导读:本文包含了陷阱效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:陷阱,效应,磨具,什邡,颗粒,载流子,特性。
陷阱效应论文文献综述
寇明婷,杨海珍,杨晓光[1]（2018）在《中国股票市场的“塔西陀陷阱”效应研究》一文中研究指出针对货币政策发布与股市反应的预期背离问题,识别并检验了中国股票市场的"塔西陀陷阱"效应.首先,基于政府信誉的形成机理,提出并界定股票市场的"塔西陀陷阱"效应,进而对其发生机理进行了分析.其次,借助事件研究方法,以事件窗口内"与预期相符合的收益率和与预期相背离的收益率的比值"作为"塔西陀陷阱"效应的衡量指标,对中国股票市场的"塔西陀陷阱"效应进行了实证检验.结果表明,中国股票市场存在"塔西陀陷阱"效应,且因政策工具、政策转向和政策发生时期的不同而不同.(本文来源于《系统工程学报》期刊2018年06期）
周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波[2]（2018）在《基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理》一文中研究指出陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80 nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT),并基于脉冲I-V测试和二维数值瞬态仿真对器件的动态特性进行了深入研究,分析了深能级陷阱对AlGaN/GaN MOSHEMT器件动态特性的影响以及相关陷阱效应的内在物理机制.结果表明,AlGaN/GaN MOSHEMT器件的电流崩塌随着栅极静态偏置电压的增加呈非单调变化趋势,这是由栅漏电注入和热电子注入两种陷阱机制共同作用的结果.根据研究结果推断,可通过改善栅介质的质量以减小栅漏电或提高外延材料质量以减少缺陷密度等措施达到抑制陷阱效应的目的,从而进一步抑制电流崩塌.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期）
王晨[3]（2018）在《有机太阳能电池载流子陷阱效应及相关器件物理的研究》一文中研究指出随着全球范围内的人口增加,人类对能源的需求量与日俱增。为了解决能源短缺与日益增加的能源需求之间的矛盾,科研界和工业界都在积极探索新的能源利用方式,其中就包括了对太阳能电池进行的大量研究。到目前为止,太阳能电池已发展到基于溶液加工工艺的第叁代水平。作为其中的典型代表,本体异质结结构有机薄膜太阳能电池以其成本低、可溶液旋涂成膜、可大批量卷对卷生产等独特优势在推进第叁代光伏技术革新中发挥出重要作用。随着人们对有机太阳能电池相关分子工程、界面工程和器件工艺的深入探索,众多新颖、高性能的有机给受体分子材料以及界面修饰材料被开发出来,用以改善活性层中的电荷产生以及界面处的电荷抽取等性质,电池光电性能得到了长足发展。与此同时,新型给体材料的不断丰富也促使科研人员将兴趣越来越多地集中到更深层工作机理的研究上。对电池内部多个复杂物理过程及其限制因素的理解和认识成为指导材料设计、工艺优化并进一步提高器件性能的关键。有机太阳能电池中的物理过程包含了激子生成并扩散、电荷转移、激子分离、载流子传输、载流子抽取和收集等。其核心是以分子之间的载流子传输为媒介的能量传递过程。在这个过程中,载流子很容易被分子局域态或界面缺陷态等所陷从而终止传输行为,这种陷阱效应及伴生的载流子复合损耗贯穿整个电池中的各个物理过程,造成传输到外电路的有效载流子数目减少,是制约电池效率提升的一个关键因素。本论文围绕这一问题展开研究,阐述有机太阳能电池活性层中的分子堆积,传输层、层-层界面处的结构缺陷对载流子陷阱效应的影响,并运用多种稳态和瞬态光电测试手段结合理论模拟对活性层以及电极界面处的陷阱态分布、电荷产生-输运-复合等过程进行系统研究。具体涵盖了一类基于苯并二噻吩共轭材料体系的活性层微观聚集结构优化及其内部载流子动力学机制的研究;另外针对ZnO这种极具潜力的电子传输层提出了一些新的掺杂改性和界面缺陷钝化的策略。最终我们在多个体系中均取得了较高的能量转换效率和储藏稳定性。本论文共分为以下叁部分工作,分别对应二、叁、四章的内容。第一部分工作:我们通过控制旋涂前溶液中的分子聚集、旋涂中的成膜速率以及旋涂后的薄膜处理,系统地优化了一种基于苯并二噻吩(BDT)共轭聚合物(PBDT-DTffBT)在活性层中的分子聚集结构,并对优化过程中相关载流子动力学问题进行了探讨。结果表明旋涂高温溶液避免超大无定形相的形成是制备光伏器件的先决条件,这与溶液状态下PBDT-DTffBT的温度依赖聚集行为有关。添加剂DIO的运用使薄膜内部形成纳米纤维的给受体互穿网络结构;而对活性层进一步后退火处理促成分子更加有序的π-π堆积、片层堆积,处于face-on取向的分子比例增加。通过多种稳态和瞬态光电实验结合数值模拟,我们发现这些微观聚集结构的优化促使带尾陷阱态密度分布向低能量区移动,有效增加了载流子传输速率,降低传输弥散性,抑制各种形式的载流子复合损失。制备的传统(正置)器件能量转换效率达到9.03%。进一步利用垂直相分离制备ZnO/PBDT-DTffBT:PCBM/Mo O3/Ag的倒置结构给出了75%的高填充因子和9.72%的器件效率。另外,我们还对比研究了一系列BDT基小分子的性质,结果表明分子共轭程度越高,活性层的结晶性越好,相分离尺寸和相连续性都有所改善,空穴迁移率最高提升1个数量级。制备的小分子器件开路电压达到1.04 V,填充因子超过65%。第二部分工作:我们针对ZnO纳米晶表面存在大量结构缺陷导致器件性能降低的问题,提出了等离子体敏化的ZnO纳米晶作电子传输层的策略。为此,我们合成了各向异性的Au纳米棒(AuNRs)对ZnO薄膜进行体掺杂,光致发光谱的研究显示,仅通过可见光辐照ZnO/AuNRs复合结构就可以有效抑制ZnO的缺陷荧光,这归因于等离子体激发的AuNRs产生“热电子”并转移到ZnO基质中填补了其电子陷阱态。对载流子迁移率、瞬态光电流、线性增压电荷抽取等性质的测量,表明陷阱填充的器件展现出更好的电荷输运和更长的载流子复合寿命。另一方面AuNRs还保留了原本的光散射效应从而提高了活性层的陷光。电学性能和光学性能的协同优化促使基于PTB7:PC_(71)BM电池的能量转换效率从7.91%提高到9.36%,器件的储藏稳定性也得到明显改善。第叁部分工作:我们利用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂后处理的方法实现了聚乙烯亚胺(PEI)超薄界面层的可控沉积,并以此修饰低温制备的ZnO电子传输层,有效钝化了ZnO表面的结构缺陷,基于多个活性层体系的电池最高效率达到10.35%。研究结果表明DMF对PEI的再溶解以及两种分子之间较强的氢键相互作用诱导PEI在ZnO表面重构,形成了一层超薄但均匀覆盖的PEI片层,这增加了PEI与ZnO相互作用的位点,对表面暴露的悬挂键、氧空位、吸附氧等产生更彻底的钝化效果。DMF后处理还增强了PEI的界面偶极效应,不仅有助于活性层向ZnO的电子注入,而且在阴极这一侧形成空穴耗尽,降低了载流子在电极界面处的复合几率。我们还发现经过DMF处理的器件,不需要高度精确地控制PEI层厚度,更有利于实际中的大面积生产。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
张雷[4]（2017）在《用新型智库干预“塔西佗陷阱”效应的思考分析》一文中研究指出本文对新形势下构建新型智库进行了思考,并对"塔西佗陷阱"效应进行了社会分析,提出当前在构建新型智库时,要突破传统思想教育的平面化模式,特别是在应对"塔西陀陷阱"带来的多重负面效应时,要积极发挥新型智库有效的干预性与纠错性,使之成为新时期新形势下的优势元素。(本文来源于《新西部(理论版)》期刊2017年19期）
张雷[5]（2017）在《“塔西佗陷阱”效应对大学生心理趋向的影响分析》一文中研究指出"塔西佗陷阱"成为当下一个聚焦性命题,它对大学生产生的心理趋向效应主要包括:隐性话语权的归属性;思想政治教育公信力的认同感;网络舆情生态的把控度等,综合分析这些问题成为当前疏解大学生心理困惑的突破点。(本文来源于《新西部》期刊2017年12期）
陈晓冬,杨翠,向培,刘鹏,邵晓鹏[6]（2017）在《光伏型InSb红外探测器瞬态特性界面陷阱效应》一文中研究指出界面陷阱会显着影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,随着界面陷阱密度的增加,界面附近的复合率和电场会随之增加,空穴浓度会减小,而在电流密度分布中出现了"黑洞",且该"黑洞"位置逐渐向pn结移动.此外,随着界面陷阱密度的增加,瞬态光响应会逐渐减小.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2017年03期）
李春雷,刘冰莹[7]（2014）在《塔西佗陷阱效应与传媒对社会困难群体的引导策略研究——基于“什邡事件”的实证分析》一文中研究指出在风险社会和媒介化社会的交织作用下,社会困难群体集体呈现出塔西佗陷阱式的条件反射,并日渐成为群体性事件频发的重要心理动因。本文基于"什邡事件"发生地的实证调查,以SPSS统计软件进行数据分析后发现,塔西佗陷阱效应具有丰富的内在逻辑;大众传媒对事件的错位呈现又助长了塔西佗陷阱效应在风险熟悉程度、风险恐惧程度和风险暴露程度上的影响,再造了更大的媒介化风险。因此,建构起制度化不信任作为良性政治环境中的关键一环必将成为传媒在新时期下的应然之举。(本文来源于《现代传播(中国传媒大学学报)》期刊2014年03期）
高云斌[8]（2013）在《SiC VDMOS器件结构设计及界面陷阱效应研究》一文中研究指出碳化硅（SiC）材料因其禁带宽度大、临界击穿电场高、载流子饱和速度高、热导率高等特点成为制作高频、大功率半导体器件的首选材料。由于SiC可以直接通过热氧化法生长SiO_2薄层，再结合垂直功率MOSFET（VDMOS）充分利用纵向厚度耐压及并联承载大电流的优势，成为功率器件领域的热门研究课题之一。然而，由于目前主流仿真软件中的器件相关模型都是针对Si材料设定，使得SiC器件的仿真设计与验证非常困难，因此大大阻碍了产品的研发与商业化进程。本文采用业界常用的Silvaco软件，由SiC半导体电学特性参数入手，对atlas中的载流子迁移率模型、雪崩击穿模型等进行了调整，同时利用由电荷泵测量法得到的SiC/SiO_2界面态相关信息，用C-函数编辑器生成界面陷阱连续分布模型。综合以上，以实测SiC VDMOS器件参数为基准，实现了其与仿真数据的较准确拟合，建立了可靠的atlas仿真体系。之后充分利用该平台，由电荷平衡原理入手，对MOS能带结构实施优化，提出并进行了SiC VDMOS新型结构的设计与验证，实现了器件比导通电阻的大幅减小。在SiC VDMOS工艺制程的难点之一，离子注入工艺方面，本文利用athena工具，重点采用蒙特卡洛模型优化了P型体区的多步离子注入工艺，获得了较为理想的结深与掺杂分布，并完成完整器件制造流程的仿真，之后成功利用atlas进行了电学特性验证。最后，本文介绍了电荷泵（charge-pumping）方法在SiC MOSFET界面特性分析中的应用，测试得出平均界面陷阱密度的数值，并且从衬底电流与栅极电压脉冲频率的关系验证了“慢陷阱”机制的存在。本文的工作有助于科研人员构建可靠、有效的SiC功率器件电学特性及工艺仿真平台，并采用较为精确的方法评估SiC MOSFET界面陷阱问题。另外，还引入了新的器件设计理念，实现了SiC VDMOS性能的大幅提升。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-01）
赵萍,王志伟,袁巨龙[9]（2011）在《半固着磨具“陷阱”效应影响因素分析》一文中研究指出以抛光后无表面损伤的单晶硅片为试件,以表面粗糙度Ra为指标,对半固着磨具的"陷阱"效应进行试验分析,讨论大颗粒浓度及尺寸、磨具硬度、加工载荷、磨具转速对"陷阱"效应的影响。研究结果表明:对一定尺寸的大颗粒,当大颗粒数量不超过临界值时,大颗粒可全部陷入,"陷阱"效应发挥;当大颗粒尺寸较大、磨具硬度较高、加工载荷较大时,不利于"陷阱"效应发挥。(本文来源于《中国机械工程》期刊2011年20期）
袁巨龙,汤科锋,王志伟,邓乾发,洪滔[10]（2009）在《大颗粒形状对半固着磨粒磨具“陷阱”效应影响的离散元仿真》一文中研究指出本文基于离散元的方法研究了不同顶角的大颗粒对半固着磨粒磨具"陷阱效应"的影响,在研究的过程中应用了PFC2D离散元软件,分别模拟了90°、120°和150°顶角的大颗粒,采集到大颗粒压入半固着磨粒磨具时受到的法向作用力和竖直位移之间的曲线图。由于半固着磨粒磨具内部布满了空隙,使得大颗粒能比较容易的陷入磨具中,减少了大颗粒对工件表面的损伤。通过以上大颗粒离散元模拟可知,半固着磨粒磨具"陷阱"效应持续的时间和大颗粒顶角大小成反比关系,即大颗粒的顶角越小,磨具"陷阱"效应持续时间越长,所以大颗粒的顶角大小是影响半固着磨粒磨具"陷阱"效应发挥的重要因素。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2009年06期）
陷阱效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80 nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT),并基于脉冲I-V测试和二维数值瞬态仿真对器件的动态特性进行了深入研究,分析了深能级陷阱对AlGaN/GaN MOSHEMT器件动态特性的影响以及相关陷阱效应的内在物理机制.结果表明,AlGaN/GaN MOSHEMT器件的电流崩塌随着栅极静态偏置电压的增加呈非单调变化趋势,这是由栅漏电注入和热电子注入两种陷阱机制共同作用的结果.根据研究结果推断,可通过改善栅介质的质量以减小栅漏电或提高外延材料质量以减少缺陷密度等措施达到抑制陷阱效应的目的,从而进一步抑制电流崩塌.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
陷阱效应论文参考文献
[1].寇明婷,杨海珍,杨晓光.中国股票市场的“塔西陀陷阱”效应研究[J].系统工程学报.2018
[2].周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波.基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理[J].物理学报.2018
[3].王晨.有机太阳能电池载流子陷阱效应及相关器件物理的研究[D].吉林大学.2018
[4].张雷.用新型智库干预“塔西佗陷阱”效应的思考分析[J].新西部(理论版).2017
[5].张雷.“塔西佗陷阱”效应对大学生心理趋向的影响分析[J].新西部.2017
[6].陈晓冬,杨翠,向培,刘鹏,邵晓鹏.光伏型InSb红外探测器瞬态特性界面陷阱效应[J].西安电子科技大学学报.2017
[7].李春雷,刘冰莹.塔西佗陷阱效应与传媒对社会困难群体的引导策略研究——基于“什邡事件”的实证分析[J].现代传播(中国传媒大学学报).2014
[8].高云斌.SiCVDMOS器件结构设计及界面陷阱效应研究[D].电子科技大学.2013
[9].赵萍,王志伟,袁巨龙.半固着磨具“陷阱”效应影响因素分析[J].中国机械工程.2011
[10].袁巨龙,汤科锋,王志伟,邓乾发,洪滔.大颗粒形状对半固着磨粒磨具“陷阱”效应影响的离散元仿真[J].金刚石与磨料磨具工程.2009
论文知识图
