着气压的增大而减小。由不同气体环境下的结果比较可以看出 ,充氩气所得Si薄膜表面粗糙度比充氦气的小 ,最大粗糙度强烈地依赖于气体种类。对于原子质量较大的氩气而言 ,其最大粗糙度仅比低气压时高出 11% ,而对于原子质量较小的氦气来说 ,其最大粗糙度比低气压时高出314 %。(本文来源于《中国激光》期刊2004年06期）
张荣梅,王英龙[8]（2003）在《脉冲激光烧蚀沉积纳米Si膜动力学研究现状》一文中研究指出Si基纳米材料在半导体光电集成领域有着十分诱人的前景 ,脉冲激光烧蚀技术是目前材料界和分析界最有前景的技术之一 .介绍了脉冲激光烧蚀沉积Si基纳米材料的基本原理 ,从实验和理论方面对其动力学研究现状进行了综述(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊2003年03期）
孙运涛[9]（2003）在《纳米碳化硅的脉冲激光烧蚀沉积及其光学特性研究》一文中研究指出本工作采用脉冲激光烧蚀沉积技术在低温和较低激光能量条件下沉积了非晶碳化硅(SiC)薄膜，对SiC薄膜的真空热退火和激光退火晶化特性进行了较系统研究。采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)和紫外-可见透射光谱(UV-VIStransmission)等检测技术对所沉积和退火后的薄膜表面形貌、微结构和光学特性进行了表征和分析。在850℃以上温度下，采用真空热退火技术实现了SiC薄膜非晶态向纳米晶的转化，随退火温度增加，SiC薄膜的光学透过率及其光学带隙不断增加，SiC薄膜有序度不断提高，采用量子限制效应解释了退火薄膜的光学特性。研究了激光能量密度对非晶SiC薄膜特性的影响，采用快速熔化模型，初步讨论了非晶SiC激光退火晶化机制。引入金属Fe诱导晶化技术在相对低温下获得了SiC的纳米定向晶化，采用能量最小原理对金属诱导SiC纳米定向生长的微观机制进行了初步分析。(本文来源于《河北大学》期刊2003-06-01）
郭建,杨益民[10]（2002）在《直流偏压对脉冲激光烧蚀沉积非晶碳膜的影响》一文中研究指出在不同的负直流衬底偏压下 ,用脉冲激光沉积法在单晶 Si和 K9玻璃衬底上沉积水晶碳膜。用扫描电镜观察膜的表面形貌 ;用椭偏法测量沉积在 K9玻璃上的膜的厚度和折射率 ;显微硬度相对于硅衬底测量 ;对沉积在硅衬底上的膜进行了 Raman光谱分析 ,光谱表现为 3个峰。在激光能量相同时 ,线宽随偏压不同而不同 ,膜的硬度随偏压不同而不同。(本文来源于《光电子·激光》期刊2002年10期）
激光烧蚀沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
激光在半导体加工行业(特别是硅材料)具有广阔的应用前景。激光与硅作用过程极其复杂,本文主要研究了紫外激光脉冲对硅进行烧蚀的形貌特征以及环境气体的影响。研究表明,紫外激光烧蚀硅产生激光等离子体的电离效应对烧蚀特性起了决定性的影响:气化、电离物的产生为材料的去除提供了条件,同时激光等离子体冲击波会把相变材料有效排出,激光等离子体光谱的电离效应则把空气中的氧元素有效电离并沉积到烧蚀产物中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激光烧蚀沉积论文参考文献
[1].宗煜.脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒空间分布的电流信号研究[D].河北大学.2014
[2].王绍朋,冯国英,段涛,韩敬华.激光烧蚀硅过程中的元素沉积规律[J].光谱学与光谱分析.2013
[3].郝艳玲,张星,方炎.胞嘧啶在沉积激光烧蚀Ag纳米颗粒电极上的SERS分析[J].光谱实验室.2010
[4].许宁,赖菊水,沈轶群,吴嘉达,孙剑.脉冲激光烧蚀沉积合成ZnSe纳米线及其光电特性研究[C].第八届全国光学前沿问题讨论会论文集.2009
[5].谭新玉,张端明,李智华,关丽,李莉.纳秒脉冲激光沉积薄膜过程中的烧蚀特性研究[J].物理学报.2005
[6].闫常瑜,周阳,褚立志,武德起,王晓菲.氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响[J].河北大学学报(自然科学版).2005
[7].王英龙,张荣梅,傅广生,彭英才,孙运涛.环境气压对脉冲激光烧蚀沉积纳米Si薄膜表面粗糙度的影响[J].中国激光.2004
[8].张荣梅,王英龙.脉冲激光烧蚀沉积纳米Si膜动力学研究现状[J].河北大学学报(自然科学版).2003
[9].孙运涛.纳米碳化硅的脉冲激光烧蚀沉积及其光学特性研究[D].河北大学.2003
[10].郭建,杨益民.直流偏压对脉冲激光烧蚀沉积非晶碳膜的影响[J].光电子·激光.2002
论文知识图
