密度泛函态密度论文_张继黎,宋绵新,邹浩,刘攀,边亮

导读:本文包含了密度泛函态密度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:密度,理论,能带,容量,原理,论文,ZnO。

密度泛函态密度论文文献综述

张继黎,宋绵新,邹浩,刘攀,边亮^[1]（2014）在《锆石中核原子表面电子态密度的密度泛函计算(英文)》一文中研究指出通过搜索和调查固化材料的最优包容量,并利用密度泛函理论(DFT)对固化材料晶体进行了优化和预测,对锆石中核素原子包容量(x)进行了讨论,对相应的结构性能进行了研究,包括焓的形成、晶格畸变和态密度(DOS)。分别选择了高容量包晶(硅酸锆)和高稳定性能的晶体(Zr2Gd2O7)锆石为基本晶体,研究其固化性能。对高包容量晶的计算结果显示铈(Ce)或铀(U)原子放大能扩展硅酸锆的晶格长度,并导致形态从Fm3m形态转变为I41/AMD,使相对应的态密度远离Fermi能级。Ce和U原子在Zr1-xCe(或U)xSiO4基质中最佳包容量分别为25%和30%。这些数据与实验数据相吻合。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2014年11期）

王腊节,聂招秀,刘德政^[2]（2010）在《AlN能带及态密度的密度泛函理论研究》一文中研究指出文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了A lN晶体的能带结构和态密度曲线。研究表明,A lN的价带由-15.3eV~-12.3eV的下价带和-6.2eV~0eV的上价带区组成,价带顶出现叁个子带:简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带(距带顶0.2eV);导带主要是由A l的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测A lN价带空穴具有大的有效质量;A lN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值。(本文来源于《四川理工学院学报(自然科学版)》期刊2010年04期）

郭连权,武鹤楠,刘嘉慧,马贺,宋开颜^[3]（2009）在《ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究》一文中研究指出本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算。得到了ZnO的能带和态密度曲线。研究表明,ZnO的价带基本上可以分为叁个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1eV处的宽度为1.1eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2009年02期）

密度泛函态密度论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了A lN晶体的能带结构和态密度曲线。研究表明,A lN的价带由-15.3eV~-12.3eV的下价带和-6.2eV~0eV的上价带区组成,价带顶出现叁个子带:简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带(距带顶0.2eV);导带主要是由A l的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测A lN价带空穴具有大的有效质量;A lN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。