导读:本文包含了数字衰减器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:单片微波集成电路(MMIC),GaAs,赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT),增强,耗尽(E,D)型
数字衰减器论文文献综述
李富强,赵子润,魏洪涛[1]（2019）在《Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计》一文中研究指出基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9～18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°～4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年08期）
吕彬彬,杨漫菲,王志刚,延波[2]（2017）在《基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段全温5位数字衰减器》一文中研究指出论文设计了一个工作在33~37GHz频率范围内的全温工作的5位数字衰减器,性能较优。衰减器基于锗化硅双极互补型金属氧化物半导体工艺,采用了嵌入式衰减网络,并加入低通补偿网络用以补偿附加相移。数字衰减器衰减范围0~15.5d B,步进0.5d B,常温下均方根误差小于0.22d B,-55℃均方根误差小于0.44d B,125℃时均方根误差小于0.39d B。各状态输入输出回波小于-12.6d B。版图面积712um 208um。(本文来源于《2017年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2017-05-08）
谢媛媛,陈凤霞,高学邦[3]（2016）在《一种超小型DC~18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器》一文中研究指出微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC~18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC~18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年08期）
钟毅茨,王磊,王志刚,谢俊[4]（2013）在《Ku波段五位数字衰减器单片设计》一文中研究指出本文采用WIN的0.1 5μm GaAs PHEMT工艺设计了一款工作于14~14.5GHz的五位单片数字衰减器,采用了简易T型以及T型两种衰减结构,同时串联两个PHEMT用以增强关态时的隔离度。仿真显示插入损耗小于2.8dB,全态衰减附加相移小于±2.5°,实现了较低的附加相移,输入端口回波损耗优于15dB,输出端口回波损耗优于17dB,衰减精度小于±0.3dB。(本文来源于《2013年全国微波毫米波会议论文集》期刊2013-05-21）
戴永胜,李平,孙宏途,徐利[5]（2012）在《高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器》一文中研究指出介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。(本文来源于《微波学报》期刊2012年06期）
文星,郁发新,孙玲玲[6]（2010）在《一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40GHz4位单片数字衰减器(英文)》一文中研究指出介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器。该衰减器采用0.25μm砷化镓pHEMT工艺制造。据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的。它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度。该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB。(本文来源于《电子器件》期刊2010年02期）
刘清华[7]（2010）在《多控制功能数字衰减器的研究设计》一文中研究指出衰减器的主要作用是通过接收天线锁定天空卫星信号,将卫星信号从室外引到室内或其它接收不到卫星信号的地方。这样便能够在室内用普通的卫星接收机接收到卫星信号、在室内即可完成应在室外完成的工作,为GPS接收机提供可调整的测试信号。由于用户实际的使用信号范围以及地理条件的限制使得信号需要调整到特定区域,同时很多生产厂家在产品开发与测试过程中普遍的遇到了一个信号强度的问题,并不是所有的产品都是基于某一个固定的信号强度或者固定范围的信号,因此衰减器的研制变得十分重要,其需求量大大增加。本文研究了一种基于衰减器芯片技术的多控制功能数字步进式衰减器,不仅具有一般仪器的手动控制、显示以及串口接口,而且还配备了GPIB接口,方便了计算机的控制,更有利于搭建自动控制系统。目前市场上的衰减器基本上都是固定衰减器且很少具有控制接口,这就给实际使用过程中造成了很多不便。本文研究设计的衰减器,具体来说实现的创新点有：一是采用芯片技术加单片机技术实现了可调整衰减增益的输出而不再是固定衰减增益的输出。二是实现了多控制功能,增加了手动控制接口(键盘接口)与程控接口(串行接口和GPIB接口)而不是单纯的控制接口甚至是没有控制接口。本设计的核心芯片是采用NI公司最新推出的DAT31R5衰减器芯片,它直接面向服务终端,文中介绍了此芯片的外围控制设计,提出了一些具体硬件设计环节上的注意事项；在键盘控制技术方面,在分析了几种常用的控制算法的基础上结合了更合理的基于有限状态机的键盘扫描处理算法实现了键盘的稳定输入,同时提高了微控制器的执行效率；在LCD显示技术上,采用了更简单更实用的LM16032显示器,并给出了相应的显示程序；串口通信方面,在制定了具体的通信协议的基础上完成了具体的串口通信设计；在全面介绍GPIB接口功能的同时,也详细阐述了通用GPIB接口的设计,并给出了相应功能模块的流程设计思路。本文所研制的衰减器已经投入了使用,具有很广阔的市场。(本文来源于《长沙理工大学》期刊2010-03-01）
文星[8]（2010）在《超宽带单片五位数字衰减器的研究》一文中研究指出随着科技的进步,通信系统不断更新换代,通信产品也随之不断的向小型化、低功耗、高可靠性等方向发展,而单片微波集成电路(MMIC)具有小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、产品性能一致性好和批量生产成本低等优势,因而在通信市场中占据越来越重要的地位。作为系统的重要组成部分,MMIC衰减器在宽带通信、微波无线电通信、雷达以及空间通信等电子设备中有着广泛的应用。本论文主要介绍了超宽带五位MMIC数字衰减器的原理电路设计、仿真优化、版图设计、流片的在片测试及测试结果分析。文章首先介绍了MMIC技术特点以及应用,其次陈述了MMIC衰减器的发展概况和研究意义,并对工艺特点以及几种基本衰减结构进行了讨论,再次具体介绍了此超宽带衰减器的设计过程:根据具体要求,选用最优的结构,采用MOMENTUM联合仿真优化法,分别设计出1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减位,再通过级联整体仿真优化设计出了所需衰减器。由于所设计的电路还进行了流片验证并使用探针台做了在片测试,因而最后还对测试结果进行了全面分析,讨论了所做工作的意义与不足。该五位MMIC数字衰减器的工作频段为5-38GHz,就作者所知,是国内见报道的同类产品中带宽最宽的。设计软件使用了ADS2006A系统,采用0.25um pHEMT工艺线实现。经流片测试,所设计衰减器性能良好,在工作频带内的衰减范围为31dB,衰减步进为1dB,具有较精确的衰减步进误差(1.0±0.4dB),小的插入损耗(<7dB)以及优良的回波损耗(>12dB),芯片尺寸仅为2.4mm×1.2mm×0.1mm,可以应用于军事电子对抗及民用通信中。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2010-01-01）
宋志东[9]（2009）在《多倍频程MMIC六位数字衰减器的研究与设计》一文中研究指出超宽带微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器在相控阵雷达、智能天线、GSM、PCS、3G等应用领域有着广泛的应用。微波数字衰减器通过一定的电路结构和控制信号实现对信号幅度的步进控制,是有源相控阵雷达系统中收发(T/R)组件的核心组成部分之一,与数字移相器结合控制着雷达波束的方向,波束数量,主旁瓣比等,从而实现波束的电控扫描。其性能的优劣将直接影响相控阵雷达的性能指标。本文对多倍频程(2-18GHz)MMIC数字衰减器进行了研究与设计。MMIC数字衰减器的基本要求是:衰减精度高、插入相移小、结构简单、尺寸小、成本低、可靠性高、批量电性能一致性好等。本论文首先对微波数字衰减器进行理论分析,综合各项指标要求,详细分析了MMIC元器件模型,深入探讨了各位数字衰减器的电路拓扑结构;其次根据六个衰减位不同的衰减量要求计算出拓扑结构中的电阻初值,并针对附加相移、衰减精确度、插入损耗和输入输出驻波比等指标要求一同进行优化,完成六个衰减位的单独设计;最后将六位数字衰减器级联进行总体优化、并结合加工工艺进行版图的设计与优化,以实现综合电性能最佳。本文所采用的设计软件是Advanced Design System 2008(ADS2008),MMIC工艺流程选择的是WIN公司的0.5μm的GaAs PHEMT工艺。结合工艺线所提供的设计元件库包,设计完成了符合工艺线加工要求的MMIC数字衰减器芯片版图文件。最后交由WIN公司进行工艺流片,完成了MMIC六位数字衰减器的设计和制作,样品的测试结果基本与设计吻合。在2-18GHz的工作频带范围内,六位数字衰减器芯片的最大衰减量为31.5dB,衰减步进为0.5dB,各主要衰减态测试结果如下:0.5dB衰减态误差＜0.17dB;1dB衰减态误差＜0.16dB;2dB衰减态误差＜0.25dB;4dB衰减态误差＜0.65dB;8dB衰减态误差＜0.61dB;16dB衰减态误差＜1.11dB;31.5dB衰减态误差＜2.31dB;附加相移小于+6.28°/-1.53°;插入损耗＜-5.71dB;输入输出端口驻波＜2.32;芯片尺寸为2.89mm×1.22mm×0.1mm。(本文来源于《南京理工大学》期刊2009-05-01）
刘会东,张海英,孙肖磊,陈普峰[10]（2008）在《0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计》一文中研究指出采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°~2°之间。(本文来源于《电子器件》期刊2008年06期）
数字衰减器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
论文设计了一个工作在33~37GHz频率范围内的全温工作的5位数字衰减器,性能较优。衰减器基于锗化硅双极互补型金属氧化物半导体工艺,采用了嵌入式衰减网络,并加入低通补偿网络用以补偿附加相移。数字衰减器衰减范围0~15.5d B,步进0.5d B,常温下均方根误差小于0.22d B,-55℃均方根误差小于0.44d B,125℃时均方根误差小于0.39d B。各状态输入输出回波小于-12.6d B。版图面积712um 208um。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
数字衰减器论文参考文献
[1].李富强,赵子润,魏洪涛.Ku波段6bit数字衰减器MMIC的小型化设计[J].半导体技术.2019
[2].吕彬彬,杨漫菲,王志刚,延波.基于SiGeBiCMOS工艺的Ka波段全温5位数字衰减器[C].2017年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2017
[3].谢媛媛,陈凤霞,高学邦.一种超小型DC~18GHzMMIC6bit数字衰减器[J].半导体技术.2016
[4].钟毅茨,王磊,王志刚,谢俊.Ku波段五位数字衰减器单片设计[C].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013
[5].戴永胜,李平,孙宏途,徐利.高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器[J].微波学报.2012
[6].文星,郁发新,孙玲玲.一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40GHz4位单片数字衰减器(英文)[J].电子器件.2010
[7].刘清华.多控制功能数字衰减器的研究设计[D].长沙理工大学.2010
[8].文星.超宽带单片五位数字衰减器的研究[D].杭州电子科技大学.2010
[9].宋志东.多倍频程MMIC六位数字衰减器的研究与设计[D].南京理工大学.2009
[10].刘会东,张海英,孙肖磊,陈普峰.0.5μmGaAsPHEMT数字衰减器设计[J].电子器件.2008
标签：单片微波集成电路(MMIC); GaAs; 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT); 增强; 耗尽(E; D)型;