导读:本文包含了电阻率温度系数论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电阻率,系数,温度,晶粒,电阻,多项式,薄膜。
电阻率温度系数论文文献综述
于凡,周垚,李维康,赵孝磊,闫轰达[1]（2019）在《纳米粒子对交联聚乙烯直流电缆中绝缘电阻率温度系数的影响》一文中研究指出为减少电阻率随温度的变化,采用了加入纳米填料的方法来降低交联聚乙烯绝缘料的电阻率温度系数,通过与传统纯聚乙烯绝缘料的性能对比验证纳米粒子掺杂对性能的影响。在所得电-热性能数据的基础上,模拟仿真采用低电阻率温度系数绝缘料的100 kV直流电缆绝缘层中的场强分布。结果表明:添加纳米粒子降低了交联聚乙烯对温度的敏感性,同时削弱了电缆绝缘层中的电场畸变率,说明纳米粒子对交联聚乙烯的电阻率温度系数有一定的调控作用。(本文来源于《绝缘材料》期刊2019年10期）
张殊嫄,李明珠,宋嘉伟[2]（2019）在《中压电力电缆用半导电屏蔽料电阻率温度系数研究》一文中研究指出中压电力电缆半导电屏蔽层的附加损耗与体积电阻率相关。电缆工作温度上升,半导电屏蔽层电阻增大,则电缆tg δ变大,半导电界面热效应变坏,影响电缆使用寿命,因此半导电屏蔽层电阻率的温度特性应平稳。相应的,半导电屏蔽层所用半导电屏蔽料的电阻率温度特性也应平稳。通过研究半导电屏蔽料的电阻率温度特性,认为通过考核电阻率的温度系数来评估半导电屏蔽材料的电气性能稳定性是一种可行且操作简便的试验方法,并给出了电气热稳定性较好屏蔽料的电阻率温度系数α范围。(本文来源于《电线电缆》期刊2019年03期）
Min-Ho,PARK,Sang-Ho,KIM[3]（2013）在《射频磁控溅射沉积TiAlN薄膜的电阻率温度系数(英文)》一文中研究指出TiAlN薄膜是一种有可能作为喷墨打印头中传统的TaN或TaAl发热电阻的替代品。采用TiN和AlN作靶材,在400°C下用射频磁控溅射共沉积方法在Si(100)基底上制备TiAlN薄膜,研究了磁控溅射沉积时等离子体功率密度对TiAlN薄膜电阻率温度系数和抗氧化性能的影响。结果表明,TiAlN薄膜的结晶度、晶粒尺寸和表面粗糙度随着等离子体功率密度的增加而增大,从而导致大晶粒和小晶界。X射线光电子能谱分析得到的Ti、Al和N的键合能表明,TiAlN中氮素化学计量学亏缺使TiAlN薄膜的电阻更大。在最高等离子体功率密度下制备的TiAlN薄膜具有最高的抗氧化性能和最低的电阻率温度系数(765.43×106K1)。(本文来源于《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》期刊2013年02期）
史磊,李伟,匡跃军,廖乃镘,蒋亚东[4]（2007）在《掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究》一文中研究指出用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。(本文来源于《半导体光电》期刊2007年01期）
孙以材,宫云梅,王静,程东升,张效玮[5]（2006）在《硅的电阻率温度系数～电阻率关系Si几种拟合方法的比较》一文中研究指出本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比。结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB5次曲线最为逼近。(本文来源于《传感器世界》期刊2006年03期）
孙以材,孟庆浩,宫云梅,赵卫萍,武建平[6]（2005）在《四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用》一文中研究指出本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果.(本文来源于《电子学报》期刊2005年08期）
范平[7]（2000）在《金属薄膜的电阻率温度系数》一文中研究指出利用同时考虑表面散射和晶界散射的金属薄膜电导理论 ,得到金属薄膜的电阻率温度系数与厚度的关系式 .金属Cu膜、Ag膜和Au膜的电阻率温度系数随膜厚变化的实验结果表明 ,计算曲线与实验结果符合较好 ,弥补了F S理论在较薄厚度时与实验结果不相符的缺陷 .分析得出 ,薄膜厚度较薄时马希森定律仍成立 .(本文来源于《深圳大学学报》期刊2000年04期）
王晓平,赵特秀,季航,梁齐,叶坚[8]（1995）在《MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究》一文中研究指出利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关.(本文来源于《物理学报》期刊1995年02期）
吴柏源,邹向,江美玉[9]（1994）在《低室温电阻率正温度系数热敏电阻器》一文中研究指出Ｖ２Ｏ３与聚合物复合可制备室温电阻率０．４Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应高达１０个数量级的热敏电阻材料。讨论了Ｖ２Ｏ３含量、聚合物种类和含量对室温电阻率和ＰＴＣ效应的影响规律，并对复合材料的微观结构进行分析，用隧道效应解释了ＰＴＣ效应。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1994年05期）
王晓平,赵特秀,季航,梁齐,董翊[10]（1994）在《晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响》一文中研究指出报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。(本文来源于《物理学报》期刊1994年02期）
电阻率温度系数论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
中压电力电缆半导电屏蔽层的附加损耗与体积电阻率相关。电缆工作温度上升,半导电屏蔽层电阻增大,则电缆tg δ变大,半导电界面热效应变坏,影响电缆使用寿命,因此半导电屏蔽层电阻率的温度特性应平稳。相应的,半导电屏蔽层所用半导电屏蔽料的电阻率温度特性也应平稳。通过研究半导电屏蔽料的电阻率温度特性,认为通过考核电阻率的温度系数来评估半导电屏蔽材料的电气性能稳定性是一种可行且操作简便的试验方法,并给出了电气热稳定性较好屏蔽料的电阻率温度系数α范围。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电阻率温度系数论文参考文献
[1].于凡,周垚,李维康,赵孝磊,闫轰达.纳米粒子对交联聚乙烯直流电缆中绝缘电阻率温度系数的影响[J].绝缘材料.2019
[2].张殊嫄,李明珠,宋嘉伟.中压电力电缆用半导电屏蔽料电阻率温度系数研究[J].电线电缆.2019
[3].Min-Ho,PARK,Sang-Ho,KIM.射频磁控溅射沉积TiAlN薄膜的电阻率温度系数(英文)[J].TransactionsofNonferrousMetalsSocietyofChina.2013
[4].史磊,李伟,匡跃军,廖乃镘,蒋亚东.掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究[J].半导体光电.2007
[5].孙以材,宫云梅,王静,程东升,张效玮.硅的电阻率温度系数～电阻率关系Si几种拟合方法的比较[J].传感器世界.2006
[6].孙以材,孟庆浩,宫云梅,赵卫萍,武建平.四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用[J].电子学报.2005
[7].范平.金属薄膜的电阻率温度系数[J].深圳大学学报.2000
[8].王晓平,赵特秀,季航,梁齐,叶坚.MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究[J].物理学报.1995
[9].吴柏源,邹向,江美玉.低室温电阻率正温度系数热敏电阻器[J].电子元件与材料.1994
[10].王晓平,赵特秀,季航,梁齐,董翊.晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响[J].物理学报.1994
论文知识图
