导读:本文包含了等离子体显示板论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:碳纳米管,放电延迟时间,着火电压,保护层
等离子体显示板论文文献综述
邓江,王小菊[1]（2016）在《碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究（英文）》一文中研究指出采用喷涂法在等离子体显示面板(AC PDP)的Mg O保护层上喷涂碳纳米管(CNTs)作为功能层,研究该复合型保护层的可见光透过率和放电性能。结果表明,CNTs/Mg O保护层的可见光透过率超过80%。且与纯Mg O保护层相比,CNTs/Mg O保护层单元的着火电压和放电延迟时间明显降低。在100 torr、10%Xe+Ne的放电条件下,CNTs/Mg O保护层的着火电压和放电延迟时间分别为263.5 V和270 ns,与纯Mg O保护层相比,分别降低了15%和26%。因此,CNTs/Mg O保护层在AC PDP中具有潜在的应用前景。(本文来源于《电子科技大学学报》期刊2016年01期）
戴凯[2]（2015）在《等离子体显示板介质保护层材料表面结构研究》一文中研究指出等离子体显示器(PDP)介质保护层材料性能的改善是提高PDP性能的一个关键因素。MgO薄膜作为PDP的传统介质保护层材料,其结构、特性参数等直接影响到PDP的显示效果以及器件性能和质量。如何改善和提高MgO薄膜的性能受到国内外学者的广泛关注和研究。目前对MgO介质保护层的理论研究主要集中于体结构,关于表面结构的模拟计算很少,但MgO表面结构具有重要的研究价值,因为实际MgO薄膜制备时会出现一定的结晶取向,而不同取向具有不同的能带结构。本文采用第一性原理研究了MgO不同晶面取向表面结构的电子特性,通过计算相应的能带结构、态密度以及电荷分布,从整体上分析各表面的性质以及掺杂、空缺对表面结构的影响。首先,计算了(100)面、(110)面、(111)面和氢化(111)面的电子结构,在分析其能带结构、态密度分布的基础上,利用二次电子发射系数近似公式估算了四种表面的Y值。结果表明,氢化(111)表面有最大的二次电子发射系数,尤其是Xe+轰击表面时仍有二次电子发射。氢化(111)面理论上可作为在高Xe、高气压工作气体下的PDP介质保护层材料优选取向。结合激子概念,计算了(100)面和(110)面的激子光谱,发现考虑电子空穴对作用后的吸收光谱在低能段会出现一些新的吸收峰,所有这些峰值都会伴随激子的作用。其次,研究了MgO各理想表面以及含V色心、F色心的空缺表面电子结构的变化情况。研究结果表明MgO表面可以通过形成F色心在导带和价带之间引入缺陷能级,从而减小电子激发所需能量,提高二次电子发射系数,进而降低采用高Xe工作气体的PDP放电单元的工作电压。论文详细研究了掺CaO、SiO和ZnO对MgO表面电子结构特性和二次电子发射的影响,发现用碱金属材料CaO、SiO或小禁带宽度氧化物ZnO来掺杂MgO表面,均能降低禁带宽度,使高Xe浓度、低工作电压的PDP成为可能。最后,尝试对双层材料结构进行相关的研究。结果表明,双层结构能显着减小禁带宽度,同时双层结构形成的界面对整个体系的应变和能带结构有重要影响,界面处会有较多的电子空穴堆积,电子跃迁更容易,有利于二次电子发射。(本文来源于《东南大学》期刊2015-04-01）
[3]（2014）在《工信部公开征集对《等离子体显示器件》等27项行业标准复审结论的意见》一文中研究指出按照行业标准复审计划,相关行业协会、标准化技术组织已完成了包装、电子等两个行业,共27项行业标准的复审工作,其中继续有效15项,拟修订11项,拟废止1项。其中,电子行业标准共19项,SJ/T 11378-2008《等离子体显示器件第3-1部分:机械接口》、SJ/T 11379-2008《等离子体显示器件第4部分:气候(本文来源于《信息技术与标准化》期刊2014年05期）
吴晓震,刘克富,区琼荣,李柳霞[4]（2012）在《改变纳秒脉冲驱动波形提高等离子体显示平板维持期光效的研究》一文中研究指出等离子体显示平板(PDP)作为自发光显示器件存在光效低、功耗大的问题。本文提出了一种新思路,利用快脉冲驱动改善PDP单元介质阻挡放电发光强度,提高电光转化效率。驱动源主要由低压信号经隔离放大后控制快速开关管开通、关断,实现正负几百伏双极纳秒脉冲输出。PDP工作在维持驱动期稳定放电状态下,测量了照度、相对红外辐射等特性参数。给出了上升沿和脉宽引起特性参数变化的曲线,以及硬开关阶段上升沿参数的选取的实验结果分析。研究表明,快上升沿脉冲有利于PDP单元放电过程紫外光充分激发并大大降低热效应,从而显着改善PDP的光效。(本文来源于《照明工程学报》期刊2012年04期）
吴晓震,刘克富,李柳霞,姜松[5]（2012）在《纳秒快脉冲提高等离子体显示平板光效研究》一文中研究指出目前等离子体显示平板(PDP)主要问题是光效不高。基于快脉冲驱动能显着提高介质阻挡放电光效的理论基础,提出了快脉冲驱动提高PDP光效的新思路。利用CPLD可控编程控制技术,通过控制快速开关MOSFET开通、关断,实现正负几百伏双极纳秒脉冲输出,使PDP工作在维持驱动期。实验测量了输入电功率及发光效率。给出不同上升沿、脉宽与光效的对应关系,分析硬开关阶段上升沿参数选取的参考值。试验表明,快上升沿脉冲驱动能够显着地改善PDP的发光效率。(本文来源于《电视技术》期刊2012年13期）
吴晓震[6]（2012）在《纳秒脉冲驱动等离子体显示平板提高光效研究》一文中研究指出目前,等离子体平板显示器(PDP)存在的主要问题是维持期白光光效过低,功耗过大。很高的热耗散不仅浪费能量,而且影响其使用寿命。基于快脉冲驱动能显着提高介质阻挡放电光效的理论基础,本文提出了一种提高PDP光效和能效的研究思路：利用快脉冲驱动改善PDP单元维持期介质阻挡放电发光强度,提高电光转化效率。本课题运用快脉冲技术自行设计纳秒脉冲驱动源实现正负300伏双极纳秒脉冲驱动PDP工作在单子场维持期。电源包括叁级电路单向传递信号,第一级,FPGA可控编程控制技术输出控制信号。第二级,多模光纤隔离电气连接并传递信号,再经电流放大和栅极辅助驱动输出开关管控制信号。第叁级,前级信号控制全桥高速MOSFET开通、关断输出300V双极纳秒脉冲。电源的输出按正负脉冲有无死区分为两种工作模式,两者均为ADS驱动方式中维持期单子场驱动模式：帧场频率50Hz,子场频率随脉宽变化而定,子场脉冲数为200。单子场内,输出峰值电流40安培,脉宽最小值为350ns、带载PDP上升沿最小值120ns。本课题设计不同实验方案驱动PDP模组工作在稳定放电状态下,测量了放电功率、白光光强相对值、特定波长红外辐射的强度以及照度值等光效评价参数。给出不同上升沿、脉宽、正负脉冲死区时间引起特性参数变化的曲线并利用快脉冲驱动介质阻挡放电提高光效的理论加以分析。综合对PDP单元放电机理分析和试验研究表明。第一,快上升沿脉冲驱动能够显着地改善PDP的发光效率,主要是能够提高172nm紫外辐射的强度。在500ns范围内,提高光效达13%/100ns,200ns上升沿的情况下比800ns的照度同比提高了2.9-5.0%。第二,PDP的脉宽应选择在800ns或以上,避开短脉冲低光效区,长脉宽有利于提高白光光效,在4-12μs范围内增长率为34.41x/μs(2%/μs)。第叁,适当增加正负脉冲死区时间,选取能效和光效最优点工作可以提高光效达32%。论文工作对维持期驱动波形的参数设计具有参考价值。(本文来源于《复旦大学》期刊2012-04-17）
刘加海,胡珺,蒋健平,王振华,顾智企[7]（2011）在《用于等离子体显示的蓝色荧光粉BaMgAl_(10)O_(17):Eu~(2+)发光特性表征的研究》一文中研究指出由于等离子体显示用蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的易老化,色坐标易变化的特有性质,用荧光粉的常规表征参数发光亮度和色度坐标来表征其发光特性,难以真正反映它的质量,是不合适的,依据彩色显示重现系统的有关理论,结合制备BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)工艺参数与其耐热和耐真空紫外线辐射稳定性的有关实验数据,建议采用色度坐标和Z刺激值两物理量表征BAM荧光粉的发光特性,可进一步科学客观反映其质量.(本文来源于《浙江大学学报(理学版)》期刊2011年02期）
杨兰兰,屠彦,李青,朱振华,王保平[8]（2010）在《荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究》一文中研究指出高氙浓度是提高等离体显示器亮度和发光效率的有效手段,但必须关注高氙比例对寻址放电延迟的影响。本文采用7英寸小屏实验平台研究氙比例增加对寻址放电延迟的影响,分析了氙比例增加,寻址电压和维持电压变化条件下,寻址放电的形成性延迟和统计性延迟的变化规律。研究结果表明寻址形成性延迟随寻址电压和维持电压的增加而减小,随氙比例的增加而增加,寻址形成性延迟时间与电子在一个平均自由程内获得的电场能量成反比。而寻址统计性延迟随寻址电压、维持电压的变化基本保持不变,随氙比例的变化规律性不明显,说明氙比例不是寻址统计性延迟的主要影响因素。研究表明荫罩式等离子体显示屏即使在50%氙比例时,仍可实现1.6μs的寻址。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2010年02期）
杨兰兰,屠彦,刘德龙,张雄,李青[9]（2010）在《荫罩式等离子体显示板条纹分布变化的研究》一文中研究指出采用基于粒子-蒙特卡罗模型的OOPIC-PRO软件对荫罩式等离子体显示板(PDP)的放电进行模拟,研究扫描电极宽度、氖氙混合气体比例、气压等参数变化对主放电区域及条纹分布的影响,并与高速ICCD相机拍摄的条纹分布进行比较分析。模拟和实验结果表明:随着电极宽度增加,主放电区域增大,条纹区域减小,放电效率降低;随着氙比例和气压的升高,主放电区域减小,条纹区域增大,放电效率提高。研究结果揭示了PDP放电单元中条纹区域的粒子能量适宜激发产生辐射紫外光子的氙谐振态和激发态粒子,这对提高PDP的放电效率乃至发光效率尤为关键。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2010年02期）
胡文波[10]（2009）在《彩色等离子体显示技术的最新进展》一文中研究指出介绍了彩色等离子体显示技术面临的主要任务,及近年来在单元结构、介质保护膜、荧光粉材料、驱动技术、等离子体管阵列显示等方面取得的最新进展及等离子体显示器(PDP)产业发展状况,并分析了PDP技术的未来发展趋势。(本文来源于《真空电子技术》期刊2009年06期）
等离子体显示板论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
等离子体显示器(PDP)介质保护层材料性能的改善是提高PDP性能的一个关键因素。MgO薄膜作为PDP的传统介质保护层材料,其结构、特性参数等直接影响到PDP的显示效果以及器件性能和质量。如何改善和提高MgO薄膜的性能受到国内外学者的广泛关注和研究。目前对MgO介质保护层的理论研究主要集中于体结构,关于表面结构的模拟计算很少,但MgO表面结构具有重要的研究价值,因为实际MgO薄膜制备时会出现一定的结晶取向,而不同取向具有不同的能带结构。本文采用第一性原理研究了MgO不同晶面取向表面结构的电子特性,通过计算相应的能带结构、态密度以及电荷分布,从整体上分析各表面的性质以及掺杂、空缺对表面结构的影响。首先,计算了(100)面、(110)面、(111)面和氢化(111)面的电子结构,在分析其能带结构、态密度分布的基础上,利用二次电子发射系数近似公式估算了四种表面的Y值。结果表明,氢化(111)表面有最大的二次电子发射系数,尤其是Xe+轰击表面时仍有二次电子发射。氢化(111)面理论上可作为在高Xe、高气压工作气体下的PDP介质保护层材料优选取向。结合激子概念,计算了(100)面和(110)面的激子光谱,发现考虑电子空穴对作用后的吸收光谱在低能段会出现一些新的吸收峰,所有这些峰值都会伴随激子的作用。其次,研究了MgO各理想表面以及含V色心、F色心的空缺表面电子结构的变化情况。研究结果表明MgO表面可以通过形成F色心在导带和价带之间引入缺陷能级,从而减小电子激发所需能量,提高二次电子发射系数,进而降低采用高Xe工作气体的PDP放电单元的工作电压。论文详细研究了掺CaO、SiO和ZnO对MgO表面电子结构特性和二次电子发射的影响,发现用碱金属材料CaO、SiO或小禁带宽度氧化物ZnO来掺杂MgO表面,均能降低禁带宽度,使高Xe浓度、低工作电压的PDP成为可能。最后,尝试对双层材料结构进行相关的研究。结果表明,双层结构能显着减小禁带宽度,同时双层结构形成的界面对整个体系的应变和能带结构有重要影响,界面处会有较多的电子空穴堆积,电子跃迁更容易,有利于二次电子发射。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体显示板论文参考文献
[1].邓江,王小菊.碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究（英文）[J].电子科技大学学报.2016
[2].戴凯.等离子体显示板介质保护层材料表面结构研究[D].东南大学.2015
[3]..工信部公开征集对《等离子体显示器件》等27项行业标准复审结论的意见[J].信息技术与标准化.2014
[4].吴晓震,刘克富,区琼荣,李柳霞.改变纳秒脉冲驱动波形提高等离子体显示平板维持期光效的研究[J].照明工程学报.2012
[5].吴晓震,刘克富,李柳霞,姜松.纳秒快脉冲提高等离子体显示平板光效研究[J].电视技术.2012
[6].吴晓震.纳秒脉冲驱动等离子体显示平板提高光效研究[D].复旦大学.2012
[7].刘加海,胡珺,蒋健平,王振华,顾智企.用于等离子体显示的蓝色荧光粉BaMgAl_(10)O_(17):Eu~(2+)发光特性表征的研究[J].浙江大学学报(理学版).2011
[8].杨兰兰,屠彦,李青,朱振华,王保平.荫罩式等离子体显示板寻址放电延迟时间的研究[J].真空科学与技术学报.2010
[9].杨兰兰,屠彦,刘德龙,张雄,李青.荫罩式等离子体显示板条纹分布变化的研究[J].真空科学与技术学报.2010
[10].胡文波.彩色等离子体显示技术的最新进展[J].真空电子技术.2009