导读:本文包含了超精密抛光机论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:精密,机械,化学,碳化硅,蓝宝石,工艺,误差。
超精密抛光机论文文献综述
何艳,苑泽伟,段振云,张幼军[1]（2019）在《单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺》一文中研究指出为改善现有碳化硅抛光方法存在的效率低、有污染、损伤大等问题,提出采用机械研磨与光催化辅助化学机械抛光组合工艺抛光单晶碳化硅晶片.光催化辅助化学机械抛光利用纳米二氧化钛在紫外光照射下生成羟基自由基的强氧化作用原子级去除碳化硅.通过L9(33)正交试验研制光催化辅助化学机械抛光抛光液,采用对碳化硅晶片表面粗糙度跟踪检测的方法确定优化加工工艺.甲基紫有机显色剂静态氧化试验结果表明:光催化剂对抛光液氧化性的影响最大,其次是电子俘获剂,再次是分散剂;较好的抛光液配方为二氧化钛0.5 g獉L-1、过氧化氢1.5 mol獉L-1、六偏磷酸钠0.1 g獉L-1.确定的优化抛光工艺为:采用5μm和2μm金刚石微粉分别研磨单晶碳化硅晶片30 min,材料去除率分别为8.72μm/h和4.56μm/h;然后采用光催化辅助化学机械抛光单晶碳化硅去除机械研磨带来的损伤,粗抛光选用0.5μm氧化铝微粉抛光60 min,精抛光选用0.05μm氧化铝微粉抛光50 min,粗抛光和精抛光的材料去除率分别为1.81μm/h和1.03μm/h.用该工艺抛光单晶碳化硅,获得的表面粗糙度约为0.47 nm,基本能满足单晶碳化硅高效、超光滑、低损伤的抛光要求.(本文来源于《哈尔滨工业大学学报》期刊2019年01期）
张景阳[2]（2018）在《通往超精密抛光工艺之巅，路阻且长》一文中研究指出在茫茫宇宙中，一个类金属合金宇宙探测器以超光速掠过，它由被强互作用力锁死的质子与中子构成，因表面绝对光滑而可以反射一切电磁波，并且无坚不摧……这是刘慈欣在科幻小说《叁体》中提到的一种名叫“水滴”的宇宙飞行器。事实上，人类对“绝对光滑”的追求也已(本文来源于《科技日报》期刊2018-06-26）
胡扬轩,邓朝晖,万林林,李敏[3]（2018）在《用于蓝宝石材料加工的新型超精密抛光技术及复合抛光技术研究进展》一文中研究指出超精密抛光是一种降低表面粗糙度,获得高表面质量和表面完整性的加工技术。蓝宝石作为典型的难加工硬脆材料,传统抛光方法存在表面会产生崩碎、划痕等损伤,表面质量难以得到保证以及加工效率低等问题。本文综述了应用于蓝宝石材料的磁流变抛光、水合抛光、化学机械抛光和激光抛光等技术的原理与特点及其研究现状,并分析了各抛光技术的优缺点;从表面质量、磨料与磨液、效率与成本等方面对各抛光技术进行比较;介绍了复合抛光技术在蓝宝石材料中的应用;最后重点展望了蓝宝石材料超精密抛光技术的下一步研究。(本文来源于《材料导报》期刊2018年09期）
刘玉林[4]（2017）在《CMP超精密抛光元件兆声波清洗工艺和应用》一文中研究指出分析了CMP后电子元件表面清洗存在的问题,综述了CMP后清洗技术的发展现状,详细阐述了兆声波清洗技术的原理、工艺流程、工艺参数及特点,介绍了兆声波清洗在CMP超精抛光加工技术中的应用与前景。(本文来源于《清洗世界》期刊2017年12期）
高万彬[5]（2017）在《半球谐振子超精密抛光机床数控系统构建与轨迹规划研究》一文中研究指出半球谐振陀螺是20世纪60年代开始出现的一种新型陀螺,由于其高精度、高可靠性和长寿命的特点被广泛应用在新一代长寿命卫星的惯性系统上。半球谐振陀螺的工作原理是利用径向振动的谐振子产生哥式力效应测量角度和转速。其中,作为半球谐振陀螺的核心部件,半球谐振子的加工质量和精度将直接影响其最终使用性能,因此,提高半球谐振子的精度和质量是我国半球谐振陀螺发展和取得突破的瓶颈。而开发能够达到半球谐振子高精度要求的超精密加工数控系统,对于提高谐振子的工作性能并实现批量化生产具有关键作用。本课题首先完成了基于A3200运动控制器的开放式数控系统的规划和设计。在系统硬件设备选型、控制柜电路设计、软件功能实现中充分考虑磁流变抛光机床的结构和实际加工的特点,设计了磁流变抛光加工机床数控系统软件。基于伺服系统参数调节优化方法,根据机床控制性能的要求,对机床各运动轴的相关参数进行了PID整定和优化,提高了各运动平台的响应特性,获得了良好控制下的系统动态和稳态性能;在充分研究定位误差补偿的原理和测量方法的基础上,利用激光干涉仪对X、Y、Z叁个轴进行了定位误差测量,根据计算得到了补偿值编制了相应的补偿表,提高了系统的定位精度。在UG环境下建立了半球谐振子的叁维模型,并创建了抛光加工的数控程序,通过对抛光轨迹的规划和加工代码的后置处理,获得了用于抛光加工的NC代码;利用VERICUT软件对抛光过程进行加工仿真,验证了抛光轨迹和数控代码的正确性;在首先利用半球谐振子3D打印件验证实际加工的基础上,对熔石英毛坯件以及半球谐振子进行了磁流变抛光加工实验,熔石英毛坯件表面形成的轨迹两个周期的重复度偏差为6.16μm,而半球谐振子的表面粗糙度Ra由原来的78.3nm提高到14.3nm,面型精度由0.5457μm提高至0.3320μm,证明机床稳定且定位精度满足加工要求,也验证了系统的控制性能。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-07-01）
陈国美[6]（2017）在《碳化硅晶片超精密抛光工艺及机理研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)作为最具代表性的第叁代宽禁带半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度、低相对介电常数和耐高温等特点,被认为是用作高温和高频光电子器件的理想材料。由于SiC晶片表面的质量对其器件的性能有至关重要的影响,因此在应用中对其加工表面质量具有严格的要求。目前,化学机械抛光(CMP)是获得超光滑无损伤SiC晶片表面最有效的加工方法之一。然而,由于SiC单晶材料的硬度大、化学稳定性好,很难在保证表面质量的同时获得较高的材料去除率(RRs)。此外,SiC晶片的CMP材料去除机理尚未完全研究清楚。对此,本文在优化6H-SiC晶片CMP抛光液的基础上,分析了6H-SiC晶片在CMP抛光过程中的化学和机械作用机理,并建立了其材料去除模型,对于提高SiC晶片的超精密加工技术和应用水平具有重要的理论意义和应用价值。首先,基于6H-SiC晶片的CMP抛光正交试验,研究了抛光液组分对抛光效果的影响。结果表明,在抛光液的叁组分因素中,pH值对材料去除率的影响最大,磨粒浓度次之,氧化剂浓度影响最小。由于KMnO4具有更强的氧化能力,因此在相同磨粒浓度和pH值条件下,KMnO4型抛光液获得的材料去除率比H2O2型抛光液的高。在酸性KMnO4环境中,CeO2磨粒型抛光液和Al2O3磨粒型抛光液都具有较高的材料去除率,相比之下,SiO2磨粒型抛光液的材料去除率较低。此外,由于Al2O3磨粒的莫氏硬度高,易导致晶片表面产生损伤,从而降低了晶片抛光表面质量。6H-SiC晶片C面的材料去除率显着高于Si面的材料去除率。通过X-射线光电子能谱(XPS)分析了静态腐蚀和抛光后的6H-SiC晶片表面元素组成、含量以及化学状态的变化。结果表明,在氧化剂存在下,SiC晶片表面原子可被氧化生成Si-C-O、Si-Ox-Cy、Si-O2、Si4-C4-x-O2、Si4-C4-O4、C-O和C=O等氧化物,且氧化剂的氧化能力越强,表层氧化产物含量越高。6H-SiC晶片不同晶面表面原子的可氧化性以及氧化产物去除的难易程度存在差异,C面原子较Si面原子更易于被氧化且其氧化产物更易于被除去,因此C面比Si面易于获得更高的材料去除率。基于接触角测量、zeta电势测试和扫描电子显微镜(SEM)观察,研究了抛光粒子与晶片表面之间的相互作用力,并使用双电层Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek(DLVO)理论预测了这种引力/斥力。结果表明,强酸性和强碱性环境下的6H-SiC晶片表面润湿性较中性环境中的好,尤其是在强碱性环境中。当抛光液在pH 2-5时,SiO2磨粒易于与晶片表面发生静电引力作用;CeO2磨粒则在pH 5-7时倾向于与晶片表面发生静电引力作用。在pH 2和pH 4的抛光液中,SiO2磨粒在晶片表面由于静电引力而粘附,当抛光液pH值为6、8和10时,由于斥力作用未发生粘附;而CeO2磨粒在酸性和碱性环境中都会在晶片表面发生粘附。通过销-盘摩擦试验,研究了不同氧化剂和磨粒对6H-SiC晶片在CMP抛光过程中摩擦学行为的影响;通过球-盘摩擦试验,研究了不同压力和频率对6H-SiC晶片在CMP抛光过程中摩擦学行为的影响。结果表明,在无磨粒的情况下,氧化剂的存在会促使晶片表面生成氧化膜,使摩擦系数降低,且氧化剂氧化能力越强,摩擦系数越低。无氧化剂存在下,抛光液中的SiO2磨粒和CeO2磨粒会起到滚珠润滑的作用,降低了抛光过程中的摩擦系数,且粘附在晶片表面的粒子会进一步降低CMP系统中的摩擦系数。然而,在pH值低于5的高锰酸钾环境中,晶片表面粘附的SiO2和CeO2粒子对摩擦系数以及抛光效果方面的影响有着显着的差异。高锰酸钾溶液润滑下的氮化硅小球与晶面表面之间的摩擦系数比在去离子水润滑下的大,表明氧化剂的存在有利于增强抛光过程中的表面氧化作用,提高了晶片表面的可加工性,有利于磨粒在晶片的机械磨损。磨粒在滑动过程中的机械去除作用随着抛光压力的增加而增加,随着滑动频率的增加而降低。最后,基于抛光垫/晶片间微观接触机制,考虑抛光垫表面微凸峰的变形,比较了微凸峰弹塑性变形和弹性变形下抛光垫与晶片之间的实际接触面积;基于磨粒在抛光垫/磨粒/晶片叁体力平衡下,考虑分子间DLVO作用力对磨粒所受总外力、压入氧化晶片表面深度的影响;分析了DLVO作用力对CMP抛光过程中化学机械协调作用的影响。结果表明,微凸峰弹塑性变形下的真实接触面积比其弹性变形下的小。磨粒与氧化表面的DLVO引力作用可增大磨粒所受总外力和压入氧化晶片表面的深度,而斥力作用可降低其所受总外力和压入深度。当磨粒-晶片表面分子间DLVO作用力为斥力,有利于提高晶片表面原子的氧化比例;当磨粒-氧化表面分子间DLVO作用力为引力,有利于抛光中磨粒的机械去除作用。(本文来源于《江南大学》期刊2017-06-01）
张鹏[7]（2017）在《碳化硅单晶衬底超精密抛光关键技术研究》一文中研究指出半导体产业的发展密切关系到我国国防、军事、航空航天、能源等重要科技领域。以碳化硅(SiC)单晶为代表的第叁代半导体材料是一种重要的新型宽禁带半导体材料,通过外延可以作为生长氮化镓(GaN)、石墨烯的衬底材料。同时,它具有高杨氏模量、高硬度、耐高温、耐腐蚀等性质,可广泛用于制作高温、高频的大功率器件。尤其在军工方面,是新一代雷达、卫星通讯的核心,具有重要的应用价值和广阔的发展前景,已然经成为当今国际关注的焦点。由于硅(Si)电子元器件的开发已趋于极限,因此,研究第叁代宽带隙半导体材料显得更加重要和尤为迫切;同时,它将引领第叁次半导体产业革命。SiC单晶衬底的加工质量和精度直接影响器件的性能,故要求被加工表面超光滑、无缺陷、无损伤。超精密抛光技术是整个加工工艺的最后一步,分为机械抛光和化学机械抛光两道工艺。机械抛光对材料去除率和平坦度起到决定性作用,化学机械抛光是实现原子级表面粗糙度的核心。因此,超精密抛光技术是保证SiC单晶衬底高精度、高效率、低成本的关键。本文以3英寸SiC单晶衬底的表面粗糙度、平坦度和材料去除率为目标,对机械抛光和化学机械抛光的工艺和机理进行了研究。使用综合评分法来权衡表面粗糙度和材料去除率之间的关系,根据不同要求得到不同条件下的最佳工艺参数。从微观、宏观两个尺度出发,分析化学作用、机械作用以及化学机械耦合作用对SiC单晶衬底原子级去除机理的影响。具体的研究内容主要包括以下几个方面:(1)建立了无架行星式双面机械抛光二维几何模型,推导了 SiC单晶衬底和抛光垫上磨粒的相对运动轨迹方程。分析了磨粒分布半径、SiC衬底分布半径、齿圈与太阳轮转速比、抛光盘与太阳轮转速比对抛光轨迹和曲率的影响情况。构建抛光均匀性函数,使用统计学方法计算变异系数,研究了磨粒间隔半径、齿圈与太阳轮转速比、抛光盘与太阳轮转速比叁个因素对SiC单晶衬底均匀抛光和抛光垫上磨粒磨损的影响规律。(2)建立了基于无架行星差动轮系的双面机械抛光机构的叁维物理模型,分析了 3英寸SiC单晶衬底表面对称5点的位移、速度、加速度随时间变化曲线的重合情况,验证了理论模型的正确性和行星差动轮系参数的可行性。基于该模型设计了 3英寸SiC单晶衬底机械抛光正交试验,通过单因素分析法和综合分析法,研究了抛光压力、下抛光盘转速以及金刚石微粉直径叁个因素对材料去除率、表面粗糙度和平坦度的影响规律,获得了最优工艺参数。(3)从微观尺度出发,建立了6H-SiC单晶晶胞模型,进行量子力学的计算,分析了晶胞模型分子动力学特性。根据密度泛函理论和第一性原理,使用CASTEP模块对能带结构、总态密度、电子密度以及电荷密度进行了分子动力学仿真。使用Forcite模块对(1 0 0)、(0 1 0)、(0 0 1)叁个面的原子密度的相对浓度分布、结构无序化程度的径向分布函数、温度分布以及速度分布随位置的变化进行了研究,分析了晶胞势能、动能,非键合能,总能,总焓的变化规律。(4)建立了3英寸SiC单晶衬底化学机械抛光流固耦合模型,基于ANSYS分析了抛光液对SiC衬底被加工表面的单向流固耦合作用。分析了抛光液流量和抛光液底面转速对流固耦合界面的压力、应力、应变和应变能四个指标的影响情况,为化学机械抛光机理的研究提供理论指导。(5)研究了SiC衬底的Si面和C面的化学机械抛光的工艺参数对材料去除率和表面粗糙度的影响。首先,设计了化学机械抛光六因素五水平正交试验(抛光压力、抛光盘转速、磨粒直径、PH值、抛光液浓度和氧化剂浓度),通过极差、方差分析法确定了单因素的主次顺序,分别得到了材料去除率和表面粗糙度单目标的最优工艺参数。其次,通过综合评分法确定了材料去除率和表面粗糙度之间的权重系数,得到了多目标的最优工艺参数。然后,针对其中影响最大的叁个因素(抛光压力、抛光盘转速和抛光液浓度),设计了叁因子二次回归正交旋转试验,建立了回归模型的数学方程。通过曲面响应图分析了多因素之间的耦合作用对目标的影响规律,为实际加工过程中工艺参数的选择提供理论指导和借鉴,为下一步精密数字化控制提供保障。(本文来源于《山东大学》期刊2017-05-25）
赵天晨[8]（2017）在《基于介电泳效应的高效超精密抛光理论及实验研究》一文中研究指出超精密抛光是高精度、超光滑表面零件的最主要终加工手段。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是目前应用最成熟的超精密抛光技术,CMP过程中抛光液受离心力作用被快速甩出加工区域,导致抛光液利用率低且在加工区域分布不均匀,同时限制了抛光盘转速的提高,从而造成抛光效率和面形精度不高。针对上述问题,本文开展如下研究:一.提出一种基于介电泳效应的新型抛光方法——介电泳抛光(Dielectrophoresis polishing,DEPP)。DEPP是指在传统CMP加工工件的上下方施加一个非均匀电场,抛光垫和工件之间的抛光液磨粒在该电场中被极化,进而在介电泳力作用下磨粒向被加工表面运动,从而增加了工件表面的磨粒分布密度,有效的提高了去除率;同时介电泳力减小了抛光液的甩出率,可进一步增加抛光转速,提高去除率;也改善了抛光液在加工区域的分布,提高了加工面形精度。分别观测了磨粒粉体和抛光液滴的介电泳效应,验证了 DEPP加工的可行性。二.基于极化理论和静电学理论,分析了 DEPP加工过程中磨粒在非均匀电场中的受力情况,建立了磨粒的介电泳力方程和速度方程,并依据Preston方程建立了 DEPP的材料去除模型。对材料去除率的相关影响因素进行了分析,为DEPP加工提供理论基础。叁.开发了电压幅值0-3000V连续可调、频率0-50Hz分档可调、输出方波的DEPP专用电源。通过仿真和实验研究,确定了一种材料去除率高、加工均匀性好的圆形电极,为后续DEPP加工装备的设计制造和实验研究提供必要的手段。四.通过单因素及正交实验对影响DEPP材料去除率和表面粗糙度的工艺参数进行优化,获得了硅片DEPP加工的最佳工艺参数组合:电场强度450V/mm,转速90rpm,磨粒浓度30%,磨粒粒径80nm。五.进行3英寸硅片加工对比实验,实验结果表明:与传统CMP相比,材料去除率由490nm/min提高至576nm/min,提高了 17.6%;平面度(RMS值)由1.4038入提高至0.2728λ(λ=632.8nm);加工最终表面粗糙度为Ra0.31nm;将抛光最大转速从60rpm提升至90rprm,提高了加工效率。进行2英寸蓝宝石加工对比实验,实验结果表明:与传统CMP相比,材料去除率由38.47nm/rmin提高至47.81nm/min,提高了24.3%;平面度(RMS值)由0.6863λ提高至0.3078λ;加工最终表面粗糙度为Ra 0.42nm。以上实验研究验证了 DEPP加工方法的先进性,为DEPP加工技术的后续研究及推广应用奠定基础。研究结果证明,本文提出的介电泳抛光(DEPP)是一种新型的可实现工件高效、超精密抛光的通用加工方法。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2017-03-01）
罗求发,陆静,徐西鹏[9]（2017）在《蓝宝石基片超精密抛光技术研究进展》一文中研究指出介绍了作为LED衬底材料使用的蓝宝石基片抛光方法的进展。通过介绍各种抛光技术所依靠的机械能、化学能、复合能和特种能场等的不同能场形式分析了当前不同蓝宝石基片抛光技术,如浮法抛光、磁流变抛光、水合抛光、化学机械抛光和激光抛光等的工艺原理和技术特点,指出当前现有加工方法的优缺点和发展进程。目前蓝宝石衬底的抛光质量已达到表面粗糙度为0.1nm、平面度为0.5μm。随着机械表面界面科学和加工工艺的不断进步,数字化、全自动和环境友好型的抛光技术是未来蓝宝石衬底加工的发展方向。(本文来源于《超硬材料工程》期刊2017年01期）
张峰[10]（2016）在《天通公司双面精密抛光机控制系统的设计及实现》一文中研究指出双面抛光机主要适用于磁性材料、半导体硅片、锗片、光学玻璃、金属材料及其它硬性和脆性材料的两面高精度高效率的抛光。抛光原理为四动模式;两个电机分别拖动上下两个抛盘、太阳轮、内齿圈;设定控制采用PLC调整;人机界面系统的显示使用彩色NT。龙门结构为箱形,配置大功率减速系统,软启动、软停止,运转平稳,抛光时间根据计时器可随意设定,采用了自动供给抛光液装置。为了防止抛光过程对零件的破坏,在与抛光液接触的零部件选用了防腐材料或表面进行了特殊处理。通过联合精密型传感器与气动控制的高精密系统,使得压力形成闭环反馈控制,以保证工件压力的准确性。采用了强制集中润滑对主要运动副进行润滑。抛光液系统具有多个辅助功能系统,包括独立搅拌系统、循环水冷却功能、给抛光液升温以及检测抛光液实时温度等功能,我们可选配不同的功能制做。双面抛光加工是晶片超平滑表面加工的有效途径,受到了人们的广泛关注,如何有效的获得晶片超平滑表面成为了各界专家学者研究的热点。双面抛光机气动加载系统能够对晶片超平滑表面加工进行精确的控制,提升晶片超平滑表面加工的质量。加载装置是双面抛光加工的重要组成部分,决定了晶片超平滑表面加工的质量,本文依据实际的需求,对双面抛光加工的控制系统进行了设计与实现。本文首先对双面抛光机的基础理论进行了介绍,对控制理论进行了研究;针对系统的硬件设计与软件设计分别进行了详细的阐述,对系统的功能与任务划分进行了分析;文章以双面抛光机为研究对象,提出了手动和自动控制两种工作模式,设计了软件的总体方案和系统的程序;针对整套系统的抛光机,监控系统尤为重要,我们对其进行了设计,实现了系统的实时监控与维护;最后对系统的界面进行了设计,确定了画面之间的切换关系。通过对系统的调试之后,验证了系统功能运行正常,满足事先既定的功能目标,系统在运行中具备了较强的稳定性,满足了晶片超平滑表面加工的要求,提升了晶片超平滑表面加工的质量。通过对本系统的设计与实现,希望为今后的双面抛光加工控制系统的研究奠定基础。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-01）
超精密抛光机论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在茫茫宇宙中，一个类金属合金宇宙探测器以超光速掠过，它由被强互作用力锁死的质子与中子构成，因表面绝对光滑而可以反射一切电磁波，并且无坚不摧……这是刘慈欣在科幻小说《叁体》中提到的一种名叫“水滴”的宇宙飞行器。事实上，人类对“绝对光滑”的追求也已
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超精密抛光机论文参考文献
[1].何艳,苑泽伟,段振云,张幼军.单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺[J].哈尔滨工业大学学报.2019
[2].张景阳.通往超精密抛光工艺之巅，路阻且长[N].科技日报.2018
[3].胡扬轩,邓朝晖,万林林,李敏.用于蓝宝石材料加工的新型超精密抛光技术及复合抛光技术研究进展[J].材料导报.2018
[4].刘玉林.CMP超精密抛光元件兆声波清洗工艺和应用[J].清洗世界.2017
[5].高万彬.半球谐振子超精密抛光机床数控系统构建与轨迹规划研究[D].哈尔滨工业大学.2017
[6].陈国美.碳化硅晶片超精密抛光工艺及机理研究[D].江南大学.2017
[7].张鹏.碳化硅单晶衬底超精密抛光关键技术研究[D].山东大学.2017
[8].赵天晨.基于介电泳效应的高效超精密抛光理论及实验研究[D].浙江工业大学.2017
[9].罗求发,陆静,徐西鹏.蓝宝石基片超精密抛光技术研究进展[J].超硬材料工程.2017
[10].张峰.天通公司双面精密抛光机控制系统的设计及实现[D].电子科技大学.2016
论文知识图
