论文摘要
以三种不同的氟化盐（Na F、Li F、KF）与HCl的混合溶液做刻蚀剂刻蚀Ti2AlC制备出具有二维片状结构的MXene相材料Ti2CTx。刻蚀温度和刻蚀液F-浓度对Ti2CTx的制备均有重要影响。当温度为60℃时,Na F+HCl和KF+HCl刻蚀液可以实现完全剥离;当温度为70℃时,LiF+HCl刻蚀液可以实现完全剥离。相比3 mol/L F-的刻蚀液,4 mol/LF-的刻蚀液制备的产物刻蚀效果更好。通过对刻蚀产物进行红外光谱分析,可以发现MXene相表面含有O、F等官能团,4 mol/L F-的刻蚀液所制备的产物中F官能团含量较高。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 杨磊,李超,邹云麒,严明
关键词: 氟化盐,刻蚀,浓度
来源: 硅酸盐通报 2019年07期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 湖北工业大学材料与化学工程学院,湖北省绿色轻工材料重点实验室,湖北工业大学绿色轻质材料与加工协同创新中心
基金: 绿色轻工材料湖北省重点实验室开放基金(201710A15)
分类号: O614.411
DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.07.013
页码: 2057-2060
总页数: 4
文件大小: 274K
下载量: 178
相关论文文献
- [1].磁控溅射铜靶材的刻蚀行为[J]. 金属热处理 2013(02)
- [2].LAM推出3DIC刻蚀用的300mm刻蚀设备[J]. 半导体信息 2008(01)
- [3].各向异性湿法刻蚀中刻蚀温度对硅尖形貌的影响[J]. 机电工程技术 2019(09)
- [4].磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算研究[J]. 真空科学与技术学报 2012(10)
- [5].基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究[J]. 电子元件与材料 2019(09)
- [6].金属镍污染对大马士革刻蚀的影响[J]. 中国集成电路 2019(09)
- [7].钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究[J]. 集成电路应用 2018(01)
- [8].微机械陀螺的刻蚀误差特性分析[J]. 动力学与控制学报 2017(02)
- [9].多晶硅栅极刻蚀过程中边缘刻蚀缺陷的研究及改善[J]. 科技资讯 2017(25)
- [10].干刻蚀机零件锈蚀原因分析[J]. 理化检验(物理分册) 2015(05)
- [11].刻蚀实现双重图形的前景[J]. 集成电路应用 2008(04)
- [12].半导体刻蚀设备中真空系统的设计优化[J]. 机电信息 2016(21)
- [13].157nm激光微加工过程中激光参量对刻蚀性能的影响[J]. 激光技术 2011(01)
- [14].氧化铟锡透明导电电极的刻蚀研究[J]. 腐蚀科学与防护技术 2014(01)
- [15].半导体制造刻蚀设备调度算法的研究[J]. 微计算机信息 2012(06)
- [16].半导体制造刻蚀设备调度算法[J]. 计算机应用 2010(S2)
- [17].新产品[J]. 集成电路应用 2009(Z1)
- [18].基于梳齿式电容加速度计的深硅刻蚀[J]. 微纳电子技术 2017(09)
- [19].不同温度下砷化镓表面摩擦诱导选择性刻蚀特性研究[J]. 摩擦学学报 2016(04)
- [20].大尺寸玻璃刻蚀设备控制系统设计[J]. 电子工业专用设备 2012(04)
- [21].氧化硫硫杆菌和氧化亚铁硫杆菌生物刻蚀加工的协同作用[J]. 北京理工大学学报 2010(09)
- [22].不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工[J]. 物理化学学报 2009(08)
- [23].NaOH对硅基薄膜体声波谐振器的背腔刻蚀研究[J]. 仪表技术与传感器 2018(01)
- [24].工艺参数对SiC刻蚀性能及微结构型貌的影响[J]. 硅酸盐通报 2018(05)
- [25].刻蚀多壁碳纳米管/硫复合物的制备及性能[J]. 电池 2014(05)
- [26].40nm一体化刻蚀工艺技术研究[J]. 半导体技术 2014(08)
- [27].ICP刻蚀技术在MEMS中的应用[J]. 化工设计通讯 2019(01)
- [28].基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术[J]. 半导体技术 2019(10)
- [29].铝型材刻蚀量对无铬氧化后粉末喷涂结合力的影响[J]. 电镀与涂饰 2018(21)
- [30].等离子硅刻蚀及其工艺参数的多尺度优化[J]. 计算机辅助工程 2014(05)